苹果外接存储手机不是ssd存储吗

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新SSD速度快 选择哪种存储方式更放心?
第1页:选择哪种存储方式更放心?每年6月,台北电脑展都会给大家带来不少全新科技产品,今年PCIe、M.2接口SSD正式登上舞台,给用户带来更快性能更强劲的存储升级。不仅如此,质保竟然长达10年,这样的存储产品是不是很值得期待呢?当然,不管我们选择什么工具来存储数据,都是为了更安全的存储数据,那么数据要如何才能彻底保证安全呢?在近期精华文章中都有介绍,一起来回顾吧。PCIe秒杀SATA3&浦科特M6e&M.2&SSD评测PCIe秒杀SATA3&浦科特M6e&M.2&SSD评测M.2&SSD比之SATA&SSD前进一大步,并且它有一个良好的开局产品--浦科特M6e&M.2&2280&PCIe&SSD。这款定位于主流消费级的新一代M.2&SSD,会有如何一个性能表现?今天我们将为大家呈现它的128GB/256GB/512GB三个容量版本评测,与浦科特M5P&512GB&SSD做性能对比。【查看详情】质保10年!&测闪迪至尊超极速480GB&SSD质保10年!&测闪迪至尊超极速480GB&SSD固态硬盘早已不是新鲜事物,近些年技术的不断成熟使成本不断下降,零售价格也是一日低过一日,消费者们已经从它的性能卖点上转移,价格、寿命、售后服务成为了转移的热点所在,这也说明消费者足够理性,越来越注重数据的安全了,这种情形之下有厂商推出了3年换新,也有厂商推出10年质保的产品,它就是我们今天的重头戏----闪迪至尊超极速480GB固态硬盘。【查看详情】
第2页:如何存储数据更安全?胶片和数码时代&比存储卡更感性的回忆胶片和数码时代&比存储卡更感性的回忆一个与时俱进的作文题目触及人的灵魂深处,它何以有这样的魔力?在胶片时代,每家几乎都有相簿,每家的墙上挂着留有岁月痕迹的全家福照片。在数码时代,照片的数量何止成千上万,然而它们更多变成“0和1”编码,遗落在硬盘的某个空间。人类科技尚无法完全解释人脑的记忆功能,为何我们看到照片会引起内心的共鸣,结合人的情感因素,它比存储卡更为感性。【查看详情】吓傻了吗?私照竟现身闺蜜男友电脑上吓傻了吗?私照竟现身闺蜜男友电脑上
对于爱好摄影的朋友来讲,每一张照片都是有灵魂的。当他回头去看照片的时候,他能够很清晰地回忆起当时的心情,而这就是为何人们喜欢珍藏照片的原因。可是你珍爱的私人照片冷不丁被你发现出现在别人电脑里,那将是多么可怕的场景?且不说隐私的问题,万一被人身攻击、讹诈等等,后果很难想象……【查看详情】
本文来源:中关村在线
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本念于胸(LV4), 积分 1236, 距离下一级还需 764 积分
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固态硬盘采用4通道、8通道、10通道等读取技术,感觉有点像磁盘阵列raid0啊!
也就是一个数据会被分割之后存放的意思。。。。。。
那如果其中一个闪存块挂了,岂不是全部的数据都丢失了?
还有Intel G3采用10通道读取,那为什么写入速度各不相同呢?还有40g那个固态硬盘,里面是5个存储块还是10个?他的读取速度怎么也有200M/s呢?
另外一个问题,为什么像现在6碟/5碟的3T硬盘,不能在这些盘片之间形成盘片的阵列呢?是不是有什么技术难题?不然这样机械硬盘的速度能增加N倍啊!
