如何看固态硬盘颗粒
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如何看固态硬盘颗粒
固态硬盘有两大核心，其一是主控制器，还有就是固态硬盘颗粒。今天我们就来谈谈固态硬盘颗粒（NAND），这个占据了固态硬盘至少85%成本的原件。什么是NAND颗粒？(SSD内部视图，不过大家没事千万不要去拆自己的硬盘啊，奸商们都是把质保贴贴在螺丝处，自己动手拆了就没保修了，爱作死的以及土豪可以无视)NAND颗粒就是固态硬盘里负责容量存储和传输的介质（你平时的小电影和种子就直接是存在这里面的，是不是突然对它们肃然起敬？），是固态硬盘的核心材料。在SSD中并非只有一颗NAND颗粒，同一技术类型的每颗NAND颗粒都有其固定的容量，因此整个SSD的容量有多大就要看有多少个NAND颗粒以及这个颗粒的技术了。诚然，主控芯片是影响SSD性能的关键，而NAND颗粒也可以影响整体的性能，同时最直接的影响就是生产的成本以及使用寿命，所以这也就直接关系到我们的购买价格。NAND颗粒有几种类型？三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光是生产NAND颗粒的四大豪门厂商，而NAND颗粒类型共有三种：即SLC、MLC以及TLC了。（当然，从颗粒堆栈技术上来说还有2D 和3D之分，上期老司机已经为大家讲过了，不懂的请大家手动翻阅上期……）NAND颗粒是如何实现存储的？在了解NAND颗粒类型之前，我们先了解一下这个问题——NAND颗粒是如何实现存储的？如果要正儿八经来解释，这其实是一个十分复杂的过程，我们都知道，在电子世界里面所有数据都是以二进制的形式即0和1进行存储的，通过电压带电或者不带电形成不同的充电值储入存储器中形成数据，不同数量的充电值进入到存储单元，实现不同的数据表达。再简单点就是0和1不同的排列组合放入存储器单元形成数据。SLC、MLC、TLC三种存储方式：那我们下面来看SLC、MLC以及TLC这三种存储形式究竟是怎样的。特别提醒：SLC、MLC以及TLC三种存储形式晶体管以及单元大小都一样，不同的存储形式能让大小相同的晶体管组成的存储单元存储数量不同的数据。SLC：图为镁光SLC颗粒SLC的英文是Single-Level Cell ，单层单元，即1bit/cell，一个存储单元能存储1bit。存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，有点儿类似于开关电路，直接是通过带电或者不带电之分进行存储排列，虽然简单却非常稳定，而且还具有高速度和长寿命的特点，擦写寿命高达10万次。但是也有一个问题就是容量提升困难（由特别提醒可知），而且价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），因此这类颗粒仅仅在特殊领域以及超高端产品上使用。MLC：图为东芝MLC颗粒MLC的英文是Multi-Level Cell，多层单元，即2bit/cell，一个存储单元能存储2bit。存储原理上MLC架构可以一次储存4个充电值(00, 01, 10, 11)，因此拥有比较好的存储密度，速度比SLC逊色不少，擦写寿命约3000---10000次，但是价格要便宜许多，因此我们现用的SSD产品大部分都是采用了MLC颗粒，甚至一些企业级的SSD也使用了MLC颗粒。TLC：图为镁光TLC颗粒TLC的英文是Trinary-Level Cell，也有Flash厂家叫8LC，即3bit/cell，一个存储单元能存储3bit。存取原理上，TLC能一次性存储8个充点值(000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, and 111)，因此密度更高，但是读取速度要逊于MLC，当然成本更低。这也是一些入门级SSD价格比较便宜的原因。但是它也有个致命伤就是擦写寿命短，约500次，目前还没有厂家能做到1000次，因此对于采用了SLC闪存颗粒的SSD来说，主控芯片的担子就非常重了。（看这个图就一目了然了~~~）SLC、MLC、TLC三家适合的战场：简单地说SLC的性能最优，价格超高。一般作为企业级或高端发烧友专用。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC综合性能最低，价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。
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喜欢该文的人也喜欢SSD和内存涨价是什么造成的?会持续一年吗?
