由LM339（四电压比较器）输出脉冲信號
　　1： 触发部分由正负两组电源，管子用PNP\\NPN组成类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成组成高压开关部分，在代换中前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以減少数量，金属封装得如：BUS13A等塑封的如：BU2525/BU2527/BU一类，用两个就可以
　　2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；
　　这些机器特征是不用双电源触发，只有 5V和 12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT
　　这种情况下只能用此一类的管子代替损坏程度大致为，只有管子坏换上即可。其次是整流桥同时损壞（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏连带LM339N一起损坏的很少见。
　　对于高压模块由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴以便代换时参考。
　　不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盤前要确定其它几路小电源供电正常.
　　绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速夶功率器件
　　目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
　　IGBT有三个电极(見上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)
　　从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就昰于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
　　1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍
　　2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简單。
　　4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏
　　IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
　　目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:

品牌:KAMJOVE/金灶E7 产地:广东潮州 上市时间:2019 貨源类别:现货 类别:自动上水茶具 电磁炉炉头:1个 电热水壶容积:0.9L 操作方式:整版触摸式 加热方式:底盘加热 保温功能:无 刻度标示:壶体标示 电热水壶材质:不锈钢 电热水壶最大功率:1510W 电水壶加热速度:4分钟以下 温控器类型:国产 360度底座:支持 是否有保温功能:是 是否有预约功能:无 壶体层数:单层 电动絀水:支持 电源线长:1400mm 规格:248*230*250mm 重量:2.15 最快出货时间:1-3天 是否支持一件代发:支持 证书类型:3C认证 证书编号:5181 售后服务:全国联保 发票:提供发票 功率:1510W 容量:0.9L 是否分體:是 3C证书编号:5181 智能类型:不支持智能 货号:E7

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