您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
CMOS电路汇编.ppt 20页
本文档一共被下载：
次 ,您可全文免费在线阅读后下载本文档。
下载提示
1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。
2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。
3.登录后可充值，立即自动返金币，充值渠道很便利
你可能关注的文档：
五、 CMOS 电路 （一）、CMOS反相器工作原理 CMOS 电路的结构特点是： 一个N沟道管和一个P沟道管配 对使用，即N、P互补（Comp- lementary）。 P管作负载管，N管作输入管， 两管栅极接在一起。 注意：P沟的开启电压是负值 栅极电压要低于源极。 两管导通时的电阻较小为RON 两管截止时的电阻很大为ROFF 当输入电压VI为低电平时，VI 0 P管导通，N管截止，输出电压V0为： ROFF V0
—————— VDD ?
VDD ROFF + RON 当输入电压VI为高电平时，VI VDD P管截止，N管导通，输出电压V0为： RON V0
—————— VDD ?
0 V ROFF + RON 与 E/E MOS 反相器相比，输出高电平
且总 有一个管子是截止的（稳态），工作电流极小，功耗极 低。 （二）、CMOS反相器的电压、电流传输特性 电压传输特性是指输入电压与输出电压之间的关系。 首先由CMOS反相器电路，我们先确定VI、VO与两个管 子极电压之间的关系： 对N管 VGSN VI VDSN VO 对P管 VGSP VI — VDD
VO — VDD 对N沟输入管，我们关心VI在两个转折点的情况： 第一点
截止或导通 标志点在于 VGS th N 第二点
饱和或非饱和 标志点在于： VGSN — VGS th N
VDSN 由于VGSN VI 所以可改写为： VI — VGS th N
VO VDSN VO VI
VO + VGS th N 因此，由上述两个标志点，可将VI变化分为三个区间： 0 VGS th N VO + VGS th N VDD
同理，对P沟负载管，我们关心VI在两个转折点的情况： 第一点
截止或导通 标志点在于 VDD+ VGS th P 第二点
饱和或非饱和 标志点在于： VGSP — VGS th P
VDSP 由于VGSP VI — VDD VDSP
VO — VDD 可改写为： VI — VDD — VGS th P VO — VDD VI
VO + VGS th P
由上述两个标志点，可将VI变化分为三个区间：
0 VO + VGS th P VDD+ VGS th P VDD ? ? 我们可将VI从0到VDD的全程划分为六个刻度，序号如图 注意：N管和P管的开启电压分别为正值和负值。 至此，我们综合两管的转换标志点，将输入范围分 成六个刻度，五个区间，在每个区间两管有明确的工作 状态，它们对输出产生直接的影响。
见表4-5-1 CMOS反相器电压传输特性 电流传输特性 CMOS反相器的特点： （1）静态功耗极低 （2）抗干扰能力强 Vth
VDD / 2 阈值电压处于电源电压1/2 （3）电源利用率高 VOH
VDD 且电源范围较宽。一般3-18V （4）输入阻抗高，负载能力强。 （5）由于输出阻抗较高，故工作速度较慢。 （三）、CMOS反相器的其他特性（自学） 主要内容： 输入特性：由于输入阻抗极高，输入特性其实是输 入保护二极管的特性。 输出特性： 输入为高电平时，输出为低，N管导通，P管截止。 输出特性其实就是N沟道管的漏极特性曲线。 输入为低电平时，输出为高，N管截止，P管导通。 输出特性其实就是P沟道管的漏极特性曲线，但要注意 VSDP与输出V0互补的，且有一个直流差VDD。 （四）、电源特性
（自学） （五）、CMOS传输门
（模拟开关） 传输门是一种可控制通断的门电路，理想的传输门在开通时，可以使信号不失真地通过门电路，而且是双向的；关闭时，门的两边是阻断的，没有通路。 CMOS传输门是由P沟道和N沟道增强型MOS管并联 构成的（反相器是串联构成的）。 当然实际传输门的导通 时有1K左右的电阻，截止时电阻为 109 ?。 电路如图： 衬底反偏 衬底反偏 假设VI在0 ~ 5V之间变化，N管P管的开启电 压分别为+1V和
1V。 ? C 0V，C +5V时，两管均截止。 ? C +5V
时，VI 0 ~ +4V区间，TN导通。 VI 1 ~ +5V区间，TP导通。
（六）、CMOS逻辑门电路1、CMOS与非门、或非门 上述两种CMOS门的缺点输出电阻不定：并联全通电阻为 1/2RON，串联全通为2RON，相差四倍。可改为： A B A + B A + B AB A + B 2、三态输出CMOS门在普通门电路的基础上，增加使能控制电路。 3、漏极开路输出门（与TTL的OC门类似） （七）、CMOS电路的锁定效应 由于CMOS电路同时使用N沟道和P沟道，在制作上产生了一个问题，就是附带
正在加载中，请稍后...在电子工程世界为您找到如下关于“CMOS电路”的新闻
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展...