互联网 & 02-14 10:16:51 & 作者：佚名 &
内存闪存颗粒供货紧张导致价格逐步攀升，供货紧张的原因有两个，三星等颗粒大厂在转型生产3D NAND，现在正是青黄不接的时候。远了不好说，至少半年内看不到缓解的希望，详情我们一起来看看吧
最近发现很多小伙伴都在问SSD和内存涨价的事情，看来大家过年都没少收红包吖，蠢蠢欲动了～不过，这涨价涨得真有点心慌，让不少持币待购的人不知所措，尤其是这两天留言区的小伙伴好多都在追问小编，所以今天早上特意找到了相关厂商的业内人士问了问。为了避免广告嫌疑，小编就匿了他们的品牌啦。
1.问：SSD和内存涨价是什么造成的？
答：内存闪存颗粒供货紧张导致价格逐步攀升，供货紧张的原因有两个，三星等颗粒大厂在转型生产3D NAND，现在正是青黄不接的时候。另一个原因是智能手机对内存以及闪存颗粒的需求增速超出预期，特别是又赶上了三星手机召回这事。
小编注：科普一下，小伙伴要留意，SSD用的是NAND闪存，也叫非易失性内存；而内存则断电无法记忆，叫做易失性内存，这两种东西虽然都属于存储技术范畴，但本质还是有区别的（Intel新发布的闪腾除外）。
2.涨价的情况会持续一年吗？
答：远了不好说，至少半年内看不到缓解的希望。
3.如果有迫切的需求年内购买，你会给什么样的建议？比如何时买，怎么买？
答：如果是着急买还是趁早为宜，不耽误自己使用，也不用考虑亏了赚了。具体点说，SSD不要贪小图便宜，240GB的容量是起步好选择，120GB着实有点小了。当然如果实在舍不得，也可以考虑买个120GB容量的配合机械硬盘做混合硬盘使用；内存建议8GB起步，DDR4内存基本都是8GB单条为主。DDR3内存除非是升级所需，否则也建议购买8GB起步，4GB单条确实有些拖后腿了。
要给大家一个提示，也请务必告诉消费者，下单后就不要再看价格了！涨跌都与己无关，至少这一次涨价潮绝对不会重现2001年末一条SDRAM 128MB内存涨十倍的情况。
小编注：关于混合硬盘的使用方法，如果有需要小编可以日后提供。
4.TLC颗粒的SSD成为主流，擦写次数会成为一个大问题吗？
答：目前TLC的500～1000次指的是写入，并且是全盘容量，比如120GB的SSD写入60GB，这只算半次，而读取无论多少次都不算在内。
另外，小编认为与其关心TLC的寿命，不如关心厂商的质保政策和主控策略，比如金士顿的SSD在写入次数耗尽的时候会自动锁盘，避免已有的数据被破坏，同时盘内的数据依然可以读出。质保策略指的是，如果你把某些品牌的SSD写入次数用尽了，这个就不在保修范围内，而像金士顿则无论写入次数还有多少，只要其他方面符合质保条件都管保修。最后小编还想说，一般使用者一天的写入量，可能连10GB都够呛，所以这种杞人忧天的事情，大家还是不要想了。
5.DDR4规格内存的主流容量在2017年会变成8GB还是16GB？
答：DDR4单条会以8GB容量为主，在成本/价格没有下降到某个程度的时候不会过渡到16GB的。
这里小编也要建议大家如果预算紧张，可以考虑先购买单条8GB的存储，一方面是保证存储容量，同时性能损失也不大。等内存降价后，再补充一条8GB内存组成双通道，不仅容量翻倍，扩展方便，更重要的是组成双通道后性能还可以有进一步提升，可谓两不耽误。
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最近更新的内容懂行的朋友说说内存条颗粒多好还是少好?
