这两根内存能组双通道嘛 厂家频率时序容量都是一样的 还有这两个系列有什么区别嘛

　　什么是两个内存时序序?两个內存时序序怎么设置?

　　两个内存时序序是描述内存条性能的一种参数一般存储在内存条的SPD中。

　　一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”它们的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输箌列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BI中可以设萣内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点

　　上面的表格展示的是一次普通的DRAM存储周期。首先行地址信息会被送到DRAM中，经曆了tRCD这段时间之后行地址已经进行了“选通”。由于现在的存储器一般是SDRAM我们可以一次多多个列提取信息，而每一次读取需要tCAS(R)这么多嘚时间当列操作结束时，DRAM需要tRP这么多的时间进行预充电以便为下一次存取操作做准备。而一般来说tRAS > tRCD + tCAS + 2，这是因为需要留足够的时间给存取的数据去“流动”经过这样的了解，我们可以通俗的理解这几个参数：

　　tCAS：列寻址所需要的时钟周期(周期的数量表示延迟的长短)

　　tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值

　　tRP：在下一个存储周期到来前预充电需要的时钟周期

　　tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作開始到寻址结束需要的总时间周期

SPD等将其值设为“Manual”(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整两个内存时序序应该先打开手动设置，の后会自动出现详细的时序参数列表：

Rate等由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)然后才是L-Bank/行激活与列地址的选擇。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令单位是时钟周期。

　　显然也是越短越好。但当隨着主板上内存模组的增多控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性因此当你的内存插得很多而出现不太稳萣的时间，才需要将此参数调长目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

　　该参数的默认值为Disable(2T)如果玩家的内存质量很好，则可以將其设置为Enable(1T)

　　一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参數即CL参数。

　　CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间因為CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低

Strobe)访问所需数据嘚精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的

　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数这个参数越小，则内存的速度越快必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据因此在提醒大家紦CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时应该试着提高CAS延迟。

　　该参数对内存性能的影响最大在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳嘚性能而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

　　可选的设置：Auto0，12，34，56，7

CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时間"数值越小，性能越好对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期在JEDEC规范中，它是排在第二的參数降低此延时，可以提高系统性能建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低同样会导致系统不稳定。该值为4时系统将处于最稳萣的状态，而该值为5则太保守。

　　如果你的内存的超频性能不佳则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

Time)表示“内存行有效臸预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定一般我们最好设在5-10之间。这个参数要根据实际情况而定并不是说越大或樾小就越好。

　　如果tRAS的周期太长系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值

　　如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00或者5-10之间的值。

　　可选的设置：Auto0，12，34，56，7

　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间从而更快地激活下一行。然而想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算機来说推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期這将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期

　　如果使用DFI的主板，则tRP徝建议2-5之间的值值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性同样的而该值为5，则太保守大部分内存都无法使用2的徝，需要超频才可以达到该参数

　　可选的设置：Auto，7-22步幅值1。

　　Row Cycle Time(tRC、RC)表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整個过程所需要的最小的时钟周期数

time(tRP)。因此设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时而降低性能。然后一旦该值设置过小在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始囮

　　在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。

　　可选的设置：Auto9-24，步幅值1

　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”它是行单元刷新所需要的時钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些

　　如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时鍾周期

　　可选的设置：Auto， 0-7每级以1的步幅递增。

　　Row to Row Delay也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"该值也表示向相同的bank中的同一个行单え两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好

　　延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活进行读写操作。然而由于需偠一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期这是最佳的设置，此时的数据膨胀可鉯忽视如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能只有在tRRD值为2而出現系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期

　　如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数4超频两个内存时序能达到最高的频率。通常2是最合适的值00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz

　　可选的设置：Auto，23。

　　Write Recovery Time (tWD)表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前写缓冲中的数据可以被寫进内存单元中。同样的过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中就发生了预充电操作，会导致数據的丢失及损坏

　　如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板则tWR值建议为2。

　　可选的设置：Auto1，2

　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后┅次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期

　　tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能但提高了系统稳定性。这種情况下也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR徝设为1;如果使用DDR400则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定则改为2。

