可变电阻区和饱和区的界限是预夾断点 Vgs-Vp=Vds
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可变电阻区与饱和区界线为VDS=VGS-VT
参考资料: 电子技术基础(模拟部分)
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【摘要】:用精确的和多种近似嘚MOSFEI电流特性公式处理同一试样上测得的输出特性的转移特性,结果表明用近似公式I_(Dsat)=Z/L/2μ_(?)C_(8x)(V_G-V_r)~2算出的迁移率值比精确公式算得的伍小了30%左右,这种有效迁移率的减小是因为推导电流公式时忽略了衬底体电荷处理线性区数据求迁移率的公式μ_(?)=gm/Z/LC_(cx)V_D可由精确公式直接导出,因此用这一公式算出嘚迁移率值与精确公式算得的值同样正确。
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