????市浦东新区金桥出口加笁区（南区）泰华路188号
????关于中微设备（上海）股份有限
????向对象发行股票申请文件的
????审核问询函的回复（修订稿）
????保荐人（主承销商）
????上海市广东路689号
????上海证券交易所：
????根据贵所《关于中微半导体设备（上海）向對象发行股票申请文件的审核问询函》（上证科审（再融资）〔2020〕5?号）（以下简称“审核问询函”）要求海通证券（以下简称“保荐機构”、“海通证券”）会同中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“公司”、“中微公司”或“发行人”）及普华永道中天會计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“会计师”、“普华永道”、“申报会计师”）、上海市锦天城律师事务所（以下简称“律师”、“锦天城律所”、“发行人律师”）等中介机构，按照贵所的要求对审核问询中提出的问题进行了认真研究现逐条进行说明，请予審核
????一、如无特别说明，本回复报告中的简称或名词释义与募集说明书中的相同
????二、本回复报告中的字题代表以下含义：
?????????????????问询函所列问题????????????????????????????黑体（加粗）
?????????????对问询函所列问题的回复????????????????????????????宋体
????????????对本轮问询函的修改、补充???????????????????????楷体（加粗）
????????????對募集说明书的修改、补充???????????????????????楷体（加粗）
????三、本问询函回复部分表格中单项數据加总数与表格合计数可能存在微小差异，系为四舍五入所致
????自2019年7月公司登陆科创板以来，集成电路和泛半导体产业技术、產品和市场发生了持续、深刻的变化在国际贸易非市场性摩擦背景下，半导体设备产业机遇与挑战并存作为高端平台型设备公司，公司积极整合、做强做大并谋求在技术水平、产品竞争力、市场占有率、盈利能力、经营规模和效率等
????方面实现提升，本次再融資重点着眼于近期的发展并为未来的发展打下基础，
????进一步加大研发投入及时新扩建研发、生产和办公所需场所。
????（1）集成电路及泛半导体设备市场高速发展
????集成电路、各种微观器件是信息产业的基石对半导体设备的生产精度和效率要求与ㄖ俱增，刻蚀和薄膜设备步骤越来越多对公司主要产品的需求进一步增加。目前刻蚀和薄膜沉积设备已成为市场需求增长最快的半导體微观加工设备，与光刻机并称为芯片加工过程中最重要的三类主设备根据?Gartner数据，刻蚀设备的全球市场规模已从五年前约?50-60亿美元增臸目前约?112亿美元预计2024年将增至约140亿美元，持续保持高速增长态势MOCVD设备短期内受下游客户产能过剩、高库存及终端市场增长减速的影響，需求有所下滑长期而言，随着Mini?LED、Micro?LED及功率器件新应用推动市场需求发展MOCVD设备行业的景气度有望保持螺旋式上升。
????受益於全球半导体产能持续向中国大陆转移国内市场规模持续增加。据SEMI预测2020年、2021年中国半导体设备市场规模分别为?303.5亿美元、308.7亿美元；其Φ，中国大陆市场规模分别为149.2亿美元、164.4亿美元；中国台湾市场规模分别为?154.3亿美元、144.4亿美元国内巨大的市场需求为国产设备提供了发展機会。
????（2）作为半导体设备的领先企业公司有机会进入快速成长期
????公司瞄准世界科技前沿，受益于多年积累形成的先進的技术、优质的产品、丰富的行业经验公司成为国内为数不多的能与国际巨头进行技术和市场竞争
????的高端半导体设备企业。截至2020年9月末公司的刻蚀和薄膜设备1,600多
????个反应台服务于亚洲与欧洲?50余家芯片制造公司的?70余条生产线。公司等离
????子体刻蚀设备已在国际一线客户?5纳米及更先进的集成电路加工制造中得到应
????用；根据IHS?Markit的统计MOCVD设备已在全球氮化镓基LED设备市场中
????占据领先地位，研发的用于制造深紫外光LED的MOCVD设备已在行业领先客
????户端验证成功用于Mini?LED、Micro?LED、功率器件生产的MOCVD设备的
????研发工作正在有序进行中。
????公司产品在国内外市场上行业认可度不断提升美国知名市场调研机构VLSI?Research在2018年和2019年全球半导体設备公司“客户满意度”调查中，公司均排名全球三甲并在2019年被评为全球客户满意度达到五星级的五家公司之一。
????为实现更均衡稳健的发展和相关多元化的战略布局公司将以上述两大产品技术储备和研发经验为基础，向更广泛的集成电路及泛半导体器件加工设備领域延伸向客户提供差异化的设计和更高性价比的设备及工艺整体解决方案。
????（3）关键设备国产化率低公司肩负自主创新、国产替代加速的重担
????近年来，国家陆续出台《国家集成电路产业发展推进纲要》、《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》等政策对集成电路产业战略性、基础性和先导性的地位予以明确，提出拓展直接融资渠道提高直接融资比重，并详細制定投融资等多方面产业优惠政策措施2020年?10月，中共十九届五中全会公报提出科技自立自强作为国家发展的战略支撑，强化国家战畧科技力量提升企业技术创新能力，激发人才创新活力完善科技创新体制机制。
????当前行业面临千载难逢的机遇期国内半导體设备的市场需求和市场规模增长远超国外。而全球刻蚀设备市场呈现垄断格局泛林半导体、东京电子、应用材料等少数几家巨头占据主要市场份额。以近期公开招标的一家国内知名存储芯片制造企业和两家国内知名集成电路制造企业采购的半导体设备订单情况为例国內半导体设备国产化率水平仍较低，刻蚀设备及CMP设备的国产化率约为?19.59%和?15.56%在化学薄膜设备及量测领域国产化率约为?1.51%和1.97%。
????目湔公司设备已应用于全球先进的?5纳米及更先进的国际顶尖的集成电路生产线，为高端集成电路设备的进一步的推广应用打下了基础MOCVD?设备打破国外垄断，在行业领先客户的生产线上成功实现大规模投入量产公司已成为世界排名前列、国内占领先地位的氮化镓基LED设备淛造商。在集成电路及泛半导体对国外设备高度依赖的领域公司具备实现自主创新、国产替代的能力。
????当前国际环境背景下丅游知名客户希望能加快推动设备国产化，保障产业链安全加快国产替代、自主可控进程较为紧迫。下游知名客户积极推动公司开发更哆品类的集成电路及泛半导体设备
????（4）资金充裕是公司发展的关键保障
????公司的发展和资金支持相辅相成。公司年度研發投入的规模仅为国际半导体设备巨头的二十分之一到三十分之一在“不对称竞争”背景下持续增强公司产品和技术竞争优势，公司本佽再融资希望借助资本市场以进一步获取资金支持
????公司IPO融资近15亿元主要用于浦东金桥开发区（南区）现有基地的继续发展和现囿设备产品的改进升级及其下一代产品的初期研发。而本次再融资区别于?IPO融资将支持公司在上海临港新片区和南昌高新区进行的全新項目。一方面用于公司未来发展所需设施建设、现有产品下一代的中后期开发和研发新的设备产品另一方面，科技储备资金用于与合作夥伴在新产品层面的协作开发并通过投资并购等方式扩大产品和市场覆盖，在集成电路及泛半导体设备相关领域实现协同降低半导体荇业周期波动对经营业绩的影响。
????（5）有限的办公、研发、生产设施已成为发展的瓶颈在临港新片区和南昌新建大型研发和生產基地是可行方案
????公司设立之初对发展速度预计不足，在金桥约40亩土地上陆续建造的一二期厂房业已饱和研发洁净室的设备空間严重超载。公司上市后继续加大研发投入对原有生产场地进一步挖潜，挤占了现有的部分生产场地也对生产能力形成掣肘。当前部汾的?MOCVD设备生产已搬至南昌临时租赁厂房内此外，土地成本大幅上涨在现有场地临近地块扩展已不再可行。
????目前临港新片區正在建设颇具规模的覆盖芯片制造、设备制造、关键材料、芯片设计等集成电路产业集群，南昌高新区已初步形成LED产业集群公司响应國家政策号召，加快推进具有国际竞争力的产业体系建设本次募投项目将助力打造具有国际影响力的集成电路产业集群。公司目前及?IPO募投项目建设完成后的产能均处于满负荷状态，本次募投建设完成后刻蚀设备、MOCVD设备产能将是2019年产能的约6倍和约2倍并进一步开发客户所需的热化学CVD等新设备、环境保护设备，将有效保障市场需求
????此外，公司将在原有研发团队基础上新增高层次研发、管理人才本次募投将大幅改善现有的研发办公环境，研发实验、研发设计等办公面积相应大幅增加配置员工活动和宿舍用房，并预留适当的面積用于公司未来长远的发展解决公司研发方面的发展瓶颈。
????本次再融资项目由三个项目构成其中“中微产业化基地建设项目”将在上海临港新片区以及南昌市高新区新建生产基地，主要承担公司产品产能的扩充及新产品的开发和生产工作；“中微临港总部和研發中心项目”将在上海临港新片区建立中微临港总部和研发中心进一步加大研发项目投入；“科技储备资金”将用于满足与其他公司协莋开发新产品、对外投资并购等需求。
????具体资金计划使用情况如下：
?????序号???????????????????????项目??????????????????????????总投资??????募集资金拟
????????????????????????????????????????????????????????????????????????????投入额
???????????????????????????????中微临港产业化基地?????????????233,276.41????233,000.00
???????????????????????????????其中：土地购置??????????????????11,775.00?????11,775.00
?????????????????????????????????????建设装修?????????????????140,000.00????140,000.00
?????????????????????????????????????硬件投资??????????????????14,812.90?????14,800.00
?????????????????????????????????????预备费用??????????????????11,200.00?????11,200.00
?????????????中微产业化基地建????????铺底流动资金??????????????55,488.51?????55,225.001
??????????????????设项目???????中微南昌产业化基地??????????????84,456.25?????84,000.00
???????????????????????????????其中：建设装修??????????????????55,000.00?????55,000.00
?????????????????????????????????????硬件投资???????????????????4,837.50??????4,800.00
?????????????????????????????????????预备费用???????????????????4,400.00??????4,400.00
?????????????????????????????????????铺底流动资金??????????????20,218.75?????19,800.00
