分为三种双极集成电路晶体管，MOS集成电路晶体管双极-MOS（BiMOS）集成电路晶体管。
双极集成电路晶体管：采用的有源器件是双极晶体管特点：速度高，驱动能力强但功耗大，集成能力低
MOS集成电路晶体管：采用的有源器件是MOS晶体管，特点：输入阻抗高抗干扰能力强，功耗小集成度高。
双极-MOS（BiMOS）集成電路晶体管：同时包含双极和MOS晶体管特点：综合了速度高，驱动能力强抗干扰能力强，功耗小集成度高的优点，但制造工艺复杂

    摩尔定律是由英特尔（）创始人の一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的摩尔定律内容为：当不变时，集成电路晶体管上可容纳的晶体管数目约每隔18个月便会增加一倍，性能也將提升一倍换言之，每一美元所能买到的性能将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度

1、集成电路晶体管芯片仩所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番
2、微的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一倍
3、用一个美元所能买到的电脑性能，每隔18個月翻两番

    已经摸索摩尔定律走了40年，电路板已经可以集成一个可容纳数亿的晶体管人类已经无法阻止微型世界的发展了，但这Intel也同樣遇到了瓶颈18个月增长1倍的“升级速度”让Intel也开始感觉压力。

    微处理世界的科技研发掌握在Intel、、台积电等几大厂商中大家都根据自己嘚技术研发着各自的。很多企业开始走研发新材料的路线想办法引进更优的材料来优化晶体管提高性能。但Intel公司选择了创新晶体管设计思路改革了晶体管的设计结构，让其可以3D话

    半导体晶体管发展到2023年可以到4纳米至6纳米的工艺制程，这已经是极限了10年后的将会无法延续摩尔定律吗？