我有个太阳能电池板，想升压_百度知道
我有个太阳能电池板，想升压
现在是峰值5V，充苹果手机充不了，想升到5.5V，有什么办法？
我有更好的答案
不过那样会很麻烦。不建议使用太阳能电池板直接给手机充电。还有就是这个电压太小，如果电压大一点可以升压的。希望可以帮到您，可以提供太阳能发电系统！专业的太阳能电池板生产厂家！！！！！危险！不能升压了，电压高可以降压，电压低不能升压了
采纳率：14%
不要折腾了，把苹果弄坏了可不划算；要么直接买个太阳能充电器
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锂电池太阳能升压恒流
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蓄电池的问题。我是做控制器的,我了解。详细情况可以私信我了解!采纳好评吧![实用新型]串联升压太阳能电池单元有效
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【说明书】：
为克服常规太阳能电池体积大、成本高等不利因素，实现射频识别、无线传感网络节点等周期性工作的微功耗系统芯片的能量自动获取，本实用新型提出一种与标准CMOS工艺兼容的片上集成串联升压太阳能电池单元，该电池单元有望直接驱动射频识别、无线传感网络节点等低压、微功耗电子系统。本实用新型提出的串联升压太阳能电池单元如图1所示，由P+/N阱型太阳能电池D1和N+/P衬底型太阳能电池D2串行连接，实现输出电压倍增。具体可通过如下技术方案予以实现：1)在轻掺杂的P-型硅衬底上制备浅沟槽隔离区，其作用是实现太阳能电池间，以及太阳能电池和CMOS电子电路之间的电学隔离，避免相互影响。2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱，该区域用作P+/N阱型太阳能电池D1的N型基底。3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P+有源区，同时在衬底上制备一个衬底接触区，所述P+有源区与N型基底构成P+/N阱型太阳能电池D1。4)利用离子注入工艺在所述P+有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N+接触区，同时在N型基底外侧的衬底上制备出重掺杂的N+有源区，所述N+有源区和P型衬底构成N+/P衬底型太阳能电池D2。5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层，所述介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜，增加太阳光的入射效率。6)利用光刻和金属化工艺步骤，在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极。7)利用互连工艺将P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极短路连接，并将P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极引出，分别作为串联升压电池单元的阳极和阴极。下面结合附图2和附图3，对P+/N阱型和N+/P衬底型太阳能电池串联升压单元的制备工艺进行详细阐述。1、在&100&晶向的P-型硅衬底1上依次淀积50nm的氧化硅和200nm氮化硅介质层，然后采用标准CMOS工艺中的光刻、刻蚀等工艺步骤定义出浅沟槽隔离区2，沟槽深度在0.5～1μm，沟槽宽度为0.5μm，采用高密度等离子体化学气相淀积技术（HDP CVD）淀积氧化物填充沟槽，氧化物的厚度略超过沟槽深度，最后用化学机械抛光工艺实施全局整平，用热磷酸去除表面氮化硅，制备出浅沟槽隔离区2。2、对制备出浅槽隔离区2的衬底1进行太阳能电池的N型基底光刻，N型基底3的窗口面积为50×50μm2，利用标准CMOS工艺的N阱注入对所述窗口进行N型掺杂和退火热处理，所述区域的平均掺杂浓度为1×1017cm-3，深度约为1μm。3、光刻太阳能电池的P+有源区4窗口和衬底接触区7窗口，利用标准CMOS工艺中PMOS晶体管的P+源/漏注入对所述P+有源区4和衬底接触区7进行掺杂和退火热处理，所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3，结深约为0.1～0.2μm。4、光刻出太阳能电池的N阱接触区5和N+有源区6，利用标准CMOS工艺中NMOS晶体管的N+源/漏注入对所述N阱接触区5和N+有源区6进行掺杂和退火热处理，所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3，结深约为0.1～0.2μm。5、用高密度等离子体化学气相淀积技术（HDP CVD）在晶片表面淀积一层结构致密、厚度在80～140nm的氧化硅介质层8，所述介质膜8同时兼作太阳能电池的抗反射膜，用于增强400～800nm范围太阳光谱的入射效率；利用接触孔掩膜版进行光刻，并用反应离子刻蚀技术在介质层8上刻蚀出数个P+有源区4、N阱接触区5、N+有源区6和衬底接触区7的接触孔，接触孔面积为0.5×0.5μm2。6、利用溅射淀积技术在晶片上表面淀积50nm厚的硅化物金属，并进行快速热处理，形成硅化物，降低接触电阻。所述硅化物金属包括，但不限于Ti，Co，W及Ni。7、采用过氧化氢和硫酸混合液腐蚀未反应的Ti，Co，W或Ni等金属。8、淀积电极金属材料，并采用标准CMOS的金属化工艺制备P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极9和阴极电极10，以及N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极11和阴极电极12。所述电极金属材料包括，但不限于Al，Cu，W，Pt,TaN及其组合或合金。9、采用标准CMOS工艺的互连工艺实现P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极10和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极11短路连接，并将P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极9和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极12引出，分别作为串联升压电池单元的阳极14和阴极15。所述互连金属材料包括，但不限于Al，Cu，W，Pt,TaN及其组合或合金。溅射淀积的硅化物金属在有氧化物介质层的地方位于氧化物层上，在接触窗口处，硅化物金属位于硅表面。随后的退火热处理过程中，金属和硅形成硅化物，减小接触电阻，而氧化物上的金属不与氧化物反应，随后被化学溶液腐蚀掉。
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