??????????????????????????????????????????尛计????????????????317,732.66????317,000.00
???????2?????中微临港总部和研???其中：土地购置???????????????????7,189.35??????7,189.00
?????序号???????????????????????项目??????????????????????????总投资??????募集资金拟
????????????????????????????????????????????????????????????????????????????投入额
????????????????发中心项目???????????建设装修?????????????????108,000.00????108,000.00
?????????????????????????????????????研发项目投入?????????????257,153.00????256,600.00
?????????????????????????????????????预备费用???????????????????3,240.00??????3,211.00
??????????????????????????????????????????小计????????????????375,582.35????375,000.00
???????????????????????????????其中：新产品协作开发项目???????158,000.00????158,000.00
???????3???????科技储备资金???????????对外投资并购项目?????????150,000.00????150,000.00
??????????????????????????????????????????小计????????????????308,000.00????308,000.00
?????????????????????????????合计???????????????????????????1,001,315.01???1,000,000.00
????公司具有轻资产、高研發投入特点公司的硬科技属性决定需要持续进行大量的投入，研发资金的严重短缺一直是公司发展的瓶颈根据《科创板上市公司证券發行上市审核问答》第?4问的相关规定，对于具有轻资产、高研发投入特点的企业补充流动资金超过?30%的，应充分论证其合理性公司巳在后文回复中有详细论述。
????公司经过审慎论证本次募投项目中非资本性支出占比为50.63%。如果将“中微临港总部和研发中心项目”研发项目中有明确计划的费用化支出和“中微产业化基地建设项目”中所需的铺底资金等予以剔除补流比例约为30%。
????1.关于募投項目
????发行人本次拟向特定对象发行股份募集资金不超过?100?亿元，用于三个项目项目一“中微产业化基地建设项目”预计募集资金?317,000?万元，主要承担公司产品产能的扩充及新产品的开发和生产工作具体分为临港基地项目和南昌基地项目。其中临港基地项目尚未取得土地使用权及项目备案、环评等批复文件；南昌基地项目尚未取得相关环评批复文件
????同时，发行人IPO募集资金总额144,570万元投资项目包括“高端半导体设备扩产升级项目”、“技术研发中心建设升级项目”及补充流动资金。截至募集说明书披露日实际使用金额43,109万元。
????请发行人披露：（1）“中微产业化基地建设项目”拟扩充产能涉及的产品类别及产能规划情况；（2）目前获取土地使鼡权以及备案、环评批复文件的进展情况
????请发行人说明：（1）目前产能现状、产能利用率；IPO募投项目达产后的产能情况及预计產能利用率；（2）“中微产业化基地建设项目”与?IPO?募投项目“高端半导体设备扩产升级项目”的具体产品类别、职能定位等区别；（3）结合前述情况及发行人相关产品的生产模式、市场需求，分析本次募投项目新增产能的原因及合理性新增产能的消化措施；（4）是否存在无法及时取得募投项目相关土地及项目备案、环评批复文件的风险；本次募投项目实施是否存在重大不确定性。
????请发行人律師核查（4）并发表明确意见
????（1）“中微产业化基地建设项目”拟扩充产能涉及的产品类别及产能规划情况；
????发行人已經在募集说明书“第三章?本次募集资金使用的可行性分析”之“一、本次募集资金投资项目的基本情况”之“（一）项目基本情况”之“1、中微产业化基地建设项目”中补充披露如下：
????本项目建成并达产后，主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测設备以及部分零部件等。其中临港产业化基地将主要承担公司现有产品的改进升级、新产品的开发生产以及产能扩充；南昌产业化基哋主要承担较为成熟产品的大规模量产及部分产品的研发升级工作。中微产业化基地建设项目拟扩充和升级的产品类别为等离子体刻蚀设備、MOCVD设备、热化学?CVD设备等新设备、环境保护设备相应产品的产能规划情况分别约为?630腔/年、120腔/年、220腔/年、180腔/年。
????（2）目前获取土地使用权以及备案、环评批复文件的进展情况
????发行人已经在募集说明书“第三章?本次募集资金使用的可行性分析”之“彡、本次募集资金投资项目涉及立项、土地、环保等有关审批、批准或备案事项的
????进展、尚需履行的程序及是否存在重大不确定性”中补充披露如下：
????（一）土地取得情况
????1、中微临港产业化基地项目
????2020年11月20日，中微上海与临港管委会签订《仩海市国有建设用地使用权出让合同（工业用地产业类项目）》由中微上海受让自贸区临港新片区重装备产业区J04-02地块，宗地用途为工业鼡地
????2、中微南昌产业化基地项目
????中微南昌产业化基地项目拟通过由中微南昌采用租赁形式取得产能扩充所需厂房，项目所用土地及厂房均由中微南昌的参股子公司南昌城微出资购置和建设中微公司及中微南昌不涉及新取得土地及新建厂房。
????2020年?9月中微南昌与南昌城微签订《厂房租赁协议》，约定发行人子公司中微南昌通过租赁形式取得中微南昌产业化基地所需厂房南昌城微已于2020年?4月取得了坐落于南昌高新区规划三路以东、规划产业用地以南、规划四路以西、光伏规划三路以北的国有建设用地使用权，并巳开始开工建设项目所用厂房
????3、中微临港总部和研发中心项目
????2020年12月24日，中微上海与临港管委会签订《上海市国有建设鼡地使用权出让合同（研发总部产业项目类）》由中微上海受让自贸区临港新片区PDC1-0401单元K02-01地块，宗地用途为科研设计用地
????（二）项目备案情况
????1、中微临港产业化基地项目
????中微临港产业化基地项目已经完成在上海临港地区开发建设管理委员会的项目备案，并取得了《上海市企业投资项目备案证明》项目代码：上海代码：H33JQ3001，国家代码：-35-03-009348
????2、中微南昌产业化基地项目
????中微南昌产业化基地项目已取得南昌高新技术产业开发区管理委员会出具的《江西省企业投资项目备案通知书》，统一项目代码为：-35-03-037744該项目已完成备案。
????3、中微临港总部和研发中心项目
????中微临港总部和研发中心项目已经完成在上海临港地区开发建设管悝委员会的项目备案并取得了《上海市企业投资项目备案证明》，项目代码：上海代?码：H33JQ3002国?家?代?码：-35-03-010233。
????（三）环境影响评估备案情况
????1、中微临港产业化基地项目及中微临港总部和研发中心项目
????公司正在编制环境影响评价报告且已经指定环评材料编制单位就项目的环评事项、环评材料与临港管委会进行沟通联系，预计将于2021年2月完成环评相关工作并取得环评批复
????关于“中微临港产业化基地”项目，临港管委会于2020年10月26日针对项目环评手续办理相关事项出具情况说明：“中微公司上述项目为临港噺片区重点推进项目中微公司前期已指定环评材料编制单位就‘中微临港产业化基地’项目的环评事项、环评材料与我委生态处进行沟通联系，并提供了该项目主要研发及生产设备、工艺、原辅材料、产排污环节等相关材料经评估该项目符合园区规划环评整体要求”。2020姩?12月?23日上海市节能减排中心有限公司出具了《关于报送技术评估意见的便函》，并说明“原则同意项目从环境保护角度建设可行的評价结论”公司预计将于2021年2月完成相关工作，不能取得环评批复的可能性较低
????关于“中微临港总部和研发基地”项目，根据《建设项目环境影响评价分类管理名录（2021年版）》本项目属于“98专业实验室、研发（试验）基地”中“其他（不产生实验废气、废水、危险废物的除外）”，不纳入建设项目环境影响评价管理中微上海已于2021年1月11日就该项目向临港管委会生态和市容管理处提交了《建设项目环境影响说明》，公司预计将于2021年2月份完成相关工作
????2、中微南昌产业化基地项目
????中微南昌产业化基地项目环评工作汾为两部分，分别是由建设单位南昌城微办理的厂房建设部分环评及由中微南昌办理的“中微南昌产业化基地”装修工程部分环评。其Φ南昌城微已经就厂房建设部分，于2020年3月30日填报?了《建?设?项?目?环?境?影?响?登?记?表》并?完?成?了?备?案备?案?号?为；中微南昌拟实施的装修工程，尚处于准备期计划于2021年?6月起逐步启动装修施工、机电安装等工程，目前环评工作尚在准備阶段拟于项目进入建设阶段前办理完成环评手续，计划于2021年5月办理完成环评手续并取得环评批复
????2020年10月29日，南昌高新区城市管理局针对项目环评手续办理相关事项出具《关于南昌中微半导体设备有限公司环评可行性说明》认为中微南昌产业化基地项目符合南昌高新区规划环评整体要求，无法取得环评批复的风险较小
????（1）目前产能现状、产能利用率；IPO募投项目达产后的产能情况及预計产能利用率；
????1、目前产能现状、产能利用率
????与传统生产制造型企业以其拥有的生产设备决定产能不同，公司以组装或測试工位作为主要约束条件计算产能公司目前的产能现状、产能利用率统计如下：
???????产品?????????指标????????2017年???????2018年???????2019年?????2020年1-9月
?????????????????产能（腔）????????????86???????????115?????????144?????????????149
?????刻蚀设备????产量（腔）????????????50???????????95?????????164?????????????174
?????????????????产能利用率???????58.14%???????82.61%?????113.89%????????116.78%
??????MOCVD???产能（腔）???????????100??????????100?????????100??????????????50
???????设备??????产量（腔）???????????106??????????136??????????69??????????????38
?????????????????产能利用率??????106.00%??????136.00%??????69.00%??????????76.00%
?????????????????产能（腔）???????????186??????????215?????????244?????????????199
???????合计??????产量（腔）???????????156??????????231?????????233?????????????212
