嵌入式工业平板电脑平板电脑中采用DDR2和DDR的区别

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DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
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看看这个技术有什么情况河阳
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弟弟顶顶顶顶顶
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啦...今天太走运,签到来了2...
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好好学习,天天向上
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dddddddddddddddddddddddd
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MT6592八核,DDR2和DDR3,有什么区别?
速度影响?
我来说 ddr3 比ddr2 快20%左右的读写性能,这一点能导致cpu和gpu从0加速到100的时间比原来的反映快,这就是我们说的 频率都一样,但是反应更灵敏
,同时还具有更宽的内存带宽,这会导致,cpu和显卡处理同样数据的时候 能往画面上面带来更高的fps(流畅度)数字
比如狂野之血 比如ddr2 只能维持22-24fps,而ddr3能维持28-30fps
还有 假如桌面渲染原来需要 0.1秒 才能从0加速到最高50fps,使用ddr3内存以后 渲染和拉动会0.08秒就能从0加速到55以上,不仅能提升加速度的时间,同时能提升最高能达到的fps高度
本帖最后由 tomx2h 于
16:40 编辑
MT6592目前发布和上市的机型貌似绝大多数都是LPDDR2,包括酷派大神、红米note等,DDR3的确认的只有TCL那款1699的CPU主频2G的手机?其实如果都是1066的话DDR3的性能未必比DDR2好了就
ddr3 比ddr2 快
嗯,楼上已解,就是这个
同样的等效频率的话 DDR2车翻DDR3无悬念 带宽一样 响应/时延要低不少
DDR3的优势是能用相较DDR2低的代价(电压/功耗以及更高的良率)来上到更高的等效频率 从而得到更高的带宽
希望某个使用ddr3内存的6592没有虚假宣传
同样的等效频率的话 DDR2车翻DDR3无悬念 带宽一样 响应/时延要低不少
DDR3的优势是能用相较DDR2低的代价 ...
嗯,跟PC在DDR3刚开始出现时候1066甚至高时序的1333都被超到1000+的DDR2神条秒的情况类似
当然一般来说用DDR3还是能好些,但是得能用了1600颗粒跑到1600才行,国产方案不少机型DDR3 1600颗粒实际跑的1066甚至更低
DDR3相比DDR2,因为是一周期4次读写,所以能在更低的时钟下实现更高的数据吞吐,但是能否跑在高数据吞吐下要看电路的设计,如果等效频率和DDR2一样,有可能会因为时延设置更高而导致性能更低。
总之还是要看等效频率如何,我见到有使用DDR3但跑在933等效频率的产品,这种产品相比800等效频率的DDR2产品来说性能几乎一样的。
:monkey:0027:
好多高手,给跪了。订了VX3锋神。如果是DDR2就果断退了。
好多高手,给跪了。订了VX3锋神。如果是DDR2就果断退了。
肯定是DDR3,目前这个配置一共是两个方案。。
驰为选的是高端的方案。。。你不用退了,放心用吧。。。这机子比较成熟了,只是偶尔有点小毛病,比其它机良心多了。。
本帖最后由 lcb001 于
18:26 编辑
楼上没一个懂得,现在手机上的ddr2其实是lpddr2,而lpddr2又是ddr3改,达到更低的功耗,性能却不差。
DDR3相比DDR2,因为是一周期4次读写,所以能在更低的时钟下实现更高的数据吞吐,但是能否跑在高数据吞吐下 ...
确切的说 DDR/DDR2/DDR3的区别不在每周期读写频率
关键是DDR3一次能预取8bit而DDR2只能一次4bit DDR就只能2bit
如果说一个内存芯片 核心跑到100MHz的话 做成DDR3 反映在I/O上的频率就是800MHz 等效成SDRAM的频率就是1600MHz
如果换成是DDR2要等效成1600MHz的SDRAM的话 核心频率就必须上到200MHz才行
这时候由于核心频率的优势 同样等效频率的DDR2就必然在时延/响应等指标上秒DDR3
当然代价就是为了能上更高的核心频率 电压不可能会低 功耗自然下不来 良率也上不去 成本自然就高
另外 接下来的DDR4相较DDR3每周期预取位数并没有提高 主要还是学GDDR5那样 分组多通道读写来提升带宽的说
楼上没一个懂得,现在手机上的ddr2其实是lpddr2,而lpddr2又是ddr3改,达到更低的功耗,性能却不差。
DDR2/LPDDR2/GDDR3这一系列都是4bit预取 同一个来源的说
DDR3/LPDDR3/GDDR4这一系列都是8bit预取 然后GDDR5就相当于多通道的DDR3/GDDR4
而桌面即将引入的DDR4就类似已经在显卡上主推的GDDR5 一样的多通道
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如何区别DDR、DDR2和DDR3内存条?