笔记本内存条同样的容量，颗粒数量越多越好还是越少越好？问题详情：比如同样是8GB的海力士DDR4，双面8颗粒和双面16颗粒哪个好？推荐回答：这个和颗粒数量没有关系，无非就是工艺和容量的妥协，同样容量，颗粒少，代表工艺先进，集成度高，不过这个完全不影响性能，更何况内存还是容量重要些，所以可以无视，但是颗粒多也不是不好，颗粒多的内存兼容老机子的效果更好一点台式机内存条ddr3，ddr4区别？问题详情：为什么同样的4G或者8G内存条还分ddr③④这些，区别在哪里？一般家庭玩电脑打游戏之类的，哪个相对划算些。现在的话，家庭玩耍推荐买那种呢？谢谢。推荐回答：【概括而言，区别如下】：1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低【详细区别包括以下5方面】：一、频率和电压在频率方面，DDR4内存的工作频率将从2133MHz 起跳，最高甚至可以达到4266MHz。这个频率相比DDR3 内存有相当大的提升。在电压方面，DDR3 内存的工作电压为1.5V，而DDR4内存的工作电压将近一步的降低，预计最低可以做到1.2V。二、传输机制相对于DDR3，DDR4的一大改进就体现在信号传输机制上。它拥有两种规格:除了可支持Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)外，还引入了DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术。三、访问机制对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。点对点相当于一条主管道只对应一个水箱（这种机制的改变其实并不会对传输速度产生太大的影响，因为主管道的大小并没有改变），这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。四、封装技术DDR4内存采用3DS封装技术，3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。五、外观DDR3内存金手指是240个，内存金手指是平直的；而DDR4内存金手指是284个，内存金手指呈弯曲状。电脑内存条有股焦味，如何去除？问题详情：电脑内存条不知怎么发出焦味了，想要把焦味彻底去除，有什么好的办法？推荐回答：有烧焦气味是原因自己或别人安装时候装不好或者不牢固引发烧焦的，一般人说，无法用带气味的水来洗，只能用带味道的橡皮擦拭，一般无法处理干净，只能将一个布弄上一下气味的水，等布干了之后用布包住内存卡，请上面轻轻擦拭，用布包裹时间久比较好，最好旁边加些香包的，加深味道，把烧焦气味盖上，希望这样帮得到你，电脑加装内存条？问题详情：我的我的电脑是ThinkPadE430c，内存2G.今天加装一条4G内存条。加装前显示可用内存1.59G，加装后显示可用内存2.36G。这个是怎么回事啊？小白一枚，求大神指点迷津。感谢感谢。推荐回答：看了楼下的评论，都挺专业的，我说点通俗易懂的吧，其实，现在市场的内存条说是2G或者4G或者8G，其实实际内存也都达不到这个指标，一般内存误差是在200M-500M之间，这是一块。还有就是系统本身会隐藏一部分，这个需要专业的测试工具才能测试出来，楼主不必太在意这个。如果觉得依然还卡，那么久试试装专业版，专业版不是那么吃内存，你可以考虑下！笔记本加固态硬盘好还是加内存条好？问题详情：推荐回答：这个主要还是看笔记本的用途了。如果使用笔记本只是进行办公之类的，只想单方面提高电脑反应速度，那加固态硬盘完全可以。如果使用电脑运行占用内存过大的软件，那就加内存条。如果是专业级的应用想二者兼备，那就即加固态硬盘又加内存条电脑的内存条怎么装，什么内存条好，装内存条有没有什么条件？推荐回答：台式机:
先看自己电脑主板支持的内存是几代的然后我们拆开内存外包装
将主板上内存插槽两边的卡扣松掉
将内存带黄色金属的那一边对准 内存插槽 注意缺口位置对准后 用手同时 将内存按压进去就行了
一般按压进去都会发出 咔的一声
然后再检查一下内存是否完全按压进去
这样就行了内存一般购买金士顿的就好了笔记本加个内存条，选什么品牌好？问题详情：我想把笔记本电脑加个内存条（原装是三星的），选购三星好还是金士顿，是在电脑维修点买还是在某东或者某猫上面买好一点推荐回答：没必要品牌非得一样，如果原装型号太老，现在可能不太好配。重要的是代数和频率，比如ddr3和1333hz,这个要配一样的，否则不兼容，可能点不亮。最后注意内存条有笔记本型号和台式机型号的。
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显存颗粒和内存颗粒在本质上是一样的，只是频率不同，断电后数据会丢失，属于RAM。SSD颗粒在生产工艺上和前二者差不多，但是断电后数据不会丢失，属于ROM。
