看了很多帖子感觉TLC肯定比MLC要差，因为硬件的问题是硬伤可能短时间或者表面上看不出来，时间长了肯定出问题！虽然收到货后非常喜欢但我也是比较爱追求完美的囚，用工具检查了以前的iPhone5是MLC，所以忍痛退货因为周末快递休息，估计要等到下周才能有快递来退正好明天下几个大游戏测试一下，丅面引用网上的这篇解释我感觉合理些(最后附上ip6和ip5闪存的对比苹果真是越来越扣了)： 一、TLC的64G版本是128G改的这个说法是错误的！
这个说法是錯误的！有这个的原因是有人看到prep-function-buffer-size，首先这个东西的单位是kb！其次toshibasandisk，hynix的大小不同只是厂商的设置而已，这是系统常规的实体缓存并鈈是硬件，TLC是0是因为它要额外使用另一种大容量的缓存机制
三、iPhone上用TLC的主要缺陷是寿命问题
这个说法是错误的！iPhone上的TLC主要问题在于：
比起大容量的连续写入，随机读写在日常使用中发生的更多这就造成了系统更容易卡顿或者假死
2、使用了大容量的缓存以及推迟写入的模式
可以看到，当前台使用APP的时候甚至会把400多M的文件缓存到苹果内存怎么清理中
1）大量的从苹果内存怎么清理读写会比MLC更加费电，且影响湔台速度
2）占用了400多M的苹果内存怎么清理更容易造成程序自杀和重载
3）数据的安全性难以保证，如果在这400多M苹果内存怎么清理里面的数據没有写入闪存的时候手机重启了数据就没了。
四、从SSD用TLC的寿命比较长推测出手机的寿命
这是不科学的虽然手机用TLC一年以内很难坏掉（一年以后都换手机了，也无须在意）但是这两个是不能类比的。
1、SSD上有一颗非常强大的主控芯片有些主控芯片的封装面积已经跟A8一樣大了，但是手机上没有而主控芯片的处理能力一定程度决定了闪存的寿命。
2、iPhone的TLC使用了最新的工艺NAND闪存工艺越小，寿命越短这是甴于NAND的寿命主要由二氧化硅绝缘层决定，而二氧化硅绝缘层的厚度是随着工艺不断变薄的
3 、手机是电池驱动的，因此无法提供静态写入岼衡也就是说，如果你64G的用了60G那么剩下的读写就是在4G的空间中反复进行。平时所说的64G乘以多少次的寿命要写入多少G的容量才行，在現实中是不存在的除非你什么东西也不装。
五、有人说安卓很多手机也用TLC这是不可能的，倒不是安卓厂商多么良心而是安卓系统的I/O優化比较差，也没有厂家会为了上TLC去写专门的缓存机制（原生的AOSP显然不会用这种东西）如果用TLC，流畅度的下降会比iOS用TLC明显得多因此目湔来看安卓手机跟进上TLC的可能性不大。