CMOS电路逻辑测试仪电路图...
更大、更低阻抗的ESD电流，且ESD电流泄放更均匀。在亚微米CMOS IC中，VDD-VSS直接的GGNMOS大管可能不足以耐较高的ESD电压，该结构更有利于ESD性能的提升，同时其版图设计面积也更大。只有在亚微米以下的CMOS电路的设计中，才需要考虑。
5 全芯片ESD保护结构的设计
　　如要进一步优化电路的抗ESD性能，需要从全芯片ESD保护结构的设计来进行考虑...
　　ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，而外围的使用环境并未改变，因此ESD的失效问题面临越来越严峻的考验，在亚微米CMOS IC中，通常做L...
0 引言随着集成技术的迅猛发展，体积小巧的便携通信设备有了更加广阔的市场前景。但是对于应用于这些便携式设备中的音频功率放大器芯片则有更加严格的要求。便携式设备体积小，由电池供电，所以要求音频功率放大器芯片有尽可能少的外围设备，尽量低的功耗。此外，对于通信设备而言，在频率217 Hz时会产生CDMA噪声，所以音频功率放大器必须也有较强的电源抑制比(PSRR)。本文中的音频功率放大...
了7个管子和1个反相器，占用面积小，用PSpice进行了晶体管级模拟，实验结果表明了测试电路的有效性。关键词：IDDQ测试；测试方法；电流检测；CMOS电路0 引言&&& 测试CMOS电路的方法有很多种，测试逻辑故障的一般方法是采用逻辑响应测试，即通常所说的功能测试。功能测试可诊断出逻辑错误，但不能检查出晶体管常开故障、晶体管常闭故障、晶体管栅氧化层短路...
　　测试CMOS电路的方法有很多种，测试逻辑故障的一般方法是采用逻辑响应测试，即通常所说的功能测试。功能测试可诊断出逻辑错误，但不能检查出晶体管常开故障、晶体管常闭故障、晶体管栅氧化层短路，互连桥短路等物理缺陷引发的故障，这些缺陷并不会立即影响电路的逻辑功能，通常要在器件工作一段时间后才会影响其逻辑功能。
　　功能测试是基于逻辑电平的故障检测，通过测量原始输出...
&&&&& 传统的硅电路虽然速度飞快，但是因为CMOS晶圆制程的温度很高，所以不能放置在软性聚合物基板上。市面上虽有能将电子元件以低温印刷到软性基板上的硅墨水以及有机电路，但速度总是比不上CMOS。现在，有研究人员声称解决了这个问题，发明了一种能结合CMOS电路与软性基板的方法。
&&&nbsp...
CMOS电路资料下载
CMOS电路与TTL电路的连接...
response to growing customer demand for enhanced performance and functionality at reduced cost, a new process technology generation has been introduced by the semiconductor industry every two to...
CMOS电路与子系统设计...
DS90LV028A...
processes and novel circuittechniques.The design of the clock and data recovery (CDR) circuit is the mostchallenging part of building a high-speed optical transceiver because ofthe complexity of this block....
仪器漏电引起的CMOS电路闩锁...
保护CMOS电路不受电源过压影响...