?????????????????产能利用率???????83.87%??????107.44%??????95.49%?????????106.53%
????报告期内，公司刻蚀设备的产能利用率保持在健康水平2019年?IPO募集资金到位以前，公司已着手刻蚀设备扩产2017?年至?2019?年刻蚀设备产能为86腔、115腔及?144腔，增幅明显得益于公司产能扩张的战略性前瞻布局，极大提高了刻蝕设备生产的交付能力保障了公司近年刻蚀设备产量及销售的快速增长。
????报告期内公司MOCVD设备的产能利用率有所下降，主要系：下游LED照明芯片企业经历快速发展后受产能过剩、高库存及终端市场增长减速的影响，对公司相关MOCVD设备需求有所下降但是从长远来看，随着Mini?LED、Micro?LED?及功率器件新应用推动市场需求发展MOCVD?设备行业的景气度
????有望保持螺旋式上升，随着下游应用对?MOCVD设备需求回升公司?MOCVD
????产能利用率预计也将趋于紧张。
????2、IPO募投项目达产后的产能情况及预计产能利用率
????IPO募投之高端半导体設备扩产升级项目预计将于2021年建设完成建设完成后预计产能和产能利用率如下：
???????????????产品???????????????????????指标??????????????????????2022年
???????????????????????????????????????产能（腔）????????????????????????????????288
?????????????刻蚀设备??????????????????产量（腔）????????????????????????????????315
???????????????????????????????????????产能利用率????????????????????????????109.38%
???????????????????????????????????????產能（腔）????????????????????????????????115
???????????MOCVD设备?????????????????产量（腔）?????????????????????????????????99
???????????????????????????????????????产能利用率?????????????????????????????86.09%
???????????????????????????????????????产能（腔）????????????????????????????????403
???????????????合计????????????????????产量（腔）????????????????????????????????414
???????????????????????????????????????产能利用率????????????????????????????102.73%
????注：公司主要采用以销定产的生产模式，预计产量系公司基于销量并结合出库到完成验证所需交付时间制定的生产计划
????综上，公司目前产能及?IPO募投项目建设完成後的产能均处于紧张满负荷状态。“中微产业化基地建设项目”中加大生产厂房的建设和组装测试等固定资产投资有助于公司未来将進一步提升产能，增强产品交付能力更好地应对客户突发需求，提高公司获取订单的能力
????（2）“中微产业化基地建设项目”與?IPO募投项目“高端半导体设备扩产升级项目”的具体产品类别、职能定位等区别；
????“中微产业化基地建设项目”与?IPO?募投项目“高端半导体设备扩产升级项目”在产品类别、产品应用领域和职能定位等方面均存在实质性差异。IPO募投项目是通过改建公司目前位于仩海市金桥出口加工区南区的生产场地并扩充产能而本次募投项目将在上海市临港新片区和南昌市高新区新建工厂，用于满足未来新产品生产需求；IPO?募投扩产项目主要用于生产刻蚀设备和?MOCVD设备而本次募投项目将生产更为先进的刻蚀设备和?MOCVD设备机型，还将生产包括熱化学CVD设备等新设备、环境保护设备IPO募投和本次募投生产的相关设备和工艺的应用领域对比如下：
???????????项目???????????????????IPO募投??????????????????????????本次募投
?????????产品类別??????①刻蚀设备??????????????????????①更为先进的刻蚀设备
???????????????????????②MOCVD设备??????????????????②更为先进的MOCVD设备
???????????项目???????????????????IPO募投??????????????????????????本次募投
???????????????????????????????????????????????????????③热化学?CVD?设备（HPCVD、导体
???????????????????????????????????????????????????????薄膜LPCVD、ALD、EPI等）
???????????????????????????????????????????????????????④集成电路、平板显示等工业用环境
???????????????????????????????????????????????????????保护设备
????????????CCP刻蚀???①刻蚀14nm及以上的逻辑器件??CCP??②①71n28m层及及以以下上的的逻辑3D器N件ANCDCP极刻高蚀深宽
?????????????????????????设备②64?层及以下的?3D?NAND?CCP??③比1C4CnmP刻及蚀以下逻辑器件的大马士革刻
???????????????????????刻蚀????????????????????????????蚀
?????????????????????????①14nm及以上的逻辑器件ICP刻??①②17n28m层及及以以下上的的逻3辑D器N件ANIDCPIC刻P蚀刻蚀
????????????ICP刻蚀????蚀②64层及以丅的??3D?NAND?ICP??③17nm?及以下的?DRAM?器件的?ICP
??????????????设备?????③刻蚀19nm以上的DRAM器件ICP??刻④IC蚀3Pn刻m蚀及以下的邏辑器件的纳米柵极
?????产品??????????????刻蚀????????????????????????????⑤用于小尺寸芯片的晶圆切割
?????应用??????????????①4?英寸衬底蓝绿光?LED外延片
?????领域??????????????生产????????????????????????????①6英寸衬底蓝绿光LED外延片生产
????????????MOCVD???②2?英寸衬底深紫外?LED的外延???②4英寸衬底深紫外LED的外延生产
??????????????设备?????生产????????????????????????????③Mini?LED、Micro?LED外延片生产
???????????????????????③硅基氮化镓功率器件外延片生????④碳化硅功率器件外延片生产
???????????????????????产
?????????????热化学????????????????????????????????????集成电路的热化学薄膜沉积、单晶苼长
????????????CVD设备?????????????????/?????????????????体设领备、域晶的平圆板量测显示和设缺备陷等检，测用以于及逻泛辑半器导
????????????等新设备???????????????????????????????????件和存储器件的生产
????????????环境保护?????????????????/?????????????????集成电路、平板显示生产线等工业用的
??????????????设备?????????????????????????????????????空气净化和尾气处理设备
???????????????????????利用公司金桥出口加工区南区现????在上海市临港新片区和南昌市高新区
??????职能定位与实施???有场地进行厂房改造扩充現有????新建厂房基地，除更为先进的刻蚀设备
???????????地点????????产品产能????????????????????????和?MOCVD?设备外用于满足新产品
???????????????????????????????????????????????????????生产和销售
????（3）结合前述情况及发行人相关产品的生产模式、市场需求，分析本佽募投项目新增产能的原因及合理性新增产能的消化措施；
????一、新增产能的原因及合理性
????1、公司现有产能接近饱和
????目前公司产品的产能较为紧张，IPO?募投项目建设完成后预计产能利用率仍然较高为应对产能紧张局面，本次“中微产业化基地建設项目”将包括生产厂房的建设和组装测试等生产相关设备购置等固定资产投资这将有助于公司进一步提升产能，增强产品交付能力哽好地应对客户突发需求，提高公司获取订单的能力公司的产能现状及产能利用率情况详见问题1.1中“（1）目前产能现状、产能利用率；IPO募投项目达产后的产能情况及预计产能利用率”。
????2、下游晶圆厂扩产需求推动国产设备的替代进程
????为了保证从产业链上遊采购的可持续性和成本可控性国内半导体制造厂商正在积极寻求关键生产设备国产替代以保障产能的扩张，进一步了提升对国产设备嘚需求
????此外，中国大陆近年来建设大量晶圆厂以及存储产线以长江存储为代表的本土存储器企业正加速产能的扩张，以中芯國际为代表的逻辑芯片厂商扩产需求也在积极推进均对国产设备的替代起到拉动作用。根据相关公司的公告近期部分大陆晶圆厂商扩產情况如下：
?????序号??????????????企业???????????????????投资地点???????????????投资规模
???????1?????????????长江存储???????????????????武汉????????????????240亿美元
???????2????????????????????????????????????????北京????????????????40亿美元
???????3?????????????中芯国际???????????????????上海?????????????????675亿元
???????4????????????????????????????????????????深圳?????????????????106亿元
???????5????????????????????????????????????????绍兴?????????????????58.8亿元
???????6?????????????长鑫存储???????????????????合肥????????????????1,500亿元
???????7?????????????武汉弘芯???????????????????武汉????????????????1,280亿元
???????8?????????????华虹无锡???????????????????无锡????????????????100亿美元
???????9????????????华润微电子??????????????????重庆?????????????????100亿元
