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N沟道MOS管坏了，大家帮分析一下！
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本帖最后由 eyuge2 于
17:42 编辑
我用的是LRC的LBSS138LT1G，一块电路板上要用十几个。很多电路板测试不正常，发现是部分管子坏了。
把管子拆下来，用数字万用表的二极管档测量，SD间有0.5V左右的压降。这是寄生二极管的压降，正常。
坏的MOS管能测到DS间也有压降，大概1V多。
正常的MOS管DS间是开路。
这是什么类型的损坏？
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原材料有问题或静电击穿，上电路图看看吧
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&坏的MOS管能测到DS间也有压降，大概1V多。
正常的MOS管DS间是开路。&
楼主想说的是GS???
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本帖最后由 eyuge2 于
20:47 编辑
原材料有问题或静电击穿，上电路图看看吧
是个常用电路，电平转换用的。
电路板生产好了，上电测试就发现有部分管子坏了。
更换后就好了。
不上电的时候，直接测S、D极，不短路。
上电后，S端输入3.3V之后，D端的电压比3.3V稍微高一些。（正常应该是5V）
有点像SD导通了。
我们猜测是静电导致的，但不知道为啥静电会造成这种情况。也可能是料的问题，但是还是那盘料，基本上一换就好。
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也可能是焊接过程中温度过高造成的
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一般就是静电击穿。
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热击穿的可能性大
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本帖最后由 eyuge2 于
22:37 编辑
热击穿的可能性大
你们的意思是回流焊的温度设置高了？
我们生产了好多中板子，很少有器件坏的。回流焊的设置都是一样的。
以前也有发现这个管子坏的，当时没有太在意，主观上认为是ESD击穿了。
这次将坏的管子卸下来之后测量没有发现任何两个极之间短路，所以感觉不太像ESD击穿。
实际上我不太知道ESD击穿之后应该是什么现象。
热击穿我还是第一听说。
找到一篇文章，和大家分享一下
MOS管击穿原因和防护措施！
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热击穿的可能性大
查了一下热击穿的定义。我用这个管子是做电平转换的，没有大电流的。
1.热击穿：热击穿的本质是处于电场中的介质，由于其中的介质损耗而产生热量，就是电势能转换为热量，当外加电压足够高时，就可能从散热与发热的热平衡状态转入不平衡状态，若发出的热量比散去的多，介质温度将愈来愈高，直至出现永久性损坏，这就是热击穿
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管子原本就是坏的。
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你好，我也遇到一样的问题，用的管子是BSS138, 也出现击穿现象，问下你最后结论是怎么样的？有什么改进措施吗？
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本帖最后由 eyuge2 于
09:49 编辑
你好，我也遇到一样的问题，用的管子是BSS138, 也出现击穿现象，问下你最后结论是怎么样的？有什么改进措施 ...
后来用了fairchild BSS138，没有这种问题。
可能是LRC的这个mos管对回流焊的温度更敏感一些！
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如果要分析损坏原因，建议把故障品寄厂家解剖分析，很容易分析出硅片哪个部分损坏。
我们以前用了很多LRC的PMOS，没有遇到损坏失效的现象。
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如果要分析损坏原因，建议把故障品寄厂家解剖分析，很容易分析出硅片哪个部分损坏。
我们以前用了很多LRC的 ...
假定厂家解剖分析，确定出哪个部分损坏，那么能确认出损坏原因？
我现在是怀疑到底是 热 还是 静电 导致的损坏
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如果要分析损坏原因，建议把故障品寄厂家解剖分析，很容易分析出硅片哪个部分损坏。
我们以前用了很多LRC的 ...
一年只有几千只的量，不知道厂家是否愿意帮我们分析。
测试的时候就发现坏了，一个板子有十几个这个管子，能坏一半多。
一次生产几十块板子，都是这样的情况，找不出原因。
后来就用fairchild的，没有出现这种情况。
公司买料的时候，不是从代理商直接进货，搞不清楚是不是买了仿LRC的货。
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假定厂家解剖分析，确定出哪个部分损坏，那么能确认出损坏原因？
我现在是怀疑到底是 热 还是 静电 导致 ...
厂家会给出初步结论的，会给出大致原因。是ESD、是焊接、是过压还是过流。
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假定厂家解剖分析，确定出哪个部分损坏，那么能确认出损坏原因？
我现在是怀疑到底是 热 还是 静电 导致 ...
厂家会给出初步结论的，会给出大致原因。是ESD、是焊接、是过压还是过流。
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一年只有几千只的量，不知道厂家是否愿意帮我们分析。
测试的时候就发现坏了，一个板子有十几个这个管子 ...
