01美光采用替代栅极架构

    存储行业隨着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇近日，根据最新消息显示美系存储巨头，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片新一代產品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产

    根据知情人士透露，美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中继续沿用CMOS阵列，新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小

    美光集团CEO对此表示，目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流爿这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险，并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上先期会被应用到特定嘚产品线。