74HC系列CMOS电路的数据手册大全，电子工程师必备。...
本书是cmos集成电路设计领域的一部力作，是作者20多年教学和研究成果的总结，内容涵盖电路设计流程、eda软件、工艺集成、器件、模型、数字和模拟集成电路设计等诸多方面，由基础到前沿，由浅入深,结构合理，特色鲜明。...
本文研究了在CMOS 工艺中I/O 电路的 ESD 保护结构设计以及相关版图的要求，其中重点讨论了PAD 到VSS 电流通路的建立。关键词：ESD 保护电路，ESD 设计窗口，ESD 电流通路Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD...
CMOS电路相关帖子
CMOS电路视频
你可能感兴趣的标签
热门资源推荐当前位置： >>
CMOS电路分析
主板 CMOS 供电电路分析CMOS 报错在使用过几年的主板中是一较常见的故障现象，产生这种现象的 原因是多种多样的，这里我们只针对 CMOS 供电电路引起的一些故障现象进行分 析讨论，并通过一些实验数据总结出一些规律性的东西供大家参考。一， CMOS 供电电路的工作原理及特点 1, 供电电路特点CMOS 电路存储信息需要一持续稳定的电源供电，目前使用 ATX 电源供电的 主板其电路原理大同小异，如图 1 当机器与交流 220V 市电接通时,ATX 电源通过 3.3VSB(STAND BY 供电电压无论计算机开机或关机,只要与交流 220V 市电接通, 电源将一直向主板供电) 由 R410-稳压管 D2-R62 向管脚 M1 供电,此时稳压管 D1 负极电压高于正极电压,故 D1 处于截止状态,主板电池无法向管脚 M1 供电，当 3.3VSB 无输出时, 稳压管 D1 处于导通状态, D2 处于截止状态,此时由主板电池 向管脚 M1 供电,由此可见， 当 3.3VSB 存在时， 主板电池处于不工作状态,与使用 AT 电源的主板相比,这种供电方式，大大延长了主板电池的使用寿命。2,CMOS 信息清除电路通过跳线将 JCC 2-3 短路，使 M1 强制变为低电平，达到清除 CMOS 的作用。3,电池电压监测当电池使用一端时间后， 电池电压开始下降，这时电压检测电路通过检测 R50 1K 电阻两端电压的变化，与设计值的电压值比较并做出判断报警。二，CMOS 供电电路的工作状态分析 1，供电电压的最低极限值是多少？CMOS 供电电路由 3.3VSB 电源供电时,M1 管脚电压可稳定在 3.2V,但使用电池供 电时,由于电池的电压随使用时间的长短等因素而变化 ,这样就存在一个电池的 最低极限值问题,我们通过实验,对几款不同主板的供电电压极限值进行了测1图 1 QDI 810E/W6 CMOS 供电部分电路原理图2二，CMOS 供电电路的工作状态分析试, 测试结果如下表:主板型号临 界 工 作 低于临界电 低于临界电压时 电压 电流 压时 CMOS CMOS 设置保存 时钟状况 状况 正常备注MS61370.75V15uA慢当电压降至 0.5V 时 CMOS 设置仍 能保存,但时钟 变慢QDISIS5301.4V7uA慢正常当 电 压 降 至 1V 时 CMOS 设置仍 能保存,但时钟 变慢QDIP6I810 E1V8uA慢正常当电压降至 0.5V 时 CMOS 设置仍 能保存,但时钟 变慢GA-6BXE1.5V( cmos 已 设 置)2uA不详正常CMOS 设置中已将 临界电压设置成 1.5V, 低 于 此 电 压主板将通过声 音报警通过测试可以看出，维持 CMOS 电路工作的电流非常小，通常在 10uA 左 右，这也就是为什麽电池拿掉几个小时以后，COMS 仍不能被请除的原因，回路 中电容的残留电量就足以将设置保持数小时。 但设置没有丢失并不意味着 CMOS 电路工作正常，实验表明，超过临界电 压后，系统时钟开始变慢，电压越低，时钟越慢，通常系统时钟变慢的临界电压3与 CMOS 检测电路报警时的电压，有一定的差距，对于那些对系统时间要求较 高的用户最好采用 CMOS 中能设置临界电压 BIOS ，以提高系统的安全性与可 靠性。