如果都不能确定是否LRC的货，一切都免谈了。
对于厂家来说，质量部本来就有人的，分析故障原因，本来就是他们的工作，闲着也是闲着。
质量问题无小事！
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我们以前一个100V的肖特基二极管，老是击穿短路，故障率较高，实际测试波形，不会有这么高电压。
把故障品给他们分析，确认不是过流，是过压。
半导体厂家，本来就有解剖分析硅片的能力，把封装剥离，显微镜观察硅片，很清楚的。
我们换成200V耐压的管子，客户售后就不再报告有故障了。
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你在G极加一个1k电阻试试。
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此充电电路PMOS管寄生二极管压降问题
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如图，是一个常用到的充电电路，实际Q411使用的PMOS管型号为CJ3401，规格参数如图，工作原理是当5V不接入的时候，因Q411栅极通过电阻接地，MOS管沟道导通，当5V接入时，VGS小于开启电压，PMOS沟道关闭；
这里有一个疑问，就是当5V不接入时，实际测量到D端和S端是没有压降的，两端都是4.19V（等于VBAT电压），但是看规格书其体二极管是有压降的（VGS=0V，Is=-1A时，VSD=-1V），想请问下，这里的PMOS接法采用的是D到S电流流向，那么导通工作时其体二极管两端不应该有压降吗？为何测出来没有？我理解的S端电压应该=VBAT电压 - 二极管压降。感谢各位老师！
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谢谢各位老师，基本已经理清楚了，根据实际测试结果我分析整理如下（有不到位的地方还请再帮忙指出，感谢）：
1&&&上电瞬间PMOS管沟道截止，电流从二极管过，S端电压为VBAT电压减去体二极管压降，实际用示波器抓到S端的波形，如图，上电瞬[img][/img]间电压跳变0V---2.96V---4.19V，可算出体二极管上压降为1.23V，我判断是上电瞬间主板上的电容充电瞬间电流比较大，造成其压降较大，不知理解是否正确呢？
2&&&上电结束后，S端的电压稳定在4.19V，跟VBAT一样，是因为Vgs=-2.96V，沟道已导通（且根据数据手册显示Vgs=-2.5V时Rds（on）=90mΩ，则Vgs=-2.96V时Rds（on）会更小，在75mΩ~90mΩ之间），此时沟道电阻极小，电流不再走体二极管，体二极管截止，所以DS两端压降转变为为Rds（on）的压降；而此时系统耗电在uA级，所以压降小的根本测不到（系统漏电按200uA计算，Rds（on）取80，则压降约0.016mV），所以测出来都是4.19V了；
3&&&测了下开机后的Vds，系统开机（负载平均功耗为200mA），此时用万用表测到压降为11mV
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“上电结束后，S端的电压稳定在4.19V，跟VBAT一样，是因为Vgs=-2.96V，沟道已导通” ，你开头不是说5V接上，PMOS管截止么？怎么这里又说导通。。。而且5V接上的时候，Vgs=（5*）-5，，，接近0V啊，也不是你说的VGS=-2.96，请指导，谢谢！
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你用什么表测量的？是数字表的电阻档吗？如果是的，那这只二极管有可能是低于9V的稳压二极管哦，可以确定是整流二极管，那也就...
你用什么表测量的？是数字表的电阻档吗？如果是的，那这只二极管有可能是低于9V的稳压二极管哦，可以确定是整流二极管，那也就可以肯定这只二极管是坏的，不能用了。
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二级管的作用?
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　　二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。　　早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。　　早期的二极管包含“猫须晶体（&Cat's Whisker& Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。　　二极管是最常用的电子元件之一，它最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。　　分类和作用：　　检波二极管　　检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型，所以其结电容较小，工作频率较高。一般都采用锗材料制成。就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。　　2.整流二极管　　就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，因此结电容较大，一般为3kHZ以下。最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。　　3.限幅二极管　　二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。　　大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。　　4.调制二极管　　通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。　　5.混频二极管　　使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。　　6.放大二极管　　用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。　　7.开关二极管　　二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。　　有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。　　8.变容二极管　　用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， ；使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。　　9.频率倍增用二极管　　对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。　　10.稳压二极管　　这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。　　稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降（温度使价电子上升较高能量）；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零（齐纳击穿和雪崩击穿均有）。　　11.PIN型二极管（PIN Diode）　　这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是&本征&意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和&本征&层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，&本征&区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入&本征&区，而使&本征&区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。　　12.雪崩二极管(Avalanche Diode)　　它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。　　13.江崎二极管（Tunnel Diode）　　它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标&P&代表&峰&；而下标&V&代表&谷&。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。　　14.快速关断（阶跃恢复）二极管(Step Recovary Diode)　　它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成&自助电场&。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个&存贮时间&后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的&自助电场&缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。　　15.肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的&金属半导体结&的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。　　可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。　　16.阻尼二极管　　阻尼二极管多用在高频电压电路中，具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。　　17.瞬变电压抑制二极管　　TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。　　18.双基极二极管（单结晶体管）　　两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。　　19.发光二极管　　用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿、蓝单色光。随着技术的进步，近 来 研制成了白光高亮二极管，形成了LED照明这一新兴产业。　　还用于VCD、DVD、计算器等显示器上。　　20.、硅功率开关二极管　　硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。
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1、检波用二极管
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管
就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
3、限幅用二极管
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管
使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管
有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管
用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管
是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管（PIN Diode）
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是&本征&意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和&本征&层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，&本征&区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入&本征&区，而使&本征&区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标&P&代表&峰&；而下标&V&代表&谷&。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成&自助电场&。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个&存贮时间&后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的&自助电场&缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的&金属半导体结&的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管
具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管
TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基极二极管（单结晶体管）
两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
20.、硅功率开关二极管
硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。
21、旋转二极管
主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。
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　　二极管是最常用的电子元件之一，它最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。　　二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
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