是光刻的而且是只针对投影式步进光刻的。 在stepper光刻机中reticle的图形被缩小投影到wafer表面，曝光wafer上的光刻胶reticle一般尺寸是5寸或者6寸，而缩小的倍率一般是4倍或者5倍最后得到嘚曝光范围是小于50mm的，一般是30mm左右见方而对于wafer，从2寸到12寸一次投影是不能完成整个面积的，必须要多次投影曝光才能覆盖整个wafer shot，指嘚就是一次投影曝光很形象的命名，就像照相机在照相的时候闪光灯flash一下 map，半导体是指什么领域常用于表示某种分布也是很形象的命名，用的很广泛 shot map，顾名思义多次投影曝光在wafer上的分布。不同的产品分布是不同的，甚至shot也是不同的所以需要综合考虑。

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