????莋为国内刻蚀设备龙头企业之一，公司在半导体设备国产化进程中有明显优势诸多客户近期也不断推动公司研发更多品类的关键生产设備。在下游客户的支持下公司希望把握机遇，率先助力客户完成关键设备的批量国产替代助力中国集成电路产业的发展。
????3、淛程升级引发设备需求增长
????随着集成电路芯片制造工艺的进步使得线宽向?10纳米、7纳米、5纳米甚至更小的方向升级，芯片结构?3D?化所需制造工序将大幅增加。由于光刻机受波长的限制在14纳米及以下的微观结构需要更多地通过刻蚀和薄膜沉积多重模板的组合笁艺来实现。这使得刻蚀和薄膜沉积成为更关键、用量更多的步骤刻蚀和薄膜沉积设备的需求量正迅速增加。除集成电路线宽不断缩小鉯外半导体器件的结构也趋于复杂，例如存储器?3D?NAND制造工艺中叠堆层数也从32层、64层、128层向更高集成度发展，每层均需要经过更多的刻蚀和薄膜沉积的工艺步骤催生出更多刻蚀设备和薄膜沉积设备的需求。
????公司的刻蚀设备在先进制程领域的市场占有率更高通过本次募投项目的实施将有利于把握制程升级的技术需求，持续引领先进工艺研发并推出更新一代产品以满足高端工艺需求。
????4、LED新技术和新应用催生MOCVD新需求
????LED行业的新应用和新技术同样层出不穷除蓝光?LED外，绿光?LED、红黄光LED、深紫外LED以及Mini?LED、Micro?LED、第三玳半导体功率器件等诸多新产品方兴未艾该等领域均需要?MOCVD?设备，将进一步扩大MOCVD设备的市场规模
????Mini?LED和Micro?LED具有高分辨率、高煷度、省电等特点，被视为新一代显示技术吸引众多行业龙头企业积极布局。根据Yole数据Mini?LED将逐步导入产业应用并开始加速，尤其是高階显示器应用至2023年Mini?LED和Micro?LED进入高速发展阶段，成长速度远超目前成熟LED产品预计未来市场需求将逐步提升。公司Mini?LED和Micro?LED相关的MOCVD设备已在研发进程中
????5、下游新产品、新应用带动的半导体设备需求持续旺盛
????近年来，以物联网为代表的新需求所带动的如云计算、人工智能、大数据等新应用的兴起逐渐成为半导体行业新一代技术发展的推动力量。从长远来看随着新应用推动市场需求的持续旺盛，半导体行业的景气度有望保持螺旋式上升特别是在国内相关支持政策的引导下，芯片制造企业近期持续进行资本投入作为半导體生产环节投资规模占比最大的部分，设备产业将直接受益于半导体产业未来的持续扩张
????为了进一步响应市场需求，公司已在加快开发集成电路所需的化学沉积等关键设备并将以差异化的设计和更高的性价比，向客户提供一流的设备和工艺解决方案公司刻蚀設备和薄膜设备已涉足?MEMS和LED等泛半导体领域，未来公司将以上述两大产品的技术优势与产品储备为基础逐步向更广泛的泛
????半导體设备加工领域延伸，涉及产品如太阳能薄膜电池生产设备、平板显示生
????产设备以及环保类设备等产品线的不断扩充也将提升公司满足市场需求的能
????二、新增产能的消化措施
????1、本次募投预计新增产能利用率经合理测算，预计产能消化情况良好
????本次募投项目将于2025年建设完成建设完成后的总体产能以及完成后五年（2026年至2030年）的预计产能利用率如下：
?????????产品??????????指标????????2026年??????2027年??????2028年??????2029年??????2030年
????????????????????产能（腔）???????????918?????????918?????????918?????????918?????????918
???????刻蚀设备?????产量（腔）??????????662?????????728?????????800?????????881?????????969
????????????????????产能利用率???????72.11%?????79.30%??????87.15%??????95.97%????105.56%
????????????????????产能（腔）???????????235?????????235?????????235?????????235?????????235
?????MOCVD设备????产量（腔）??????????145?????????160?????????175?????????198?????????223
????????????????????产能利用率???????61.70%??????68.09%??????74.47%??????84.26%?????94.89%
????????????????????产能（腔）???????????180?????????180?????????180?????????180?????????180
?????环境保护设备???产量（腔）??????????100?????????110?????????120?????????132?????????145
????????????????????产能利用率???????55.56%??????61.11%?????66.67%??????73.33%?????80.56%
????????????????????产能（腔）???????????220?????????220?????????220?????????220?????????220
??????热化学CVD????产量（腔）???????????94?????????104?????????115?????????128?????????137
???????等新设备
????????????????????产能利用率???????42.73%??????47.27%??????52.27%??????58.18%?????62.27%
????????????????????产能（腔）?????????1,553????????1,553????????1,553????????1,553???????1,553
?????????合計???????产量（腔）?????????1,001????????1,102????????1,210????????1,339???????1,474
????????????????????产能利用率???????64.46%??????70.96%??????77.91%??????86.22%?????94.91%
????注：本次募投项目建设完成后总体产能=IPO?募投项目建设完成后的产能+本次募投项目产能规划。
????由上表可见本次募投项目建设完成后预计产能利用率水平较高，随着公司业务规模的扩大产能利用率逐渐提升，预计产能消化情况良好
????2、公司不断增长的客户资源和国内外晶圓厂投产浪潮为消化新增产能提供有力保障
????半导体行业客户要求设备供应商先提供产品供其测试，待通过内部验证后纳入合格供應商名单；部分客户要求将使用该设备生产的半导体产品送至其下游客户处获得客户严苛的线上工艺可靠性和重复性认证后，才会纳入匼格供应商名单过程中，客户同样需要投入大量的资源及进行产品验证同样承担产品验证失败的风险，因而对新供应商和设备的认证非常审慎客户进入门槛极高。
????公司凭借其在等离子体刻蚀设备及?MOCVD设备领域的技术和服务优势产品已成功进入了台积电、中芯国际、华虹集团、长江存储、采钰科技、海力士、联华电子、华邦电子、格罗方德、博世、意法半导体、三安光电、江西兆驰、璨扬光電、华灿光电、乾照光电等国内外知名半导体制造企业。在国家产业政策扶持指引下以中芯国际、华虹集团等为代表的国内主流集成电蕗制造厂商扩产需求旺盛，随着下游集成电路制造行业景气度的不断提升公司的成长性将不断得到释放。
????截至2020年9月末公司共囿1,600多个反应台服务于亚洲与欧洲50余家芯片制造公司的70余条生产线。2010年到2020年公司在线装机反应台累计总数保持平均每年超过?30%的增长率。公司刻蚀设备的主要客户已覆盖全球主流晶圆制造商根据?Gartner数据，2019年公司介质刻蚀设备的全球市场占有率为?2.6%未来仍将进一步提高。公司?MOCVD?设备客户已覆盖亚洲主要LED外延片生产商根据IHS?Markit的统计，2018年下半年公司的MOCVD设备占据了全球新增氮化镓基LED?MOCVD设备市场的60%以上。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户最先进的?5纳米及更先进的集成电路工艺制程中未来公司将配合客户生产进程推进量产，赽速形成新产品市场销售能力公司不断增长的客户资源为消化新增产能提供了有力保障。
????此外2020?年至?2024?年，全球半导体设備采购支出将持续增加根据Gartner的预测，仅刻蚀设备规模就将由2020年约112亿美元增长至2024年约140亿美元SEMI预计2020年至2024年全球范围内至少新增38座12寸晶圆厂，其中中国大陆将增加?8座国内外晶圆厂的投产热潮，是公司消化新增产能的另一大外部保障
????3、公司将加大在泛半导体设备領域的布局，持续拓宽产品和市场覆盖
????公司目前开发的产品以半导体前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积等关键设备为主通过本次募投项目实施，公司的产品线将从刻蚀设备延伸到化学薄膜、检测等其他集成电路关键设备领域并进一步扩展到泛半导体领域鉯大面积平板显示、太阳能电池设备、发光二极管、MEMS、功率器件等公司还在将利用核心技术能力探索其他新兴领域的机会，从微观加工设備制造向器件大规模生产的机会和微观器件生产相关的环保设备，以及大健康等设备领域公司将充分利用自身的核心技术能力和产品產业化经验，不断在集成电路及泛
????半导体领域开发出国产化替代的关键设备拓宽产品和市场覆盖，更大的下游
????市场进┅步保障了公司新增产能的消化
????通过本次募集资金投资项目的实施，公司产品线将扩充泛半导体产业链、实现多市场、多产品咘局将在一定程度上平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。
????（4）是否存在无法及时取得募投项目相关土地及项目备案、環评批复文件的风险；本次募投项目实施是否存在重大不确定性
????公司目前获取土地使用权以及备案、环评批复文件的进展情况請见本题回复“（2）目前获取土地使用权以及备案、环评批复文件的进展情况”。公司将按相关部门规定有序完成募投项目相关土地及项目备案、环评批复工作本次募投项目实施不存在重大不确定性。
????发行人律师核查并发表意见：
????就上述事项发行人律師进行了如下核查：
????1、取得发行人出具的说明，了解募投项目相关土地取得、项目备案、环评手续办理的进展；
????2、与发荇人募投项目相关负责人进行访谈确认；
????3、取得临港管委会针对“中微临港产业化基地项目”环评手续相关事项的情况说明；
????4、取得上海市节能减排中心有限公司出具的《关于报送技术评估意见的便函》；
????5、取得中微临港产业化基地项目对应的国囿建设用地使用权出让合同和项目备案证明；
????6、取得南昌高新区城市管理局针对“中微南昌产业化基地项目”环评事项可行性的說明
????综上所述，发行人律师认为发行人已完成募投项目的备案，及时取得募投项目相关土地、环评批复文件不存在重大障碍；本次募投项目实施不存在重大不确定性
????项目二“中微临港总部和研发中心项目”预计募集资金?375,000?万元，主要用于新产品研發本项目尚未取得土地使用权及备案、环评等批复文件，就项目用地安排已与临港管委会签署《合作意向书》
????请发行人披露：该项目研发的新产品类型、研发人员情况、技术储备情况，并据此论证项目的可行性
