逆变器尖峰吸收电路路是什么意思啊

开关电源尖峰吸收电路 反峰高压都是泄放到前级电源了吗?会否对前级电源造成不利影响|电子学堂 - 数码之家
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如题,我在看《小家电维修从入门到精通》第2版&&这本书,孙立群 鲍显会 著作,人民邮电出版社出版,ISBN 978-7-115-27466-3看书过程中遇到不懂的地方,特来向各位老师请教! 我不理解&&&&&&
开关电源中&&尖峰吸收电路 反峰高压&&都是泄放到前级电源了吗?&&会否对前级电源造成不利影响?书中137页写有 :二极管VD7是泄放二极管,它的作用是在激励三极管VT4截止瞬间,将继电器K3的线圈产生的尖峰电压泄放到12V电源,以免激励三极管VT4过压损坏书中138页写有 :二极管VD5、VD6是泄放二极管,它的作用是在VT2、VT3截止瞬间,将K1、K2的线圈产生的尖峰电压泄放到12V电源,以免VT2、VT3过压损坏&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 感谢各位老师的指点![attachment=4932645]&& 我在看《开关电源维修技能实训》(精编教学版) 这本书时,&&书上也写有: 在开关管截止时,二极管1D5正偏导通,将开关变压器5-6绕组中的反向电动势释放,防止反峰高压将开关管击穿,保护开关管反峰高压有几千伏,&& 在开关管截止时,几千伏的反峰高压都泄放到310V供电电压了吗? 会否对前级电源造成不利影响?&& 感谢各位老师的指点![attachment=4932805]&&&& [attachment=4932806]&&[attachment=4932960]
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撸主再继续深入研究
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把泄放换成钳位就好理解了。导通时12V电源通过继电器K3到VT4的C级,截止时产生的尖峰电压通过VD7导通,K3两端电压被控制在0.7V以内,对前级12V电源没有影响
作为电容,1C7本身就具有脉冲电流吸收能力只要容量选择合适,就可以把反峰压限制在安全范围内
“反峰高压有几千伏”指的是没有吸收电路时最高的电压峰值,有吸收电路后实际上几十V百多V。反激电源的工作方式是开关管先导通,电感储能。开关管关闭,电感从次级释放能量,开关管承受电源电压加上感应电压(次级电压*初次级匝数比)的电压再加上漏感产生的尖峰电压。初次级是不可能完全耦合的,所以这个漏感一定存在,可以看成串联在初级的小电感。根据关断的快慢和离散电容的大小,这个漏感可以产生最高过千V的电压。你有时候会看到山寨手机电源是没有这个吸收电路,是因为工作频率低关断速度慢,加上线圈间的分布电容吸收了。吸收电路主要就是吸收这个漏感产生的尖峰电压。吸收的能量被电阻消耗掉了,进不去前级电源。你需要再多了解电感的知识
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开关电源的吸收回路你真的懂了吗? 珍藏版-值得一看
红线圈起的电阻为I C的高压启动电阻,电阻阻值的选择由IC特性决定。
蓝线圈起的部分为RCD箝位电路(也称为关断缓冲电路)。此部分电路主要用于限制MOS关断时高频变压器漏感的能量引起的尖峰电压和次级线圈反射电压的叠加,叠加的电压产生在MOS管由饱和转向关断的过程中,漏感中的能量通过D向C充电,C上的电压可能冲到反电动势与漏感电压的叠加值,即:Vrest+ ΔVpp。
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C的作用则是将该部分的能量吸收掉,其容量由下式决定:
&&C=(Le×Isc^2)/[( Vrest+ ΔVpp )^2- Vrest^2]
这里的, Le:漏感,单端反激一般为40~100uH,低于40uH可不考虑,一般取50uH计算;
& && &&&Vrest:反电动势;2*n*Vout
& && &ΔVpp:漏感电动势的峰值;8%*Vrest
& && &Isc:短路保护时变压器初级线圈流过的最大电流。Ipk^2
RCD电路电阻、二极管的计算
& &在变压器下半周期由截至变为导通时,C上的能量经R来释放,直到C上的电压将到下次MOS管关断之前的反电动势Vrest,在放电的过程中,漏感电动势ΔVpp是不变的,通过放电常数R、C和变压器关断时间的关系,可以求得R的值,可以按周期T的63%计算:
R×C=0.63T×( Vrest+ ΔVpp )/ ΔVpp
注释:T=1/f& &f:为变压器的工作频率。
R=0.63 ( Vrest+ ΔVpp )/ (ΔVpp ×f ×C)
其功耗为:P= Le×Isc2×f/2
由于D和C上都有能量消耗,而且放电时间可能要短,所以该电阻的实际功耗可按计算值的一半考虑。
P(实际)=P(计算值)/2
关于D的取值
耐压值要超过叠加值的10%。
电流要大于输入电流平均值的10%
同行工程师经验总结:
1、D要选慢速的,对EMI好;
2.电容选的越大,电压尖峰越小,也就是RCD吸收的漏感能量越大;
3.R应该取值较小才好,R越小,电容放电越快,下个周期时就能吸收更多的能量。
4.C选大,R选小,吸收能力较强,且震荡的周期变长,也就是频率降低,EMI较好,
但损耗也会较大,故要折中选取。
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吸收回路用103(0.01UF)电容:的确有点大。多用102(1000P)到222(2200P)的电容。
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