51单片机访问片外ROM（取指令代码、执行MOVC指令）时/PSEN出现短暂的低电平；

51单片机访问片外RAM（执行MOVX指令）时，/WR或/RD出现短暂的低电平

它們三条线，就是楼主问的读写控制信号

虽然访问片外存储器时，/EA 和 ALE 也起了作用但是它们都不在回答本题的范围之内。

ALE/PROG 地址锁存控制信號：在系统扩展时ALE用于控制把P0口的输出低8位地址送锁存器锁存起来，以实现低位地址和数据的隔离ALE有可能是高电平也有可能是低电平當ALE是高电平时，允许地址锁存信号当访问外部存储器时，ALE信号负跳变（即由正变负）将P0口上低8位地址信号送入锁存器当ALE是低电平时，P0ロ上的内容和锁存器输出一致

在没有访问外部存储器期间，ALE以1/6振荡周期频率输出（即6分频）当访问外部存储器以1/12振荡周期输出（12分频）。进行扩展时ALE会以1/6振荡周期的固定频率输出因此可以做为外部时钟，或者外部定时脉冲使用

PORG为编程脉冲的输入端：PSEN 外部程序存储器讀选通信号：在读外部ROM时PSEN低电平有效，以实现外部ROM单元的读操作

1、内部ROM读取时，PSEN不动作；

2、外部ROM读取时在每个机器周期会动作两次；

3、外部RAM读取时，两个PSEN脉冲被跳过不会输出；

4、外接ROM时与ROM的OE脚相接。

EA/VPP 访问和序存储器控制信号

CPU读取内部程序存储器（ROM）

扩展外部ROM：当读取內部程序存储器超过0FFFH（8051）1FFFH（8052）时自动读取外部ROM

2、接低电平时：CPU读取外部程序存储器（ROM）。 在前面的学习中我们已知道8031单片机内部是没囿ROM的，那么在应用8031单片机时这个脚是一直接低电平的。

3、8751烧写内部EPROM时利用此脚输入21V的烧写电压。