附:Intel G3系列
40GB:连续读取200MB/s,连续写入45MB/s,随机读取30000IOPS,随机写入3700IOPS。
80GB:连续读取270MB/s,连续写入90MB/s,随机读取38000IOPS,随机写入10000IOPS。
120GB:连续读取270MB/s,连续写入130MB/s,随机读取38000IOPS,随机写入14000IOPS。
160GB:连续读取270MB/s,连续写入165MB/s,随机读取39000IOPS,随机写入21000IOPS。
300GB:连续读取270MB/s,连续写入205MB/s,随机读取39500IOPS,随机写入23000IOPS。
600GB:连续读取270MB/s,连续写入220MB/s,随机读取39500IOPS,随机写入23000IOPS。
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本无缺(LV7), 积分 11292, 距离下一级还需 18708 积分
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固态硬盘不容易坏,坏了你的数据就完蛋了。不像机械硬盘,数据恢复基本没戏。
固态硬盘的存储介质有先天残疾,写入次数很有限,数据在写入之前必须经过处理,存储介质的管理也很麻烦。这样对主控芯片的要求太高了,现在的主控芯片根本没那么强的计算能力,所以效率损失是很大的,而且复杂的算法也容易出bug。
固态硬盘其实是一种不伦不类的东西,跟传统机械硬盘相比就是介质不同,还是机械硬盘的那一套工作方式。可能还没普及,替代技术就来了,IBM正在研发,准备再一次发明硬盘。不过那还比较远,IBM说6年吧好像。
现在的固态硬盘已经很爽了。买了就用,重要数据要备份,想那么多没用。
机械硬盘肯定不能乱搞阵列,作为硬盘,最基本的就是存储数据,最重要的就是数据安全,不能为了速度而放弃安全,这是拣芝麻丢西瓜。
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资深本友(LV5), 积分 3774, 距离下一级还需 1226 积分
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据说G3内部工作模式类似于raid5,有冗余。而不是像raid0这种没有保证的模式
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本念于胸(LV4), 积分 1236, 距离下一级还需 764 积分
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觑红尘 发表于
固态硬盘不容易坏,坏了你的数据就完蛋了。不像机械硬盘,数据恢复基本没戏。
固态硬盘的存储介质有先天残疾 ...
听了非常受教,你完全可以开个帖子阐述下自己的观点嘛!
我还有个问题,固态硬盘复杂的存储运算导致写入速度受到影响。但是读取呢?是不是读取更加容易,它的读取不需要复杂的运算吗?
此外,是否可能CPU参与到存储过程中?毕竟只有固态才能集成到主板上,如果能利用硬件参与不是更好?
UID在线时间1711 小时注册时间最后登录积分11292阅读权限70本币3367 板币0 idea豆93 奶牛币712 绿豆410 电商币0
本无缺(LV7), 积分 11292, 距离下一级还需 18708 积分
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我也不是多专业的,哪好意思啊。
读取肯定简单的多,写入的话主控越强越好,但目前的根本不可能,理想状况下,需要有PC级的运算能力才行。
能有CPU的参与肯定好,intel应该有这方面的努力。更多的俺就不知道鸟。
可以给你个线索,intel正宣传的Ultrabook新概念笔记本,非常轻薄。机械硬盘肯定没戏,固态硬盘是必须的,获得CPU的帮助会大大提高效率。
intel正鼓吹的Haswell处理器(2013年推出)据说功耗在15W,更吓人的是将融合现在的主板芯片组和其他芯片,一颗处理器搞定一切。
不过现在还处于概念阶段,intel做固态硬盘是有深意的,它打算重塑笔记本这东东,固态硬盘是重要部分。
俺把俺知道的都招了,就这样吧。
在Surface Pro 3的开箱中,笔者已经向大家简单介绍过Surface Pro 3附带的触控笔,由于当时还没来得及仔细把玩研究,因此对于触控笔的的外观及设置介绍就留到今天进行。苹果停用TLC闪存 回应iPhone 6宕机
  11月9日,随着关于iPhone6+功能缺陷的争论高涨,苹果已决定停止使用TLC NAND闪存技术。
