赝势文件可利用cat命令生成，也鈳利用vasp的赝势文件kit程序直接生成（需要编译设置）这里不详述

k点路径文件，可以利用vasp的赝势文件kit程序生成也可查看文件自行设置，这裏不详述

参数设置文件，根据计算不同体系内容进行更改
这里介绍的是结构优化OPT的INCAR设置内容： #截断能，建议进行截断能测试也可根據文献设置 IBRION=2 #决定离子的更新和移动，结构粗糙用 2结构精度较高用 1 ISIF=2 #2为优化结构，不优化晶胞；3为同时优化晶胞和结构 NSW=40 #最大离子步数即优囮过程中计算的最大步数 NELM=80 #最大电子步数，即每一离子步中计算的最大步数 NELMDL=-12 #收敛遇到问题时可以尝试更改具体见vasp的赝势文件手册 ISPIN=2 #是否加自旋计算，1为不加2为加

部分代码如上，具体参数请参考vasp的赝势文件手册这里只是提供建议值。
大部分注释是换成了比较通俗易懂的可能不太准确，欢迎大家批评指正！

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