2，CMOS 电池的放电特性下图是电池的负载放电特性与不同温度下的放电特性：从图中我们可以看到电池的使用寿命与负载的大小、环境温度等因素有很 大的关系， 另外电池寿命的最后一段曲线呈现出较大的下滑趋势，这一段时间也 是系统最不稳定的时期， 如能在曲线下滑开始阶段自动检测出这一状态并及时报 警，将有助于提高系统的可靠性。3，电池的使用寿命460℃ 120 日贮存后放电特性曲线电池的使用寿命与主板的电路设计有关，从实验数据可以看出，不同的主 板的 CMOS 电路工作电流是不相同的，对使用 ATX 电源的主板，电池工作时间与 机器的加电使用时间成反比，我们对两款 96 年开始使用的 FX，VX 芯片组主板 CMOS 方面的故障进行了统计，从中可以得到电池使用寿命的一些数据： 统计时间范围： 年主板型号维修数量与 CMOS 相 CMOS 故 障 关 故 障 数 与维修数量 量 百分比 11 521 3% 8%备注QDIP5I437/250 288 A QDIP5I430VX/2 6521 50两款主板均使 用 AT 电源。注：两款主板 CMOS 工作电流均为 5uA。 统计表明 CMOS 故障在维修总量的 10%以内，而电池故障只占其中一部份， 与生产用量相比比率会更小， 主板设计时， 设计人员通过电池的放电特性与 CMOS 供电电路的负载情况对电池的使用寿命进行计算，以 QDIP6I810E 为例：电池容 量：220MAH，CMOS 电路工作电流：0.008MA，理论工作寿命：220/0.008=27500 小时=3.14 年，因此在正常情况下，主板电池在保修期内不应出现问题，特别是 使用 ATX 电源的主板，其电池使用寿命应高于使用 AT 电源的主板。5
仿真结果分析表明所设计的电路符合预期的设计要求和设计指标,也 验证了设计的两级CMOS运算放大器的可靠性和可行性。 关键词:CMOS;运算放大器;PSpice仿真;小信号放大...毕业论文题目: Bi-CMOS 集成运算放大器的电路分析及版图设计 摘 要 集成运算放大器是一种重要电子元器件,在电子产品中得到广泛应用 ,可作为 误差放大器、比较器...发表于:2010 年 01 月 04 日【题目 12】:怎样分析各种 TTL 和 CMOS 集成门电路的逻辑功能? 【相关知识】:TTL 与非门和复合 TTL 逻辑门、CMOS 反相器、传输...中国CMOS电路行业发展研究报告_纺织/轻工业_工程科技_专业资料。中国 CMOS 电路行业发展研究报告 编制机构:千讯(北京)信息咨询有限公司 千讯(北京)信息咨询有限公司 ...CMOS运算放大器的分析及设计毕业设计论文 - 兰州交通大学毕业设计(论文) 摘要 随着集成电路工艺的发展, CMOS电路由于其低成本、 低功耗以及速度的不断提高, 在集成...几种电脑 CMOS 保存电路原理及故障分析
12:03 说道 CMOS 设置的保存, 有人以为它保存在主板的 BIOS 芯片中,这实际上是个错 误观念,追究其原因多...CMOS电路的一般特性_计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料。电源电压 CMOS4000 系列...2014教师资格材料分析辅... 2014小学教师资格考试《... 2014年幼儿园教师资格...CMOS集成电路的工作原理 - CMOS 集成电路的工作原理 下面我们通过 CMOS 集成电路中的一个最基本电路-反相器(其他复杂的 CMOS 集成电路大多 是由反相器单元组合而...CMOS集成电路的特点_计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料。CMOS 集成电路的特点 ? 功耗低 CMOS 集成电路采用场效应管,且都是互补结构,工作时两个串联的场效应管...专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案_其它_高等教育_教育专区。专升本《CMOS 模拟集成电路分析与设计》 一、 (共 75 题,共 150 分) 1. Gordon ...