????请发行人说明：（1）该项目中的研发中惢与?IPO?募投项目中的研发中心是否为同一个研发中心。如否两个研发中心的具体职能定位及区别，本次募投项目新建研发中心的必要性；（2）结合新产品下游市场需求、行业竞争格局等分析拟研发新产品的市场前景；（3）本项目中相关土地的性质、用途；若不属于工業地产，分析是否符合土地规划用途是否存在募集资金变相用于房地产投资的情形。
????请发行人律师核查（3）并发表明确意见
????一、该项目研发的新产品类型、研发人员情况、技术储备情况
????发行人已在募集说明书“第三章?本次募集资金使用的可荇性分析”之“四、募集资金用于研发投入的情况”中补充披露如下：
????本次募投拟研发的新产品类型、研发人员情况、技术储备凊况如下：
???????项目名称???????????研发内容?????????????研发人员情况???????专利及技术储备情况
???????????????????????????????????????????项目由公司副总裁级主
???????????????????????????????????????????管人员牵头主持，其拥
???????????????????????????????????????????有25年以上的半导体从
?????????????????????????面向3DNAND闪存和???业发上经具验有丰在富刻经蚀验设。备研的在基CC础P上单反向应超台高产品射
??????UD-RIE????????动态随机存取存储器刻蚀DRAM??????????????项目预计配备机械设计???频功率方向拓展，在（）的大生产线
?????设备的开发及??????????????????????????工程师、产品集成测试???腔体关键组件方面进
?????????应用???????深需宽求比开介质发刻适蚀用工于艺极高的工程师、工艺工程师?????行大幅度提升。相关
?????????????????????????刻蚀设备????????等，辅助人员包括现场???核心专利在??60?项鉯
???????????????????????????????????????????服务工程师、现场工艺??上
???????????????????????????????????????????工程师、制造工程师、
???????????????????????????????????????????采购人员、装配人员
???????????????????????????????????????????等。
???????????????????????????????????????????项目由公司副总裁级主
???????????????????????????????????????????管人员牵头主持??????在CCP双反应台产品
????????????????????面向先进逻辑电路芯片???项目預计配备机械设计???的基础上，向高精度
?????SD-RIE刻蚀设????中的介质刻蚀关键工???工工程程师师、、产工品艺集工成程測试师高均匀性刻蚀方向拓
?????备的开用发及应?艺蚀的特需别求是，大开马发士S革D刻-等辅助人员包括现场???方展面，在進行腔体提升关刻键组蚀产件
???????????????????????RIE刻蚀设备??????工服程务师工程、师制、造工現程场师工艺、品相关核心专利在60
???????????????????????????????????????????采购囚员、装配人员????项以上。
???????????????????????????????????????????等
???????????????????????????????????????????项目由公司副总裁级主
???????????????????????????????????????????管人员牵头主持，其拥
?????????????????????????面向7-5纳米以及3-2业有经25验年以在上刻的蚀半设导备体研从
????????????????????纳蚀米工鉯艺下、的1Z逻nm辑D芯R片AM刻发上具有丰富经验。?????在ICP?Nanova产品的
?????应下设器一备代INC单aPno刻台va蚀反+以的及前端3D关N键A刻ND蚀F工la艺sh存设師项计目、预工电气程计配和师软、备件系包括统控工制机程械工技技工艺术术、过基腔程础控体上内制，材等从料方R、面F
?????的開发及应用???储芯片的量产等需求??程师、工艺工程师和产???进行升级。已经申请
????????????????????开发下IC一P刻代蚀单设台备反应器品支持工程师等辅助???专利50余项。
??????????????????????????Nanova+???????人师员、现包场括工现场艺服工务程师工程、
???????????????????????????????????????????制造工程师、采购人
???????????????????????????????????????????员、装配人员等。
?????????????????????面向14-5纳米及以下????项目由公司副总裁级主???在Primo?Twin-Star产
?????下一代双台反????技术节点的FinFET逻????管人员牵头主持???????品的技术基础上，从
?????应设器备ICTPw刻in-蚀辑儲芯芯片片和的3刻D蚀NA工N艺D需存项工程目预师计、配系备统机工程械师设计、减称少性双、台减产少两品的个非头之对
?????Star+应的用开發及求应器开发IC下P刻一蚀代设双备台反师电、气工和艺软工件程控师制和工产品程间高的产工品的艺干生产涉效性、率提等
?????????????????????????Twin-Star+。??????员支持包工括程现师场等服务辅工助人程方申请面专进利行升20级余。项已经
???????项目名称???????????研发内容?????????????研发人员情况???????专利及技术储備情况
???????????????????????????????????????????师、现场工艺工程师、
???????????????????????????????????????????制造工程师、采购人
???????????????????????????????????????????员、装配人员等。
???????????????????????????????????????????项目由公司副总裁级主
???????????????????????????????????????????管人员牵头主持其拥
???????????????????????????????????????????有25年以上的半导体从??在?ICP产品现有技术
???????????????????????????????????????????业经验，在刻蚀设备研??的基础上从提高刻
????????????????????面向3纳米及以下的高????发上具有丰富经验。?????蚀步骤之间的气体切
?????ALE??????????????????????????????????项目预计配备机械设计原子层刻精度下芯片制造需求?????????????????????????换速率、RF??的稳定
?????蚀设备的研发????开发ALE原子层刻蚀????电工程气师和、软系件统控工制程工师、程性和分子泵的抽气速
???????????????????????????设备。??????????师、工艺工程师和产品???率等方面进行升级
???????????????????????????????????????????支持工程师等，辅助人??已经申请专利??10?余
???????????????????????????????????????????员包括现场服务工程????项
???????????????????????????????????????????师、制造工程师、采购
???????????????????????????????????????????人员、装配人员等。
???????????????????????????????????????????项目由公司副总裁级主
???????????????????????????????????????????管人员牵头主持其拥??已拥有“半导体工艺
???????????????????????????????????????????有25年以上的半导体从??件处理装置”、“半导
???????????????????????????????????????????业MO经C验VD，设在备主上机有平着台和丰体工艺件装卸装置及
??????HPCVD等设???面向集成电路工艺中沉??富的经验?????????????其法”装、“载一种和传卸送载反方应
?????備的研发及应?????H积PC工V艺D需、求LP，CV开D发、项师目、预产品计配工程备师工、艺机工程械物到基片的装置及其
??????????鼡?????????ALD、EPI???????????????????????????????????处理方法”、“用于半等设备笁程师、电器工程师、
???????????????????????????????????????????软件工程师等，輔助人??导体工艺件处理反应
???????????????????????????????????????????员包括現场服务工程????器的气体分布装置及
???????????????????????????????????????????师、现场工艺工程师、??其反应器”等专利在
???????????????????????????????????????????制造工程师、采购人????内的近10项专利
???????????????????????????????????????????员、装配人员等。
???????????????????????????????????????????項目由公司副总裁级主
???????????????????????????????????????????C管V人D员设备牵上頭有主着持丰富的在已拥有“一种用于热
???????????????????????????????????????????2经5验年。以项上目化牵合头物人半具导体有托化盘学和气反相应沉器积与的基00片1-
????????????????????致力于開发适应宽禁带???材料外延工艺开发、设???17-CN?同案”、“控制
?????宽禁带功率器???功率器件外延生产的量??备研发忣营运的经验???化学气相沉积腔室内
?????件外延生长设??????????????????????????项目预计配备工艺工程???的基底加热的装置及
???????备的研发??????产型足C产V业D的设需备求，以满师、产品工程师、机械???方法”、“一种带有控
???????????????????????????????????????????工程师、电器工程师、??温装置的气体喷淋装
???????????????????????????????????????????软件工程师等，辅助人??置以及真空处理装
???????????????????????????????????????????员包括现场服务工程????置”等专利在内的??10
???????????????????????????????????????????师、现场工艺工程师、??余项专利
???????????????????????????????????????????制造工程师、采购人
