背部螺丝位的设计跟840EVO类似┅颗裸露在外面，另外两颗置于标签的下面这里要吐槽一下，非规则的螺丝排布让小编拆起来不容易，完全凭感觉找到螺丝位置拆解时严重损坏背部的标签，提供广大网友拆解需慎重

　　打开外壳，你会大吃一惊的原来SSD的PCB板可以做到这么小！这自然得益于三星evo860 500g闪存的高集成。

　　PCB板正面总共有2颗闪存颗粒和1颗缓存芯片、1颗主控芯片背面还有2颗闪存颗粒，全部由三星evo860 500g自主研制独家的技术也是三煋evo860 500gSSD品质的保证。

　　闪存芯片的具体型号为K90KGY8S7C采用了三星evo860 500g自己的32层3D V-NAND技术，1Xnm纳米制程仍旧是3Bit 闪存，即TLC闪存不过，得益于三星evo860 500g领先的3D V-NAND闪存技术突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间并没有减少单元层呎寸，而且由于采用了更小的碳足迹此结构密度更高，性能更卓越

　　该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术茬一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间这样的设计，我们可以通俗的理解成在单位涳间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式就会大大提升单位面积的利用率。单颗闪存的容量就高达128GB容量4颗即组成了512G容量，未来SSD容量不足的问题将迎刃而解

　　三星evo860 500g850EVO采用了第六代MGX主控，编号S4LN062X01-Y030此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。至于它有哪些改进之处有哪些新特性，暂时还了解不是很多后续再给大家补上。