种类：绝緣栅（MOSFET）

 它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件MOSFET共有三个脚，一般为G(栅极)、S(源极)及D(漏极)通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。

 功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。

自1976年开发出功率MOSFET以来由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：

如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善并开发出各种贴片式功率MOSFET，另外价格也不断降低，使应用越来越广泛不少地方取代双极型晶体管。

三极管基极与发射极间内阻较小并且基极电流与集电极电流有对应关系，所以说三极管是电流控制元件场效应管击穿问题在控制端与漏极源极间电阻很大，几乎无电流而靠控制极上施加的电压大小引起漏源极间电流发生变化，所以说场效应管击穿问题是电压控制元件

功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：

1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是電流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级电路较简单；

 2．输入阻抗高，可达108Ω以上；

 3．工作频率范围宽开关速度高(开关时间為几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；

4．有较优良的线性区并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小最合适制作Hi-Fi音响；

 5．功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻

MOSFET主要性能指标：电流、电压、内阻

  开关电源、逆變器、安定器、电焊机

  电动车控制板、手机充电器、汽车功放等

深圳市华晶微电子有限公司（简称“华晶微”）原成立于2005年，现转为一般納税人企业变更名称为深圳市华晶微电子有限公司位于广东省深圳市宝安区。是一家专业半导体代理企业本公司主营产品：电源IC，肖特基场效应管击穿问题 快恢复二极管等。公司一贯坚持“质量用户至上，优质服务信守合同”的宗旨，凭借着高质量的产品良好嘚信誉，优质的服务产品畅销华南地区，华东地区等区域竭诚与国内知名电源企业家双赢合作，共同发展共创辉煌！

• 类型:绝缘栅型场效应管击穿问题/MOS场效应管击穿问题