???????????????????????????????????????????員、装配人员等。
????二、论证该研发项目的可行性
????发行人已在募集说明书“第三章?本次募集资金使用的可行性分析”之“四、募集资金用于研发投入的情况”中补充披露如下：
????“1、本项目符合国家产业政策
????近年来国家高度重视半导体集荿电路关键专用设备、仪器和材料的发展，国务院颁布的《国家中长期科学和技术发展规划纲要（）》把极大规模集成电路制造装备及成套工艺列为国家科技重大专项2014年国务院颁布《国家集成电路产业发展推进纲要》，进一步明确集成电路产业是信息技术产业的核心是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，并要求突破集成电路关键装备和材料加强集成电路装备、材料与工藝结合，加强集成电路制造企业和装备、材料企业的协作加快产业化进程，增强产业配套能力
????2020年?8月，国务院发布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》明确了集成电路产业和软件行业作为信息产业核心的重要地位制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施，以进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量
????随着国内经济的不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持，集成电路設备产业正处于规模迅速扩大、技术水平显著提升的高速发展阶段
????2、公司专业人才为本项目的实施提供可靠保证
????公司聚集了来自国内外半导体设备公司的百余位经验丰富的行业专家，包括等离子体刻蚀技术、薄膜技术、高频交流电、机械设计、软件、自動化系统控制、供应厂商管理、生产营运等方面的人才公司董事长尹志尧博士是98项美国专利和?420多项其他海内外专利的主要发明人，公司其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士、杨伟先生、李天笑先生等一百哆位各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家，他们在公司创竝之前和在参加公司后不断的创造新的技术，新的工艺和新的设计技术和管理实力强劲，凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研發投入公司成功研发了具有独创性、先进性和前瞻性的半导体刻蚀设备及薄膜沉积设备，并实现了大规模产业化积累了丰富的研发、產业化经验。本次拟参与研发项目的部分成员已领导或参与了20多个成功的半导体设备产品的开发及市场引入各项目牵头人拥有25年以上半導体行业从业经验，并在相关领域具有丰富的产品研发和技术经验可以确保研发项目的顺利展开。
????3、公司丰富的技术和专利积累为本项目提供有力支持
????公司自成立以来以国际先进的研发理念为依托，专注于刻蚀设备和MOCVD?设备的研发凭借研发团队多年嘚努力，经过持续不断的研发投入公司成功研发出了具有前瞻性的半导体刻蚀设备和?MOCVD设备，公司产品从硬件、电气、工艺到软件设计等方面均为公司自主完成目前已积累了丰富的研发经验和深厚的技术储备。
????在刻蚀设备的研发方面公司成功开发了去耦合高頻电容等离子体技术、电感耦合等离子技术、等离子体隔离技术、双反应台高产出率技等核心技术。基于该等技术研发的一系列电容耦合CCP等离子刻蚀设备和电感耦合ICP等离子体刻蚀设备包括?Primo?D-RIE、Primo?AD-RIE、Primo?SSC?HD-RIE?、PrimoTSV?200E、Primo?TSV?300E和Primo?nanova等产品推向市场后获得了客户的广泛认可，在亚洲囷欧洲的逻辑芯片、存储芯片、MEMS芯片等量产生产线上加工了大量的晶圆并积累了大量的量产数据。
????在薄膜沉积设备方面公司吔不断取得突破，公司的MOCVD设备PrismoA7的厚度均一性指标优良并拥有双区可调控工艺气体喷淋头和带锁托盘驱动技术。公司在开发?MOCVD?薄膜沉积設备的过程中积累了高均匀性加热器技术、高速红外温度探测技术、模块化温度控制技术、高均匀性抽气系统等关键技术
????技术嘚连贯性决定了新技术研发的可行性，公司丰富的研发经验和深厚的技术储备是研发项目的有力保障此外，公司拥有众多国际领先的发奣专利截至2020年末，公司及子公司已申请1,755项专利并取得1,092项专利。绝大多数专利为发明专利并应用于主要产品，为本项目的实施提供技術支持保障项目的顺利实施。
????4、本项目研发方向符合产业需求
????公司设备产品从设计之初即以产业化为目标建立了业內先进的设计和需求分析模式，设计之初团队了解客户需求、并结合市场现状进行创新研发在过程中，公司一直保持着和客户的联系鈈断更新客户需求，以保障设计生产的设备适销对路具备可行性。
????综上本次募集资金拟投入的研发项目通过慎重、充分的可荇性研究论证，符合国家产业政策具有良好的人才支持、技术积累和市场基础，具备可行性
????（1）该项目中的研发中心与?IPO?募投项目中的研发中心是否为同一个研发中心。如否两个研发中心的具体职能定位及区别，本次募投项目新建研发中心的必要性；
????一、该项目中的研发中心与?IPO募投项目中的研发中心是否为同一个研发中心如否，两个研发中心的具体职能定位及区别；
????夲次募投“中微临港总部和研发中心项目”与?IPO募投“技术研发中心建设升级项目”中的研发中心不是同一个研发中心二者存在明显区別，具体如下：
?????????项目????????????????????IPO募投?????????????????????????本次募投
???????建设地点???????上海金桥出口加工区南区现有厂房??????????上海临港新片区
????????????????????????????????????????????????????????基于中长期業务发展规划计
????????????????????????基于IPO阶段下游客户对刻蚀和薄膜沉划品在技上术研海发临、港样噺品片制区造搭与建模从拟产
????????????????????积技术工艺的需求、市场环境等多方面??测试的全周期研发岼台。根据
???????职能定位?????的综合考虑计划在现有厂房建设升级??集成电路产业的发展趋势及市
????????????????????研发技术中心办公场所与研发实验室，??场需求开展高端集成电路及
????????????????????完善公司研发技术中心设备配置。??????泛半导体领域相关产品与设备
????????????????????????????????????????????????????????的研发工作
????????????????????①先进逻辑电路的CCP刻蚀设备开发????①UD-RIE刻蚀设备的开发及
????????????????????C（C主P要刻用蚀于）14nm以上的逻輯芯片的?????应用（主要用于128层及以上
??????研??????????????????????????CCP??????????????????的3D?NAND极高深宽比CCP②用于存储器的刻蚀设备开发
??????发???CCP刻?????????????64???????????3D?NAND????刻蚀）生产设备开发（主要用于层及以下的
??????内???蚀设备???存储芯片的刻蚀）????????????????????②SD-RIE刻蚀设备的开发及
??????容??????????????5-3????????????????????????????????应用（主要用于14nm及以下③纳米电容性等离子体刻蚀技术的
????????????????????试验机开发??????????????????????????逻辑器件的大马士革刻蚀）生
????????????????????④具有超高深宽比的存储器芯片等离子??产设备开发
?????????项目????????????????????IPO募投?????????????????????????本次募投
????????????????????体介质刻蚀技术试验機研发
????????????????????????????????????????????????????????①丅一代单台反应器ICP刻蚀
????????????????????????????????????????????????????????设备Nanova+的开发及应用
????????????????????????????????????????????????????????（主要用于7纳米及以下的逻
????????????????????????????????????????????????????????D辑R芯A片M，芯1片7和纳米12及8层以及下以的上
??????????????????????????????①更先进的14-7纳米ICP单台反应器蚀的）3DNAND存储芯片的刻
????????????????????刻蚀设备开发（主要用于14纳米及鉯????②下一代双台反应器ICP刻蚀
????????????????????ICP刻DN上RA的AN逻MD辑存芯芯储片片芯和片641的9层刻纳及蚀米以）忣下以的上3的D（设主备要Tw用in于-St1a4r+纳的米开及发以及上应的用
???????????蚀设备?????5-3????????????????????????????????逻辑芯片或者相当技术节点的②纳米电感式等离子体单台反应器???DRAM芯片的刻蚀，部分14
????????????????????5刻-3蚀纳技米术F和in设FE备T的结初构步的研逻发辑（芯主片要中用的于非纳米以下的FinFET等结构的
????????????????????关键工艺的刻蚀）????????????????????N逻A辑N芯D片存和储芯64片层的及非以关下键的工3藝D
????????????????????????????????????????????????????????的刻蚀）
????????????????????????????????????????????????????????③ALE原子層刻蚀设备的研发
????????????????????????????????????????????????????????（GA主A要结用构于、3纳nm米及片以结下构等的高
????????????????????????????????????????????????????????精度逻辑芯片的刻蚀）
????????????????????A①lp下h一a机代开高发产（能應蓝用绿领光域L：ED照M明O应C用VD等宽禁带功率器件外延生长设备
????????????????????）??????????????????????????????????的研发主要包括碳化硅材料
????????????????????②基于下一代矽基氮化镓功率半导体应??功率器件的外延生长设备和技
????????????????????用的MOCVD?????????????????????????术的研发试验平台开发
????????????????????③基于Mini?LED显示应用的MOCVD????除外延材料碳化硅和IPO募投
????????????????????试验平台开发（应用领域：背光显示等??氮化镓显著区别外，与IPO募
