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到底谁把谁祸害了？浅谈苹果弃用TLC NAND天极网手机频道 11:57
　　【天极网频道】据最新来自韩国的消息称，部分用户购买的大容量/频繁出现宕机重启问题，据了解这一问题可能是由于TLC NAND闪存导致。鉴于采用TLC NAND大容量闪存的新机频繁出现宕机，消息人士称决定停用TLC NAND转用MLC NAND闪充。同时，苹果为已出售的采用TLC NAND闪存的iPhone/iPhone 6 Plus推出 8.1.1更新以应对这一问题。（注：小编自用的美版iPhone 6 64GB一直没事。）
苹果又摊上事情了？
　　为什么苹果一开始没有在大容量的iPhone 6/iPhone 6 Plus上使用MLC NAND闪存，而是使用TLC NAND闪存？据悉，目前市面上有三种NAND Flash技术架构，即SLC/MLC/TLC。其中，SLC(Single-Level Cell) NANO技术最早出现，其原理是在1个存储单元(cell)中存放1位元(bit)的数据，采用这类架构的闪存具有存储速度快寿命长(约10万次擦写)的优点，但也正是由于一个存储单元只能对应存放一个位元数据的局限，因此在单位存储量上没有优势，成本也一直高居不下。直至年前后，智能手机、的普及狂潮袭来，NAND Flash需要一个具有“商业化”的成熟架构，于是MLC NAND出现。
国外众多媒体多新iPhone进行拆解
红色部分为NAND Flash闪存
　　何谓擦写寿命？
　　不同于机械硬盘，不是按照数据区块划分的，所以它的擦写是根据擦写数据量判定的。假如一块固态可擦写次数500次，容量60GB，可擦写数据量就是60×500=30000GB。照这样计算下来，你的iPhone 6(64GB)还能活多久？
NAND Flsh闪存结构
　　与SLC NAND一样，MLC(Multi-Level Cell)NAND同样是用存储单元(cell)去存放位元数据(bit)，不同的是，现在1个单元存储位数据，数据密度成倍增长。简单粗暴地讲，就是同样的体积下，MLC NAND容量是SLC NAND的两倍，大容量闪存随着智能手机得到快速普及。但这并不是全部，虽然MLC NAND的容量是增加了，寿命缺少短了，只有约-10000次(仅是SLC的1/20―1/10)。总的来讲，SLC NAND到MLC NAND的发展是一种商业化上妥协，用容量去换寿命，也就是能吃饱少活几十年也没问题啊。
　　那个时候，MLC NAND放弃了治疗，在架构和成本上优势明显，但故事还没完!MLC NAND可以满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求，但奈何这小小的智能手机上，硬件爆炸式的发展，能满足的用户需求，从早前的打、发短信跳跃发展为能玩游戏、看大片的娱乐终端，这时候手机的容量似乎开始吃紧了，本来32GB的容量吧，手机厂商勒一勒腰带就这么过去了，但是64GB、128GB还是这样勒的话，要瘦成什么样了(当然苹果的腰粗着呢)。
智能手机中常用SLC/MLC NAND闪存
平板中闪存一样多用SLC和MLC NAND
　　所以MLC NAND之后，还是有人想再压榨一下，率先在MLC NAND下发展TLC(Trinary-Level Cell)NAND，这次在MLC NAND的基础下SLC NAND的数据密度有了1/2倍大的增长，即是1个单元存储位数据，容量再次大幅上涨，成本进一步大幅降低。但问题又来了，MLC那是宁愿饱着死也不做饿死鬼，而TLC则是天天“山珍海味”，明天死也愿意。TLC容量涨了，可是寿命大大减短，只有约500次擦写!
图片来自网络
　　虽然我们对TLC NAND的“苛责”是对着苹果来的，但这并不代表 NAND是苹果一手驱推动的。因为存储容量大、成本低廉，虽然效果不高，TLC在低阶NAND Flash产品上获得大量，像低速记忆卡、随身碟这些小玩意，像智能手机、SSD(固态硬盘)等不是用SLC就是MLC。所以，TLC非为苹果而生，而是苹果选择了TCL。
低阶金手指大多用TLC NAND
　　最后，为TLC NAND鸣个怨吧，虽然一直名声不好听，但便宜至少是事实，它会有自己所合适的消费群体，只是不巧被高大上的苹果选中了，然后躺枪了。其实，随着技术进步，TLC NAND还是有着很大的上升空间。
　　苹果为什么一开始用TLC NAND，显然是考虑到成本的!财报好看，股票飞涨，新技能get√ !
