请问mosfet饱和区求Id的公式里各个量都代表什么?

可变电阻区和饱和区的界限是预夾断点 Vgs-Vp=Vds

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可变电阻区与饱和区界线为VDS=VGS-VT

参考资料: 电子技术基础(模拟部分)

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【摘要】:用精确的和多种近似嘚MOSFEI电流特性公式处理同一试样上测得的输出特性的转移特性,结果表明用近似公式I_(Dsat)=Z/L/2μ_(?)C_(8x)(V_G-V_r)~2算出的迁移率值比精确公式算得的伍小了30%左右,这种有效迁移率的减小是因为推导电流公式时忽略了衬底体电荷处理线性区数据求迁移率的公式μ_(?)=gm/Z/LC_(cx)V_D可由精确公式直接导出,因此用这一公式算出嘚迁移率值与精确公式算得的值同样正确。


花吉珍;陈宏泰;杨红伟;陈国鹰;;[J];半导体光电;2008年06期
李思渊,李寿嵩,张秀文,杨映虎,裘会芳,盂益民,柳南辉,郑秩,马莉莉,张同军,田仁杰;[J];半导体技术;1981年06期
张德骏,苗庆海,张兴华,曹红,贾颖;[J];半导体技术;2001年08期
潘宏菽,朱石平,李明月,吕仲志,张颖秋,周名辉,崔现锋;[J];半导體技术;2001年11期
张伟;王玉东;熊小义;许军;单一林;李希有;刘爱华;钱佩信;;[J];半导体技术;2006年01期
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