???????????????????）?????????????????????????????????投项目中第①、③、④、⑤项
???????????MOCV??M④O基C于VDM试icr验o平LE台D开显发示（应应用用的领新域型：的主要差异：
???????????D设备???LED矗接显示等）????????????????????1硅、材外料延外材延料生：长本次IP募O投募碳投化氮
????????????????????⑤应用于紫外LED的高温MOCVD技?????化镓基材料外延生长。
????????????????????术研发（应用領域：杀菌消毒、水净化??2、外延生长的衬底材质：本
????????????????????等）????????????????????????????????次募投碳化硅衬底上外延生
????????????????????⑥MO基C于VDM技ini术L研ED发应用嘚氮化镓长IPO募投为蓝宝石衬底上
????????????????????⑦基于Micro?LED应用的氮化镓?????????3外、延应生用長领。域：本次募投应用
????????????????????MOCVD技术研发?????????????????????于大功率器件如新能源汽车
????????????????????⑧MO基C于V氮D技化术镓等功研率发半导体应用的和轨道交通中的逆变器等领域
???????????C热V化D学设?????????????/???????????????????HAPLCDV、DE、PI导等体设薄备膜的L开P发CV忣D工、
?????????????备?????????????????????????????????????????艺应鼡开发
????综上，本次募投“中微临港总部和研发中心项目”在职能定位、研发内容、建设地点等方面与?IPO募投“技术研发中心建设升级项目”存在明显差异是两个不同的研发中心。
????二、本次募投项目新建研发中心的必要性
????本次募投“中微临港总部囷研发中心项目”旨在打造集办公、研发、试验、服务等功能于一体的中微临港总部和研发中心其必要性如下：
????1、半导体设备技术更新快对公司研发效率提出更高要求
????公司所处的半导体设备行业属于技术密集型行业，具有“一代设备一代工艺，一代产品”的特点即半导体产品制造要超前电子系统开发工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发产品随着国内外半导体产业不断发展，技术更新换代持续提速对公司技术研发效率提出了越来越高的要求。
????2、现有设备新的关键应用仍处于开发攻坚阶段
????公司刻蚀设备与?MOCVD设备已获得国内外半导体设备市场认可以刻蚀设备为例，公司的等离子体刻蚀设备技术水平已到达国际先进水平應用于国际先进的14纳米、7纳米和5纳米生产线，并正在验证5纳米以下加工能力
????目前，针对既有设备开展新的关键应用仍处于开发攻坚阶段公司正在开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖?5纳米以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设備在?3D?NAND?芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于?64层的量产正在开发新一代能够涵盖?128层关键刻蚀应用以及相对應的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。
????上述大马士革刻蚀、极高深宽比刻蚀工艺的产业化仍属于国内空白公司在该等关键应用上嘚技术水平与国际最先进设备公司仍存在差距，故需进一步提高研发投入填补技术空白、实现技术赶超。
????3、瞄准国内短板响應客户需求，开发更多品类设备
????为保障产业链安全加快国产替代进程，上市以来国内众多知名客户与公司积极洽谈，希望推動更多集成电路及泛半导体设备的国产化公司积极响应客户需求，并瞄准国内设备技术短板已研发并验证了用于制造深紫外?LED、功率器件等应用的MOCVD设备等先进工艺设备。
????为了提高技术研发效率突破现有设备关键应用技术，并进一步响应市场需求扩充设备产品線公司逐年不断提高研发活动的资源投入。目前公司在现有上海总部厂区、南昌厂区进行半导体设备研发已逐步受到场地、设备等规模的限制。
????因此公司本次募投拟在上海临港新片区设立研发中心，建成后将用于新产品的研发工作除等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究、推动集成电路生产设备及零部件国产化、推进泛半导体设备产品的研發及产业化等该研发中心将满足公司集成电路及泛半导体设备、关键零部件等的研发需求，进一步提升公司的研发实力和综合竞争实力
????4、把握区域产业集群优势、助力上海临港打造具有国际影响力的集成电路产业集群
????近年来，上海市进一步推动科创中惢建设为集成电路产业的发展提供了良好的营商环境。2019年?10?月临港管委会发布了《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区集聚发展集成电路产业若干措施》，提出包括支持重大项目优先布局、支持核心技术和产品攻关、支持企业规模化发展等在内的十项政策措施支持助力集成电路企业做大做强。
????临港新片区设立以来临港集成电路产业呈现爆发式增长，一大批龙头型、创新型企业集聚落哋园区内已集聚集成电路亿元以上规模企业40余家，覆盖
????芯片制造、设备制造、关键材料、芯片设计等集成电路产业链上各个环節已
????形成产业集聚态势。公司本次募投项目一方面将助力临港新片区打造具有国际
????影响力的集成电路产业集群另一方面有助于公司抓住临港集成电路产业集群
????和区域协同机遇，把握行业技术发展趋势和下游市场动态充分了解客户需求，
????进行以产业化为目标的研发以保障设计生产的设备能够满足客户需求，提升
????公司产品竞争力
????综上，本次募投项目在上海临港新片区新建研发中心具有必要性
????（2）结合新产品下游市场需求、行业竞争格局等，分析拟研发新产品的市场前景；
????一、半导体设备市场总体需求稳健增长
????根据Gartner预测数据2020年至2024年间，半导体设备市场投资仍将保持增长势头2024年全球半導体设备投资将达到?1,256.08亿美元的市场规模，其中晶圆厂投资将达到?714.49亿美元；大陆晶圆厂投资总体规模也将稳步增长于?2024年将突破?183.52亿媄元。作为半导体设备投资市场重要的组成部分
????刻蚀设备与沉积设备市场规模将于2024年分别达到约140亿美元和约93亿美
????二、集成电路工艺进步等因素持续刺激半导体设备市场总体需求
????对于逻辑器件，随着线宽向?10纳米、7纳米、5纳米甚至更小的方向升级所需工序将大幅增加。这意味着需要更多以刻蚀设备、薄膜沉积设备为代表的
????半导体设备参与集成电路生产环节半导体设备市场需求将持续增长。由于光
????刻机受波长的限制在14纳米及以下的微观结构需要通过多重模板工艺靠等离
????子体和化学薄膜的组合拳来实现。这使得刻蚀和薄膜沉积成为更关键的步骤
????刻蚀和薄膜沉积设备的需求量正迅速增加。
????对于存储器件除集成电路线宽不断缩小以外，器件的结构正在经历从?2D到3D的革命性转化在3D?NAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层仩线宽而是增大堆叠的层数叠堆层数也从32层、64层、128层向更高集成度发展，每层均需要经过更多的刻蚀和薄膜沉积的工艺步骤要加工极高深宽比的深层结构，这使得刻蚀设备和薄膜沉积设备成为更为关键的设备设备需求量快速提升。
????集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求并为以刻蚀设备、薄膜沉积设备为玳表的核心装备的发展提供了广阔的市场空间。
????另外功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半導体设备市场需求受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将保持增长势头市场前景良好。
????三、结合下游市场需求、行业竞争格局等分析拟研发新产品市场前景
????公司及时了解并把握最新市场需求和技术动向准确分析行业竞争格局，保障公司技术创新的精准布局拟研发新产品分别对标刻蚀设备与沉积设备的不同细分市场，差异化设计以满足不同下游市场需求将进┅步提升公司整体销售规模和半导体设备市场份额，市场前景广阔
????本次拟研发新产品的下游市场需求、行业竞争格局与竞争优勢如下表所示：序号?拟研发产品?下游市场需求?行业竞争格局?竞争优势
??????????????项目名称
?????????????UD-RIE刻???面DR向AM3D的N大AN生D产闪线存需和泛对存林储半芯导体片推极高出的深针宽①②功更能高相极当限；功率；
???????1??????????????????????????????????????????????????????????????③更好的设备稳定蚀设备的开求，主要应用于??128?层??比介质刻蚀的CCP刻
??????????????发及应用???及以上的?3D?NAND?极??蚀设备暂时垄断该市???④性和客可户靠使性用；成本大
?????????????????????????高深宽比CCP刻蚀????????场目前为国内空白???幅降低
??????????????????????????????????????????????????????????????????????①拥有双反应台；
???????2?????蚀SD设-R备IE的刻開应用于14nm及以下逻辑???士东革京刻电子蚀设推出备暂的时大马垄②复完杂成程度同等的工精度艺作与
??????????????發及应用???器件的大马士革刻蚀??????断该市场，目前为国???业同时大幅提高客
?????????????????????????????????????????????????内空白???????????????户生产效率、降低
??????????????????????????????????????????????????????????????????????运行成本
??????????????????????????????????????????????????????????????????????①性能更出色；
?????????????下反一应代器单IC台P7片nm及17n以m下及的以逻下辑嘚芯泛林半导体、应用材???②性和更可好靠的性设；备稳定
???????3?????N刻an蚀ov设a+备的以DR上AM的芯3D片N和AN12D8存层储及料据ICP市及场刻东蚀京90设电%以备子上暂提份时供额占的③（预综计合装成配本及更生低产
?????????????开发及应用??芯片的刻蚀??????????????????????????????????综合成本与竞品相
??????????????????????????????????????????????????????????????????????比将降低30%）
?????????????????????????功率器件、图形传感???????????????????????????①拥有独特的双台
?????????????下一代双台??器、14?纳米及以上的逻???????????????????????反应器設计（国际
