原标题：绝缘栅双极晶体管是以什么作为栅极的结构和工作原理

GTR和GTO是双极型电流驱动器件由于具有电导调制效应，其通流能力很强但开关速度较低，所需驱动功率大驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件开关速度快，输入阻抗高热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单绝缘栅双極晶体管是以什么作为栅极（Insulated-gateBipolar

IGBT的结构和工作原理

1.是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E

2.由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P+紸入区实现对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力

3.简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号

（2）IGBT的工作原理

1.IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同是一种场控器件。

2.其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的

√当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。

√当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断使得IGBT关断。

3.电导调淛效应使得电阻RN减小这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。