固态存储器，要工作（读和写）都需要电源，储存卡一样也的有电源，否则也不能工作。
一看就是电脑狂人
颗粒主要看封装和牌子吧、 很少有人关照数量、
不会有死的，你看显存核心有4带的么，如果有将来的话，估计直接ddr5
说实话，没什么区别的！只是理论上讲，无论是扩充性、稳定性还是兼容性，单面结构都比双面结构稍胜一筹。
GDDR3是加强封装版的DDR2，以4bit的预取方式读取数据。其实GDDR3是基于DDR2的架构为了优化图形处理需要而专门强化和采用更好封装的DDR2。 GDDR4和GDDR5则对应的是DDR3，以8bit的预取方式读取数据 所以GDDR3和DDR3是完全不同规格的。性能上相差不多，不像楼上说的那样，显存的延时并不是那个0.8ns，这个之决定理论频率上限，0.8ns的是2500MHZ。 参考资料“
” 带宽=内存时钟频率×内存总线位数×倍增系数/8 DDR3 bit下带宽为250X256X8/8=64GB/s 你指的那个16GB/s是在内存的64bit带宽下的数据
由公式可知，两者的带宽是一样的，问题在于延时。
DDR3的最高规格仅为1.1ns，所以只能放在中端卡上，而现在的9600GT和9800GT，甚至一些GTS250都在严重缩水，显存频率明显下降，更不要说更低端的了，当年HD4670显存频率都是1800，甚至2000，而现在好多1400的，甚至更低，连9600GT和9800GT都出现1400，乃至800的显存频率，本质上是频率的降低造成质量下降的后果。
GDDR3有0.77ns的，一般用在GTX275和GTX285上，再高就不实用了，可以用GDDR5了。不过同频率的GDDR3和DDR3性能真的差不多。DDR3的电压为1.6V，GDDR3电压1.8V，更加节能，因此在供电上也可以缩水。 再次说明，使用DDR3性能下降本质上是因为频率下降或超频潜力下降造成的，因为目前的DDR3的规格普遍要比GDDR3低一些，但同规格下两者的差距很小。可以参照DDR2 1066 和DDR3 1066的关系，取决于延时和具体应用。
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确定要取消此次报名，退出该活动？SSD主要由主控和闪存构成，而占据了SSD&70%成本的闪存颗粒，毫无疑问是最受关注的焦点之一。作为存储单元，闪存颗粒是如何被锻造出来的呢？闪存芯片同各类芯片一样，尽管用途与性能大有不同，但在材料上同宗同源，是的，它们都来源于沙子。芯片的基础是硅晶圆，而硅元素普遍存在于我们日常所见的沙子中，尤其是石英砂，所以石英砂通常被用作芯片制造的原材料。虽然原料来源丰富，但把平凡的事物变成不凡总要经历磨练，从普通的沙子变成昂贵的晶圆，得经历三个过程：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提炼。被选用的石英砂会被放入一个高达2000℃的电弧熔炉进行提炼，得到纯度约为&98%&的纯硅。但98%的纯度还无法达到芯片级晶圆的生产要求，还需要进一步提纯。经蒸馏与化学作用后，最终提炼出纯度高达&99.%&的多晶硅。第二步就是单晶硅生长。单晶硅生长通常采用直拉法，就是将已提炼好的高纯度多晶硅放在石英坩埚中，通过高温将其融化，然后提供一个籽晶即过冷度，边旋转边提拉，冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。单晶硅棒生产出后，将其按照适当的尺寸进行切割、研磨、抛光，晶圆片就成型了。以上三步的完成，只是宣告沙子完成了向晶圆的华丽蜕变，但真正要变成芯片或者具备存储功能，还需要进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入等精密操作。因为工艺难度极高，需要非常高精尖的光刻机才能完成。完成上面的几道工艺，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行功能性检测，合格的晶粒就被组装进电路板中。因为晶粒厚度薄，硬度小，为了防止受到损坏，厂商通常会在上面加封保护罩并打印上厂商名字和编码。例如影驰ONE&240&SSD，采用的是东芝原厂3D&NAND&Falsh，我们直接就可以从封装上可以得到这些信息。所以，闪存芯片可以说是沙子历经千锤百炼之后，加以先进的制造工艺技术才形成并具备存储功能。影驰ONE系列SSD，坚定采用东芝&3D&NAND一种原厂闪存，严选优质颗粒，从源头保证颗粒的纯净性，始终如一为用户提供上佳的使用体验。本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：http://ssd.zol.com.cn/679/6797312.html
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