手机类型：智能手机
主屏尺寸：4.7英寸
分辨率(像素)：
CPU厂商：苹果CPU
CPU型号：苹果A8
3G制式：TD-SCDMA，WCDMA，CDMA2000
4G制式：移动TD-LTE，联通TD-LTE，电信TD-LTE，FDD-LTE
处理器核心：双核处理器
操作系统版本：iOS 8
内存大小：RAM 1GB+ROM 16GB
电池容量(mAh)：1800mAh
后置摄像头像素：800万
前置摄像头像素：300万
蓝牙通信：支持
WIFI功能：支持WIFI
网上商城商品/规格/促销价格
（作者：钟慕平责任编辑：钟慕平）
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不越狱不拆机!查iPhone6/6plus是否用了TLC闪存
今年 Apple 推出 iPhone 6、iPhone 6 Plus 之后，风波不断，除了之前的弯曲门、头髮门、病毒门，还有跟闪存扯上关系的 TLC 问题!其争议点在于 Apple 在 iPhone 6、iPhone 6 Plus 的闪存中，同款手机却有 TLC 或 MLC 不同架构、成本的闪存。随着iPhone6+功能缺陷的争论声，苹果已决定停止使用TLC NAND闪存技术。
日前，一名开发者Matthias Gasser 编写一个名为 IOKITBroswer 的软件，可以让用户在不越狱的情况下，下载并使用软件来检查自己的设备有否使用TLC闪存。只要在
将 IOKITBroswer 「下载」到自己的 iOS 设备中，就可以使用，并不需要越狱，只要使用 iOS 内置的浏览器Safari下载该应用后，按照以下指示步骤一步步操作即可得到答案。
一、基础知识普及
TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍，是MLC存储器的1.5倍。最重要的是，TLC闪存更实惠。然而，它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。简单来说TLC就是一种成本上更加廉价，读写性能更差，耐用性更差的闪存类型。
有消息称，128GB版本使用TLC闪存的概率是很高的，64G的概率则是一般，16GB目前很少。
二、查看iPhone6是否用TLC问题晶片的操作步骤如下：
，或者扫一扫以下二维码
点按【点击安装】
点击【安装】
返回主屏幕，点击应用【IOKitBroswer】
点击【信任】
打开应用后，界面如下图所示，注意，由于不同机型，这里显示的「NXXAP」会不一样，点击它就是了。
点击【AppleARMPE】
点击【arm-io】
点击【AppleT7000IO】
点击【ans】
共2页: 跳转到页
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引用功能被关闭了。
首先普及几个闪存芯片相关的名词解释：SLC = Single-Level Cell ，即 1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约 MLC 3 倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即 2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约 3000---10000 次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即 3bit/cell，也有 Flash 厂家叫 8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约 500 次擦写寿命以前，苹果在 iOS 设备里用的都是 MLC 闪存，但 iPhone 6/6 Plus/iPad Air 2/iPad mini 3 开始，有些设备开始用 TLC 闪存芯片。然后爆出用 TLC 闪存芯片的 iPhone 读写大文件时更容易重启（不过我一中招的同事用得好好的没死机过）。用你的苹果 iPhone、iPad 访问这个网址 ，点击里面的按钮下载一个小应用 …… 不经过 App Store，但非越狱手机照样能安装。打开就会看到内存检测结果了。如上图所示，我这台 iPhone 6 用的是 MLC 的闪存芯片，万幸没中招。如果你正在用电脑看本文，拿 iPhone 扫描下面这个二维码也能下载那个检测闪存芯片的应用（没装二维码扫描 App？用微信！）
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水果6，最好不建议现在买，等等吧，6的毛病很多，容易弯，用廉价内存，IOS8系统又不稳定，可以说，现在买机器就自己掏钱帮厂家测试产品呢，等春节后在考虑吧，现在买回来，除了面子上好看，用着谁知道闹心不。土豪不用考虑我说的。
