这个功放电路中间功放自举电容的作用用?

  我零散地玩了十几年电路叒以音频放大为主,看到过也实验过一些有意思的电路结构很久以来就有想法要和大家分享。这次要分析的是放大电路中的自举电路莋为一个没有上过一门电子学课,靠兴趣自学过来的DIYer我若下面讲的内容有错,请各位老师斧正!


  “自举”(翻译自bootstrap)这个词汇在多個领域可能见到(字面意思是提着靴子上的带子把自己提起来这当然不可能),在电路里面这是一个古老的技术。而且自举也不仅是茬放大电路中例如在电源里面也用到自举,但本人了解不多就不在此讨论了

* 音频功率放大器中的自举电容   这个自举电路是我最早見到的自举,在古老的分立半导体收音机功率放大部分经常见到(相比用输入输出变压器的那种其实也还不那么老了,不过收音机早都鼡集成电路了)就像下图中红框标出的部分这样。

又如在经典的 JLH 1969 功放电路里面(下图中

不过上面两个电路都包含了负反馈,倘若再弄嘚简单一些(不实用)来分析就成下面我画的这个电路了:

  这个电路是一级共发射极放大(Q2),加上一级互补射极输出器(Q1, Q5)如果先忽略洎举电容C1,那么 R4串联R5 一起构成了 Q2 的集电极负载电阻(3.7k)当然计算Q2电压增益的时候还要把 Q1/Q5 的输入阻抗考虑进去。Q2这一级电压放大的增益和集电極负载阻抗大致是成正比的(这里暂不考虑Miller效应、Early效应)如果后面射极跟随器的输入阻抗足够高的话,也就成了集电极负载电阻越大增益越大了。可是把直流工作点考虑进来要想集电极负载电阻越大而集电极电流不变的话,就要提高电源电压……所以集电极负载电阻選择受限


  好了,现在把集电极负载电阻拆成两段加进来一个自举电容,形成上面的样子直流工作点不变。现在Q2集电极负载电阻昰多少R4么?似乎不对看时域仿真分析吧:

仿真所示输出节点(R3, R1公共端)的电压波形: 100uF 自举电容加入以后(红色线),输出信号幅度比不加电容时(藍色线)大了一个数量级

  为什么会有这样的效果?上面电路中负载电阻 R4 一端接在Q1的集电极(按交流等效忽略三个二极管上压降的变囮),也是射极输出器的输入另一端经过自举电容接在射极输出器的输出。因为射极输出器是同相放大电压增益略小于但接近于1,这昰一种正反馈的接法将上面电路自举起作用的部分摘出来,画成下图:  


  第一级晶体管的输出看成是一个电流源射极输出器相当于┅个增益G约等于1的放大器,它有很高的输入阻抗 Zin 和较低的输出阻抗 Zout. 这里把自举电容的阻抗也合并到 Zout 中虽然在上面完整电路里面自举电容還接了一个电阻到电源(交流等效地),利用戴维南定理将它等效到放大器中(导致增益下降)第一级晶体管的输出阻抗和 Zin 是并联关系,可以合并看待
  如上的简化处理之后,电路的增益就不难计算了根据电流平衡,可以解得放大器输入端的电压是
  也就是从苐一级晶体管输出端看到的负载阻抗是 (R+Zout)/(1-G) 和 Zin 并联的值。换句话说自举这一技巧使集电极负载电阻约被“增大”了 1/(1-G) 倍
  不妨再用 spice 仿真验證一下如下:

  最后还有一个小问题:实际的功率放大电路中有负反馈控制了总的增益,那么自举电路是否还起到明显的作用实际仩,负反馈引起闭环增益的下降是使得前面共发射极电路的输入幅度降低,而单独看这一级的增益仍然是因为自举电路而提升的开环增益提高使闭环后的频率响应和失真率都改善更多,因此在以前功率放大器中常见这样的电路

* 利用自举提升输入阻抗   再把上面电路Φ的共发射极放大部分忽略,单独看射极输出器呢哦,电路缺了点啥——需要给射极输出器加上偏置啊偏置电阻也会成为输入信号的負载,使整个跟随器的输入阻抗降低不过,将自举电路的接法变形一下成下面这样之后……

  用刚才推导的“电阻倍增”原理,这個电路里面输入偏置电阻从原来的 R3+R1//R2 变为了 (1-G)*R3对输入阻抗的影响就消除了。不过要进一步提高输入阻抗Q1的负载需要减轻。下图是 Douglas Self 书里面里討论高输入阻抗电路时的一个例子

  这个图上有两级跟随器自举电容是从第二级后取出信号的,可以认为这样总增益更接近于1而且苐一个管子的输入阻抗也提高了。

* 交叉射级输出器中的自举电容   这个四管的两级射极输出器电路是我从黑田彻(日)的书上学来的在我淛作的一个耳机放大器模块中使用了。

  和第一个经典的自举电路有几分相似作用却不尽相同。首先按照前面的结论,R4+R6以及 R5+R7 分别被“倍增”了,等效阻抗提高注意,Q1 是射极输出器R4+R6现在是 Q1 的发射极电阻,当它被等效放得很大就相当于 Q1 发射极接了一个恒流源。同時自举电容也改变了 Q1, Q4 的集电极交流电位,使 VCE 几乎恒定——这样的好处是大大消除了晶体管集电结电容的影响在这个电路中减小了输入電容,提升高频性能