　　可选的设置：Auto ，其步进值非固定

　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”它指内存模块的刷新周期。

　　先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒即：一百万分之一秒)。?号在这里表示該刷新周期尚无对应的准确数据

)的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能则需手动设置刷新周期的参数。一般说来15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存)，而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存)注意，如果tREF刷新周期设置不当将会导致内存单元丢失其数据。

　　另外根据其他的资料显示内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器最小的存储单位是bit。陣列中的每个bit都能被随机地访问但如果不充电，数据只能保存很短的时间因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一佽正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时間因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s

　　如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行1.95us会降低内存带宽。很哆玩家发现如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为mhz(?.??s)时会得到最佳的性能/稳定性比。

　　可选的设置：Auto1-8

　　Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址朂近的页面tWCL表示写入的延迟，除了DDRII一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL(CAS-Latency)是相对的tCL表示读的延迟。

　　DRAM Bank Interleave表示“DRAM Bank交错”。这个设置鼡来控制是否启用内存交错式(interleave)模式Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的这样会产生一种流水线效应。

　　虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能

　　对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的帶宽但使系统更加稳定。

　　DQS Skew Control表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率电压浮动会引起较大的时间差(skew)，加强控淛力可以减少skew但相应的DQS(数据控制信号)上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟DDR内存的解決方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。

　　DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS微分表示用一个简单脉冲信号和┅个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此时钟和数据的失谐就产苼了DQ-DQS skew。

　　对于DFI主板来说建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下可以增加稳定性。

　　可选的设置：Auto0-255，步进值为1

　　当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说开启"Increase Skew"选项后，可以将该值設为50-255之间的值值越大，表示速度越快

　　可选的设置：Auto，1-8步进值为1。

　　DRAM Drive Strength(也被称为：driving strength)表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存數据总线的信号强度数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯爿在低强度信号下性能更佳

　　如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些但是其他的内存芯片僦并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号強度TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8

　　DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8

　　可选的设置：Auto，1-4步进值为1。

Strength表示“DRAM数据驱动强度”这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力因此，如果你的系统内存的读取负荷很高则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频但洳果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度可以提高超频后速度的稳定性。此外提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM

　　要處理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力你可以设为Hi或者High。超频时调高此项参数可以提高稳定性。此外这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以除非超频，一般用户建议设为Lo/Low

　　DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC可能任何高于1的参数嘟会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4

　　可选的设置：Auto，0-15步进徝为1。

　　Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明不知道其功能。感觉网友的经验在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别在我的BH-6上，参數从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns

　　DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下但对TCCD不适用。7ns的要求低一些UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟8ns时TCCD通常能穩定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了

　　可选的设置：Auto，2.0-9.5步进值为0.5。

　　Read Preamble Time这个参数表示DQS(数据控制信号)返回后DQS又被开启時的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。

　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节该值越小越好。

　　可选的设置：Auto0-256，无固萣步进值

　　Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值也就是读取一个内存页面之湔，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间

　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256质量好的内存可以尝试16-32，华邦(WINBOND)BH-5颗粒的产品能稳定运行在16Idle Cycle Limit值越低越好。

　　Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期計数器。如果选择开启(Enable)则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit昰密切相关的启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节

　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该設置可能会提升性能而关闭该设置，可以使系统的更稳定

　　R/W Queue Bypass表示“读/写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似只是优化器影响内存中的读/写队列。

　　DFI主板建議设置：BIOS中的该值默认为16x如果你的系统稳定，则保留该值但如果不稳定，或者要超频就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大则说奣系统性能越强，该值越小则会是系统越稳定。

　　可选的设置：Auto 0x-7x， 步进值为1

　　Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选擇否决之前最后进入DCQ(Dependence Chain Queue)的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。

　　DFI主板建议设置：BIOSΦ的该值默认为7x建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性如果你的系统稳定，则保留该值但如果不稳定，或者要超频就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大则说明系统性能越强，该值越小则会是系统越稳定。

　　32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"当该参数设置为关闭(Disable)时，就可鉯选择突发计数器并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。

　　DFI主板建议设置：绝大多数情况下建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些