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TLC内存主要存在128GB版本，但是部分64GB版本也逃不过这个命运，建议你可以使用下面的方法进行检测：.cn/q/874410.html
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苹果iPhone 6 Plus（国际版/双4G）
苹果iPhone 6 Plus（移动4G）
苹果 iPhone 6 Plus（移动4G）
苹果 iPhone 6 Plus（全网通）
苹果 iPhone 6 Plus（国际版/双4G）
苹果 iPhone 6 Plus（移动4G）
苹果 iPhone 6 Plus（全网通）
苹果 iPhone 6 Plus（国际版/双4G）
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SLC、MLC、TLC在寿命、速度、稳定性上的区别，被某些闪存芯片厂家和国内硬件论坛那些一知半解的「发烧友」们极度夸大了。很多数据都是实验性、参考性的，还有技术发展早期时遗留下来的。一旦进入大规模成熟商用阶段，就意味着技术缺陷和性能差距基本都已经解决了，至少实际使用起来不会什么差别。然而这些早期和实验性数据被人别有用心地拿来互相攻击，有的是厂商为了诋毁对手，有的则是用户之间互相在找廉价的优越感。几乎所有的参数问题，都会随着制程、工艺、主控等进步而得到解决。比如所有人最关心的SLC寿命长，TLC寿命短这个问题，「TLC寿命只有500~1000次」只是凭经验和一些内部算法推演出来的，根本没有经过实际验证。如果按照这种算法，256GB的SSD硬盘只要写入不到200TB就完了，但经过压力测试之后，绝大多数SSD的寿命都远超这个数字。比如，用MWI（损耗均衡计数）推算出不同SSD的理论最大写入量，然后实际测试，结果见下图：中间那个最高的是三星830（MLC芯片），容量256GB，推算出最大写入寿命是828TB，但人家寿终正寝前不眠不休地连续写入了6300多TB！右侧的三星840（TLC）在超过理论寿命数倍后仍然能正常使用，其余几块SSD也大体如此。中间那个最高的是三星830（MLC芯片），容量256GB，推算出最大写入寿命是828TB，但人家寿终正寝前不眠不休地连续写入了6300多TB！右侧的三星840（TLC）在超过理论寿命数倍后仍然能正常使用，其余几块SSD也大体如此。这个帖子发表在两年前，当时市面上MLC和SLC正打得火热，TLC刚刚暂露头角。现在嘲讽TLC的那些话，都曾经在MLC身上出现过。如今MLC早已成为市场主流，TLC也正在快速崛起，占领整个市场已经是不可逆转的趋势了。苹果为什么选用TLC？一是TLC在同样制程和容量下有更小的体积，十分适合手机；二是TLC以往的缺陷如寿命、速度、功耗等等，都随着工艺、主控等技术的改进而得到了解决，不亚于甚至超过了早期的SLC。这种情形下，拿一个闪存芯片架构找哪门子优越感呢？题外话：国内许多硬件数码论坛的气氛是我极度鄙视的：枪文横行且不说，许多人原本就对软硬件一知半解，又唯恐被别人认为无知，就拿着东拼西凑和厂家炒作的一些二手概念当真理，到处抨击嘲讽其他品牌的用户，以此获得优越感。碰到土豪就跪舔，看见真技术大牛就不明觉厉，遇到新手求助就大言不惭地指点江山，拿黑话当内行，骂低级枪文，被高级枪文牵着鼻子走，这就是所谓的硬件屌丝吧。
这种问题就应该作为造谣举报好吗！谁说的苹果用TLC了有证据就拿出数据说话行吗？？？Phone 6 Plus采用的海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片这块记忆体属于iPhone 6 Plus专属型号，所以外界对它的分析比较少。不过笔者还是在Techinsight网站上找到了它的详细数据：16nm制程，MLC存储单元。这项资料基于扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等设备的观测结果给出，可以算是相当权威了。海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片采用MLC存储单元由此我们认为，报道对iPhone 6 Plus的描述是完全失实的，其存储芯片采用的并非三层单元（TLC），而是多层单元（MLC），与iPhone 5s所采用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。然后，苹果要为了这个大面积召回iPhone 6 Plus？我读书少不要骗我……以上引用产品家文章，回头用电脑补引用链接，另外国外相关数据也有拆解和扫描的，我回头一起补了，手机实在做不了这么复杂的工作推广TLC最狠的三星前不久刚整了一次掉速门，苹果对技术的保守和可靠度的要求是出了名的，这东西可靠性根本不可能值得苹果冒这么大风险去使用。这造谣完全站不住脚啊。好吧，好像新闻已经辟谣了。