  据业内人士11月6日透露,苹果已经决定停用TLC NAND闪存技术。苹果认为,困扰64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷缘于TLC NAND闪存控制芯片中的一个问题。这种控制芯片据称是由SSD制造商Anobit制造的,该公司在2011年被苹果收购。
  TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍,是MLC存储器的1.5倍。最重要的是,TLC闪存更实惠。然而,它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。
  在作出这一决定的同时,苹果公司计划未来在64GB iPhone6和128GB iPhone6+中使用MLC NAND闪存技术。苹果还表示,它将在一年内为已经装备了TLC NAND闪存的iPhone手机提供iOS8.1.1更新。
  仅在10月31日的发布之日这一天之内,苹果就在韩国销售了10万台iPhone6和iPhone6+。韩国的一些移动运营商已经卖光了64GB和128GB的机型。
  MLC NAND被16GB的iPhone6、iPhone6+和部分64GB机型采用,但所有128GB机型都采用了TLC NAND。苹果显然是在采用TLC NAND以降低成本。此前,一些iPad 中也采用了TLC NAND。
  然而,越来越多的韩国消费者正在抱怨,苹果最新智能手机的功能缺陷导致其速度变慢。许多64GB iPhone6的用户在与网上社区中要求苹果公司为他们更换手机。11月3日,一些海外IT媒体纷纷猜测苹果召回iPhone6+的可能性
责任编辑:NI016
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NVMe:PCIe SSD标准不断完善,直指Fusion-io
关键字:IDF2012
NVM Express VAAI 闪存
  在本届IDF2012大会之前,笔者曾经简单介绍过安排的,具体到每节课程的中英文演讲资料在官方网站下载。由于时间关系,我在本文中只想与大家讨论《NVM Express: 提供突破性PCIe性能和可扩展性》这一节,不仅会列出幻灯片的部分节选,也想谈谈自己对NVMe的看法。
  DRAM对闪存测试:Intel与Fusion-io的恩怨
上图中的文字就不再重复了,右边列出了Virident、Fusion-io、美光、LSI、OCZ,Intel和Marvell等厂商不同、外型各异的PCIe闪存卡(SSD)。“逐渐为人所知”这几个字表示该市场还处于起步阶段,前景光明,当然竞争也会激烈。
NVM Express(简称NVMe)是一个针对PCIe SSD的主机控制接口标准,这就是说它只规范SSD控制器与之间的连接,而与如何控制闪存一侧无关。以前我们曾经说过,NVMe的成员中不包括Fusion-io。“相关产品的引入将在今年下半年开始”,也就是说现在还没有实际的产品推出,包括新发布的在内。
对比统一连接的AHCI(高级主机控制器接口,记得还有NVMHCI规范)标准,NVM Express的优势一目了然。
这里笔者想多说2句,就在本节技术课程中,Intel还播放了一段专门PK. Fusion-io的视频,显然是NVMe将他们作为了假想敌。
  如上表,Intel使用基于DRAM的NVM Express PCIe“SSD”与Fusion-io ioDrive闪存卡对比,显得有点不太公平?内存和Flash的速度还需要比吗?因此“为未来更快的NVM技术留有发展空间”这句话还用的比较合适。另外,Nastran有限元分析软件笔者略有了解,属于有点类似、数据挖掘这样以存储带宽需求为主的应用。那么在这里就有点“故意欺负”ioDrive PCIe 2.0 x4主机接口带宽劣势了吧?
NVMe主要解决的应该就是驱动程序模型,LSI WarpDrive可以在上面安装操作系统,而Fusion-io不能就是这方面的原因。我们看到(今年)Q1最先包含在 3.3内核中;在Q2~Q3将会初始发布Windows Release 1,支持NVMe 1.0b版本(现在已经有1.0c了),包括Win7和Server 2008 R2;最后Q4计划有1.1更新,加入了 Storport标准驱动等新特性。
所谓“分叉与合并策略”,就像Linux、在等所有开源项目一样,每一家享受到“基准驱动”持续改进好处的同时,还要将自己的修改在适当时候贡献到整个生态系统中。
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