All rights reserved Powered by
www.tceic.com
copyright &copyright 。文档资料库内容来自网络，如有侵犯请联系客服。与ADI工程师一起随IEEE大咖玩穿越——CMOS电路的过去、当下与未来
今天上午，一场时空畸变，
在ADI北京的会议室发生！
数十位ADI工程师，
随IEEE大咖Jan Van der Spiegel教授穿越，
——到晶体管发明的1947
——到CMOS电路首次出现的1963
——到距今数年之后的2025
与ADI的小伙伴一起，
随大咖在科技的世界天马行空，
探寻CMOS集成电路的过去与未来吧……
ADI工程师们齐聚北京办会议室，
聆听到访大咖的讲座。
这位大咖在电子界享负盛名，
他就是Jan Van der Spiegel教授！
Jan Van der Spiegel ／杨 · 范德斯宾格尔
宾夕法尼亚大学电气与系统工程系教授
前任系主任（年）
工程与应用科学学院副院长（）
IEEE SSCS (国际电气与电子工程师学会固态电路协会)主席
IEEE终身会士
Jan Van der Spiegel教授分别于1971年、1974年、1979年在比利时鲁汶大学获得学士学位、机电工程硕士学位以及电气工程的博士学位。
Jan Van der Spiegel教授的主要研究兴趣是数模混合的VLSI设计，用于偏振成像的CMOS视觉传感器，基于生物学的图像传感器和感觉信息处理系统，低功耗脑机接口和微传感器技术。他发表了180多篇杂志和会议论文，拥有4项专利。
Jan Van der Spiegel教授是IEEE Life Fellow。他在2007年获得了EAB重大教育创新奖。他曾被授予了IEEE第三届千禧杰出奖章、曾获得了UPS基金会杰出教育主席的称号。他因杰出的教育贡献被授予基督教和玛丽琳德基金会奖章以及S. Reid Warren奖章和总统青年研究员奖。
Jan Van der Spiegel教授是现任IEEE固态电路学会主席，并在多个IEEE组委会（IEDM，ICCD，ISCAS和ISSCC）和学术期刊杂志任职。他曾担任2007年国际固态电路会议（ISSCC 2007）的技术委员会主席。他是Phi Beta Delta和Tau Beta Pi的成员。
曾经的学霸们重归课堂，
学生时代的记忆涌上心头，
而站在讲台上的Jan Van der Spiegel教授，
不仅让大家唤醒了回忆，
甚至还带领大家穿越到了发明晶体管的时代，
从头到尾回顾了半导体的发展历程。
世界上第一个晶体管
首个基于平面工艺的集成电路出现
CMOS电路首次出现
摩尔定律被提出
首个微处理器
芯片上集成的晶体管突破10亿
芯片上集成的晶体管已突破210亿
接着Jan Van der Spiegel教授为大家科普并讲解了
先进CMOS集成电路的结构与原理：
介绍克服CMOS局限性的方法：
然后带领大家穿越到未来，
展望下一波集成电路的应用浪潮：
再回归当下，
阐述未来半导体应用
带给电路设计师的挑战：
最后Jan Van der Spiegel教授表示：
过去70年集成电路改变了世界，
现在这种改变还在加速；
超越CMOS的器件和新技术正如朝阳之于地平线；
越发廉价、低耗的晶体管打开了崭新应用的大门；
那些能融贯多学科、掌握新技术的电路设计师们，
将继续扮演改变世界的关键角色，
他们有机会对生活和环境产生重大影响。
限于篇幅，Jan Van der Spiegel教授的讲座内容就分享到这里啦。欢迎大家在下方留言共同探讨集成电路的过去和未来。
责任编辑：
声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。
今日搜狐热点cmos电路，为什么输出是低电平？_百度知道
cmos电路，为什么输出是低电平？
我有更好的答案
不管非门输入什么，这个电路整体上构成了与门，显然根据布尔表达式：1&0＝0，所以输出低电平。
采纳率：85%
为您推荐：
其他类似问题
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。}