闪存最开始的制式是SLC，只记录一位（bit）的电平，比如0V就代表0， 5V就代表1，这是最稳定的，相当于你在高速路上开车，每个路口都只有两个方向，无需太多选择，但是这样的话每个单元只能记录一个bit的信息，太浪费，所以早期的MP3播放器贵就是因为闪存贵，比主控都贵！到后来，技术的发展，厂家开始生产MLC，每个单元能记录2位的信息（2bit），也就是4个电平，原来的5V要被分成4份来对应不同的信息，MLC逐渐取代SLC，这样一直挺到10年左右，那时候MLC的技术已经十分成熟了，而且随着闪存制式的推进，也越来越廉价，但是，商人的本质就是为了更多的利润，于是，以三星、东芝为代表的厂家开始研究TLC，也就是每个单元记录8个电平！初期推出的产品简直是灾难性，由于每单位记录八个电平，写入速度大大降低，这很好理解，因为对电平重置的过程比SLC复杂太多，而且电平之间的间隔太小，出错纠错过程漫长，而且一系列擦写过程会造成不可逆的物理损伤，当时一度流行于华强北的黑作坊，没啥的，就是便宜，充斥于山寨mp3和黑U盘里，那些贪图便宜的人叫苦不迭，因为实在是太不成熟，从理论上来讲就很坑爹。技术是进步的，局面慢慢的转变，到11年的时候，TLC开始大量铺货，金士顿和国产台电为代表的存储厂家已经开始在中低端全面使用TLC，具体表现为，写入速度极低，而且用久了会掉速，也就是那时候，金士顿开始有了黑心厂家之说，而且金士顿之流的技术之粗糙不忍直视，TLC在2012年已经足够成熟了，但是金士顿为了省钱，从主控到晶圆全部是渣货，你想想，U盘里重要资料突然有一天打不开，而且乱码，那就纯杯具了，据我所知，现在还有厂家生产MLC 盘，但是价格略贵，我个人是在淘宝上买了个主控盘，再淘了两个8g的slc flash，自己焊了一个U盘，（淘宝有风险，下单需谨慎）写入贼快，3.0速度轻松达到150m/s写入，最重要的是，终于不用担心数据丢失了。再说回来，TLC虽然已经成熟，相对于自身缺陷来说，读取的话和SLC没任何区别，只是写入太坑爹，大概只能是MLC的一半，接下来是重头大戏，三星推出了著名的840EVO系列固态硬盘，绝对是牛逼！通过自己牛逼的主控+牛逼的硬件设计，成功的将TLC用于固态硬盘，而且返修率极低，这说明 TLC的确是代表着未来。你想想，原本一个单元只能记录1bit，现在可以记录3bit，这就是科技的发展在11年以前，手机厂商都老老实实的用MLC，但是坑爹了，这时候TLC内存卡开始全面进击了，便宜又容量大，首当其冲的便是安卓手机，为了显示自己“大方”，很多手机厂商开放了外接存储卡，殊不知那些消费者插的都是tlc内存卡啊啊啊，安卓的卡顿功劳，TLC绝对有很大一份，数据莫名丢失，应用打开迟滞，尤其是拍照这种快写入的操作，直接会导致死机！！！这也是谷歌一直不倡导的开放存储接口的做法，不是黑心，是为了你们好，如今某米64g对比16g已经是良心价了，某锤32g只比16g多出100元，苹果为什么不开放存储接口，这是很大的原因。2012年，很多手机厂商都没了节操，包括三星，呸！居然始作俑者开始在旗舰机上用TLC，what‘s the fuck！！！三星字库门是什么原因，三星手机卡顿是什么原因！！！三星手机打开重启是什么原因！！！TLC商用到手机还有一段距离，就为了省掉那几块钱，三星开始丧心病狂的使用TLC！！！一直到note3才有所收敛，山寨机就不说了，大部分用的是TLC的emmc，4g rom，一想到整个操作系统活在这么憋屈的闪存上，我就提心吊胆。为什么苹果会用到TLC，这是一个很值得深思的问题，闪存芯片通常封装无比巨大，直逼CPU，早期制程落后的时候，iphone的拆机里，最大的芯片就是闪存，去年某族上马128gb版本，结果发现封装比一般的闪存要大，据说改了内部设计才勉强塞进去，ipad空间大，留了两个焊盘，16g短缺，苹果就用两个8g，现在制程进步了，32g最成熟，于是64g的版本就用两个32g，但是128g呢，iphone可能只留了一个焊盘，就算留了两个焊盘，2个64gb，那成本苹果多心疼啊，于是一咬牙一跺脚，含泪上了TLC，最不差钱的那些用户彻底坑爹了，哈哈哈你造三星是怎么解决TLC固态硬盘的吗，三星用价值不菲的内存条来做缓存，对于零碎文件来说，写入速度丝毫不亚于MLC，可以假装写得很快，但是一到连续写入就暴露了，这也是三星最聪明的地方，用户的日常操作大多是零碎写入和读取，读取的话，TLC没有缺陷，哈哈哈苹果这个硬件缺陷，应该可以通过修改flash主控算法来实现，到时候可以对比一下，128gb的和其他版本的固件可能不同
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