来源:系统之家
作者:quers
  随着年代的推移,内存条的制造技术也在不断的攀升,DDR/DDR2/DDR3内存条&朝代&也在新老更替,而这个过程并没有结束,现有的DDR4和DDR5内存条,也正在不断创造普及条件,如果你不明白如何区别DDR1/DDR2/DDR3内存条,可以阅读下文了解DDR、DDR2和DDR3之间的区别和分辨方法。
  科技在进步,当然内存条的生产技术也在发展,这就导致了DDR1、DDR2、DDR3内存条的产生,各代差别如下:
  ddr 1,2,3代内存的外观区别
  DDR1:
  一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形。
  DDR2:
  一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V。
  DDR3:
  一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V。
  其工作电压一直在降低,因此在性能提升的同时,功耗也在逐渐变小。
  至于说到主板上的插槽,三者都不一样,在内存接口上有一个小缺口,DDR DDR2 DDR3内存的每种内存的接口都不会同一位置,因此只能插在购买时得先看好主板上插槽支持那种内存再进行购买内存。而且这三种内存条是不能兼容。
  DDR DDR2 DDR3在内存容量上的区别
  现在家用电脑谁不是2G的?8G以上的都不少见吧?一些游戏玩家最低要求都是4G吧?如果这事放在零几年那时谁信?
  DDR1最小的内存只有64M最大的也只有1G的容量,2代的DDR 最少的是256M最大的都已经是4M了。当然DDR2 4G用的人少一般常见的都是1Gx2这样使用的。而DDR3现在最小的都是512M最大的都已经是8G了。一般都是4Gx2这样使用。或者2Gx2这样使用。
  DDR DDR2 DDR3在封装区别
  早期的DDR封闭颗粒是TSOP,而从DDR2和DDR3开始使用FBGA封装,而DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封装三种规格,而DDR3采用的是16bit芯片使用96球FBGA封装,而且DDR3必须是绿色封装,不能包含任何有害的物质。
  参考电压分成两个在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
  DDR DDR2 DDR3在突发长度(BurstLength,BL)
  由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BurstLength,BL)也固定为8,平而DDR的传输周期是2,而DDR2是4。
  DDR DDR2 DDR3在逻辑Bank数量上的区别
  DDR中有2个Bank和4个Bank。DDR2有4个Bank和8个Bank。而到DDR3的时候已经是8个Bank和16个Bank了。目前就是应对未来大容量芯片的要求,而DDR3很可能将从2G起步,因此逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16逻辑Bank做好了准备。
  DDR DDR2 DDR3的寻址时序区别(Timing)
  延迟周期数从DDR一代到二代再到三代内存一加一直在增加,三代内存的CL周期也将比二代内存有相应的提高。二代内存的CL范围一般在2到5之间,而二代内存已经增加到5到11之间,并且三代内存延迟(AL)的设计也有所变化。二代内存时AL的范围是0到4,而三代内存时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,三代内存还新增加了一个时序参数-写入延迟。
  相对于DDR DDR2,DDR3新增的功能
  DDR新增加重置功能, 新增加的重置是DDR3一项重要功能,并且为此功能还专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
  DDR3新增ZQ校准功能,ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-DieCalibrationEngine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
  以上便是关于DDR、DDR2和DDR3之间的区别和分辨方法,当然用户若是没有实际测量工具,可以使用第三方软件进行检测,但检测信息并非绝对正确的。
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DDR1,DDR2和DDR3之间的区别
时间: 17:46:25 来源:鼎华科技 点击: 4818次
科技在进步,当然内存条的生产技术也在发展,这就导致了DDR1、DDR2、DDR3内存条的产生,各代差别如下:
12024064561.8V
12024072481.5V
DDR DDR2 DDR3
DR DDR2 DDR3
DDR64M1G2DDR 256M4M.DDR2 4G1Gx2DDR3512M8G4Gx22Gx2
DDR DDR2 DDR3
DDRTSOPDDR2DDR3FBGADDR28bit60/68/84FBGADDR316bit96FBGADDR3
DDR3VREFVREFCAVREFDQ
DDR DDR2 DDR3BurstLengthBL
DDR38bitBurstLengthBL8DDR2DDR24
DDR DDR2 DDR3Bank
DDR2Bank4BankDDR24Bank8BankDDR38Bank16BankDDR32GBank816Bank
DDR DDR2 DDR3Timing
DDRCLCL25511ALAL04AL0CL-1CL-2-
DDR DDR2DDR3
DDR DDR3DDR3ResetDDR3
DDR3ZQZQ240On-DieCalibrationEngineODCEODT51225664ODT
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