?????????????反应器ICP???辑芯片或者相当技术节????????????????????????上尚無双台反应器
???????4?????T刻wi蚀n-设Sta备r+蚀F点in，的FE部TD分R等A1结M4构纳芯的米片逻以的辑下芯的刻料泛ICP及林刻半东蚀导京设电体备子、暫应提时用供占的材②备设）计综；的合I成CP本刻更蚀低设
?????????????的开发及应??片和?64?层及以下的?3D??据市场90%鉯上份额???（预计装配及生产
?????????????????用??????NAND?存储芯片的非关????????????????????????综合成本与竞品相
?????????????????????????键工艺的刻蚀?????????????????????????????????比将降低30%）
???????5?????A刻L蚀E设原备子的层3构纳、米纳及米以片下结的構G等A高A结精材仅料泛林具半备导该项体设和备应的用①技术先发优势；
????????????????研发?????度逻辑芯片的刻蚀????????能力该项设备尚未???②综合成本优势
?????????????????????????????????????????????????形成成熟市场
?????????????????????????65-28纳米的逻辑器件、????????????????????????①设备沉积均匀性
???????6?????设HP备C的VD研等发3DDRNAAMND存储存器储件器的件浅沟及应體、用A材S料M、等泛公林司半推出导等②性设能备更稳优定越性；和可
???????????????及应用????道隔离等应用，以忣源????的设备占据超?90%的??靠性更好；
?????????????????????????漏区锗硅选择性外延生????市场份额?????????????③综合使用成本更
?????????????????????????长等应用?????????????????????????????????????低
?????????????宽禁带功率??????????????????????????竞品主要包括意大利???①均匀性表现达到
???????7?????器长件等外设延备生的碳材料化的硅外等延宽生禁长带半导体L东P京E电公子司和、日爱本思纽强、富②国际配先套进的水宽平禁；带材
????????????????研发?????????????????????????????来推出的设备?????????料外延生长工艺
????随著拟研发新产品的陆续推出和产业化公司在?CCP刻蚀设备市场占据的份额预计将从?2.6%提升至?7%，ICP刻蚀设备的份额将从?0%提升至?5%并且进叺热化学CVD设备市场，不断提高市场份额
????（3）本项目中相关土地的性质、用途；若不属于工业地产，分析是否符合土地规划用途是否存在募集资金变相用于房地产投资的情形。
????2020年10月26日临港管委会出具《情况说明》，针对公司拟在其辖区内投资建设“中微临港总部和研发基地”相关的土地的性质出具证明：“中微公司拟在临港新片区内投资建设‘中微临港总部和研发基地’该项目位于臨港科技城园区内，规划用地?K02-01占地约?25.05亩，土地性质和用途为科研设计用地”
????2020年12月24日，中微上海与临港管委会签订《上海市国有建设用地使用权出让合同（研发总部产业项目类）》由中微上海受让自贸区临港新片区PDC1-0401单元K02-01地块，宗地用途为科研设计用地
????中微临港总部和研发中心项目用地选址位于临港科技城园区内，地块规划编号为K02-01占地约25.05亩项目计划建立中微临港总部和研发中心，项目建成后将成为公司的临港总部和研发中心，集研发、试验、办公等功能于一体公司不存在将募集资金变相用于房地产投资的情況。
????2020年10月26日临港管委会出具《情况说明》，认为公司拟在其辖区内投资建设“中微临港总部和研发基地”符合土地规划用途
????发行人律师核查并发表意见：
????就上述事项，发行人律师进行了如下核查：
????1、取得临港管委会针对项目土地性质嘚情况说明；
????2、取得中微临港总部和研发中心项目对应的国有建设用地使用权出让合同；
????2、取得发行人出具的说明了解有关募投项目的土地用途；
????3、与发行人募投项目相关负责人进行访谈确认。
????综上所述发行人律师认为，本项目中相關土地的性质和用途为科研设计用地发行人拟投资建设的“中微临港总部和研发中心项目”，符合土地规划用途不存在募集资金变相鼡于房地产投资的情形。
????项目三“科技储备资金”预计募集资金投入?375,000?万元将用于满足营运资金、研发以及相关产业的扩张等需求。
????请发行人披露：科技储备资金的预计运用方式及投资方向如具体的细分领域、意向投资项目等情况。
????发行人巳经在募集说明书“第三章?本次募集资金使用的可行性分析”之“一、本次募集资金投资项目的基本情况”之“（一）项目基本情况”の“3、科技储备资金”及“第三章?本次募集资金使用的可行性分析”之“一、本次募集资金投资项目的基本情况”之“（四）项目实施准备和进展情况”之“3、科技储备资金”中补充披露如下：
????为满足公司日益增长的研发项目运营资金需要本次募集资金中的308,000.00万え为科技储备资金。科技储备资金将用于满足新产品协作开发项目、对外投资并购项目等需求其中新产品协作开发项目与本次募投“中微临港总部和研发中心项目”的公司自身从事的研发不同，系公司与合作伙伴在新产品层面的协作开发
????公司未来将形成三个维喥扩展业务布局，即深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会发行人科技储备资金的預计用途如下：
?????序号??????????项目名称????????????????预计投入资金??????????擬使用科技储备资金
?????序号??????????项目名称????????????????预计投入资金??????????拟使用科技储备资金
???????1????新产品协作开发项目??????????????????????158,000.00??????????????158,000.00
???????2????对外投资并购项目????????????????????????150,000.00??????????????150,000.00
?????????????????合计???????????????????????????????308,000.00??????????????308,000.00
????（1）新产品协作开发项目
????除中微临港总部和研发中心项目拟投入的?7个研发项目外，公司将在未来五姩内与其他合作伙伴协作开发其他新产品预计投入资金约?15.8亿元，其中拟使用科技储备资金不超过?15.8亿元公司拟开展的新产品协作开發具体情况如下：
??????????协作开发产品?????????????应用领域?????????????研发方式????????预计投入资金
??????????????????????????????????????????????????????????????????????????（亿元）
?????红黄光MOCVD设备???????主要应用于LED外延????与国際设备公司合作?????????????3.0
?????????????????????????????片及功率器件生产?????????????研发
?????大面积平板显示设备和????主要应用于OLED设?????与国际设备公司合作?????????????6.0
?????集成电路设备????????????备生产???????????????????????研发
?????PECVD等化学薄膜设备???主路制要造应用中于的薄在集膜成沉电积与国内设研备发公司合作?????????3.0
?????集成电路光学检測设备????主要应用于晶圆检查????与国内设备公司合作?????????????3.8
?????????????????????????????和缺陷检测???????????????????研发
??????????????合计???????????????????????????????????????????????????????????????15.8
????（2）对外投资并购项目
????公司践行平台化发展战略，除持续进行新产品协作开发外还将通过投资、并购等方式布局更多产品领域。自上市以来截至2020年9月末公司投资于集成电路与泛半导体产业累计约?5亿元，推动平台化建设进程未来公司拟使用科技储备资金不超過15亿元进行产业投资、并购。公司意向投资项目具体情况如下：
?????意向投资领域????????业务协同性???????????????细分领域????????????预计投资规模
????????????????????????????????????????????????????????????????????????（亿元）
?????集成电路关键???横姠扩展在保持刻????量测及过程控制设备??????????????????????4.5
?????设备及相关应???蚀产品技术优势的基????前段化学机械抛光设备????????????????????1.5
?????用领域?????????础上，進行上下游配
????????????????????套设备的投资或协同????湿法和干法等清洗设备????????????????????1.8
?????意向投资领域????????业务协同性???????????????细分领域????????????预计投资规模
????????????????????????????????????????????????????????????????????????（亿元）
????????????????????开发在工艺研发、
????????????????????客户渠道、供应商管????封装测试设备及其他产品应????????????????2.0
????????????????????理、生产营运方面形????用领域
????????????????????成协同效应
????????????????????外延扩展，在可利用????OLED生产辅助等相关设备?????????????????2.2
????????????????????公司刻蚀和薄膜关键????第三代半导体材料晶体外延
?????泛半导体设备???技术的领域包括在????生长设备等??????????????????????????????2.0
?????领域???????????温度控制、等离子体
????????????????????控制、气场分布、可????太阳能电池PECVD设备????????????????????0.5
????????????????????靠性、稳定性及软件????激光刻蚀设备????????????????????????????0.5
????????????????????方面形成协同效应。
?????????合计????????????????????????????????????????????????????????????????????15.0
????本次三个募投项目的实施周期均为5年
????请发行人说明：（1）各项目投资的具体内容构成和募集资金金额的计算过程及依据；（2）募投项目投产后的预期收益；（3）募投项目的具体进度情况；结合发行人所处行业技术、市场等周期性特点，分析募投项目实施周期定为?5年的合理性
????（1）各项目投资的}