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N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关应用而设计的如高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等
低栅电荷(典型的52nC)
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道N沟道的电源一般接在D,输出SP沟道的电源一般接在S,输出D
漏源击穿电壓:600V
温度系数:0.7V/℃
栅极阈值电压:2.0V
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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