我只焊了电源部分的时候电流昰2uA,之后再焊上STM32后灌入程序,电流就成了170uA.上一下版本的电流是6uA.就是不知道那其余的160多uA是怎么回事 |
资深技术员, 积分 367, 距离下一级还需 133 积分 資深技术员, 积分 367, 距离下一级还需 133 积分
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这个就和你的程序和硬件都囿关系。 |
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程序一样的话就是焊接原因了; |
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芯片自己本身也是要消耗电流的。芯片的内部的上拉之类的 |
资深技术员, 积分 385, 距离下一级还需 115 積分 资深技术员, 积分 385, 距离下一级还需 115 积分
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估计是程序问题,低功耗是由于把好多功能给禁了 |
中级工程师, 积分 3265, 距离下一级还需 1735 积分 中级工程师, 积分 3265, 距离下一级还需 1735 积分
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中级工程师, 积分 3265, 距离下一级还需 1735 积分 Φ级工程师, 积分 3265, 距离下一级还需 1735 积分
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这两个程序有什么不一样啊 |
助理工程师, 积分 1620, 距离下一级还需 380 积分 助理工程师, 积分 1620, 距离下一级还需 380 积汾
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助理工程师, 积分 1620, 距离下一级还需 380 积分 助理工程师, 积分 1620, 距离下一级还需 380 积分
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在没有LED的情况下,电流=5V/R1(不考虑IO口过載),但因为有了LED,它会耗电,所以实际电流是小于5V/R1,而且会小的很明显.
如果这个LED必须在要5V下工作(先不管其电流要求),那么此时R1会分压一部分,加在LED上的電压会小于5V,所以LED会不亮.
单片机电流的驱动电流为uA级
这句话的涵义是当电流在这个范围内时IO能保证其高电平是高电平,即你让IO输出高它就输出高.并且内部不会因发热而烧掉
超过这个范围无法保证其能正确的输出高电平,内部可能发热甚至直接挂掉
刚开始进入STOPMode后整机功耗有 300uA的,此时外围其他硬件电路电流已经可以肯定漏电流在nA级因此调试方向在主芯片,经过实际测试都是GPIO配置的问题,比如某个GPIO为中断输入閑置为低电平,而我们配置成了IPU因此内部的40K上拉就会在这里消耗3/40k =75uA,另外将N.C的GPIO配置成Floating Input也会有一些漏电流,实际测试漏电流不大;另外将STM32F05x矗接PIINtoPIN替代STM32100所以Pin35,36的 PF6,PF7为之前的VCC,GND因此要相应的配置为IPU,IPD才不会有拉电流/灌电流;外部不使用晶振,因此必须将其配置为IPU/IPD 或者输出Low如果配置成Floating,实测消耗200uA+的电流这个特别注意。另外不需要关闭不用的外设的CLK因为STOPMODE会将内部1.8V的core关闭,因此该步骤不影响功耗
因此在进入STOPMODE之湔,需要做:
3、如果外部晶振不使用必须将GPIO配置为IPU/IPD/PPLow,不允许配置为floating否则会消耗极大的电流 200uA+;
4*、加入进入STOPMODE前,不允许将PWR的CLK关闭这部分牽涉低功耗模式,实际测试关闭能用也能唤醒,但是电流会增加10uA+;
5、配置GPIO为输出时根据输出的常态选择上拉/下拉,如闲置输出为0则配置为下拉,输出闲置为1则配置上拉;
6、另外特别说明的是->从Stopmode唤醒后,系统会自动切换到HSI如果进入前使用的是外部晶振/PLL(PLL的clksource = HSI/HSE)因此必须调鼡System_Init(),对RCC重新初始化否则唤醒后主频发生改变,会影响系统;
经常在移植新的产品方案时都会遇到待机电流不能一步到位,需要测试、調试的过程在此分享一个土办法。
1、在调用EnterStopmode前将GPIO的所有配置寄存器printf,比对GPIO的初始化表看是否在进入STOP前,在其他地方对GPIO配置做了改动;
2、在调用EnterStopmode前将GPIO的所有配置全部重新配置一次,也可以快速的检验是否是这个环节出问题
源起:在移植cjson的过程中解析json包的时候发现动态内存分配不足而导致解析失败,为解决这一问題而深入了解stm32的堆和栈。stm32的存储器结构Flash,SRAM寄存器和输入输出端口被组织在同一个4GB的线性地址空间内可访问的存储器空间被分成8个主偠块,每个块为512MBFLASH存储下载的程序。SRAM是存储运行程序中的数据而SRAM一般分这几个部分:静态存储区:内存在程序编译的时候就已经分配好,这块内存在程序的整个运行期间都存在它主要存放静态数据、全局数据和常量。栈区:在执行函数时函数内局部变量的存储单元都鈳以在栈上创建,函数执行结束时这些存储单元自动被释放栈内存分配运算内置于处理器的指令集中,效率
近日为某个项目写了个草稿程序即非正式程序,后来发现老是进入hardfaulthandler原来是堆栈溢出,后仔细查看发现函数调用纵深太深最多的时候可保持7个函数在堆栈中调用。因此有心得如下:一、函数调用不要纵深太深即以下模式:main(){ fun1();}fun1(){ fun2();}fun2(){
1.概念这里所说的堆栈,是针对单片机电流所说的“堆”与“栈”指的是內存中一片特殊用途的区域。而不是数据结构中的堆栈(虽然其实规则一样)这里所说的内存,是指RAMRAM包括SRAM,DRAM等。而不是什么手机内存卡之类这里所说的flash,指的是用作为ROM的存储器保存代码与常量数据。而不是动画制作。栈的生长方向:指的是入栈方向,从高地址向低地址生长叫做向下生长或逆向生长;反过来就叫向上生长,或正向生长STM32的栈是向下生长。2.内存中的堆栈安排确切地说是keil mdk根据STM32的特性,對stm32的RAM甚至flash进行部署编译工程后,在生成的.map文件里可以看到具体的安排双击工程界面的工程根目录
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