  小结一下,到目前我们看到了自举电路的几个用法:


(a) 提高共发射极放大电路的增益(也可以用在共基极放大电蕗)
(b) 提高射极输出器(跟随器共集电极电路)的输入阻抗
(c) 稳定射极输出器的发射极电流
(d) 使射极输出器的集电极电压跟随发射极

  以上电路囲同特点是:


(1) 从射极输出器(电压增益约为1)的输出用自举电容引出信号,馈送到它的前级
(2) 从低阻节点向高阻节点的反馈自举电容只有┅端是强驱动(电压输出)信号

* 省去自举电容   自举功放自举电容的作用用是隔直流,即只对交流信号有效采取自举后不改变直流工作点。倘若工作点选择合适也可以不用自举电容实现自举,如下面这个电路:

  注意 R6 的接法它是否被自举“倍增”了?

* 用运放替换射极輸出器   自举电路中增益约等于1的放大器除了用射极输出器实现,也可以用源极输出器、运放缓冲电路等实现下面电路中电位器用來调整反馈比例,也就是等效于改变增益从而使电阻“倍增”的倍数可调,实现可调的滤波器

构成自举中的放大器,C33是自举电容使 R41 等效“加倍”。注意这个“倍数”与VR5a并不是成线形关系的,猜想是特意为之不然不用自举电路,直接把R41换成电位器了


  再看一个複杂一点的,不那么明显的电路 (pdf里面的图就是这么不清楚了没办法):

  除了一个与电容串联的电阻用在频率补偿,其余几个电阻是为叻设置直流工作点的与增益无关。从JFET的栅极到运放输出电压增益为1,注意由于运放强大的开环增益,对交流信号来说JFET的 G, D, S极都是等电位的由于运放自举的作用,是管子的电流几乎不变D-S端电压也几乎不变。在这个电路里自举用来实现很高的输入阻抗。

  以上的自舉电路中关键部分——放大器(提供电流的缓冲器)的输出也是信号的输出。好象是添加少量阻容元件就增加了自举功能下面将要介紹的是,用缓冲器仅仅为了自举而不输出信号的电路。

* 场效应管的自举 Cascode   这是我个人很喜欢的电路下图是我做过的一个放大器的差汾输入级,在两个JFET上使用了自举

  这个电路中 Q5 Q6 两个管子是差分放大,静态电流由源极的公共电流源决定Q1 Q2组成镜像电流源负载,是很瑺见的电路接法Q3 和 Q4 是用来自举的,它们的基极跟随 Q5 Q6 的源极电压变化因此发射极也跟随 Q5 Q6 的源极电压变化。这个自举电路的目的是让 Q1 Q2 的 VDS 保歭恒定从而消除寄生电容 Cgd 的影响(因为JFET这个电容比较大,是缺点)R1, D1, D2, Q7 在这里的作用是利用二极管的稳压特性提供一个基本不变的偏置电壓。


  在此处如果将 Q3, Q4 看作缓冲器,那么它们输出的信号并没有被引出来使用只是用来确定 Q5 Q6 的漏极电压了。然而 Q3 Q4 的确是输出了信号的是从集电极输出的——应用时增益远大于1了。拆开来看Q3-Q5, Q4-Q6 都是 Cascode 电路,只不过共基极放大部分的基极电压随着差分对管而变动了——所以昰自举式的 Cascode.

  上面电路中Cascode的共基极三极管偏置方式稍微复杂了点如果换成适当的JFET,可以使这个Cascode很简洁如下面这样。

  这种接法对 JFET 嘚选择有所限制不是随便抓两个管子就行。因为需要保证在设定的电流下输入信号的那个管子(上图 Q1 Q2)VDS 等于它上面那个自举用的管子嘚 VGS.

* 运放电源自举   最后来看一种特殊的自举用法:改变运算放大器的电源电压,让两个电源端跟随输入端而动这样在那个被自举的运放看来,好象+端输入信号恒定一样——也就是消除了输入共模电压这个技巧被用来减少运放输入级的失真。

  如上图电源自举付出嘚代价是不小的,除了增加一个运放作为跟随器外还因为需要提供大电流使用了两个晶体管扩流。

  总结归纳一下上面例子电路中“洎举”的要点:有一个提供低阻抗输出的缓冲器(增益约等于1的放大器)它将参考节点的电压缓冲后施加到电路中另外的某个节点,使其交流电压随着参考接点作相同的变化结果是在某些元件或者部分电路的端子上产生恒压之效,提升电路的某方面性能

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  图1是一个典型的OTL电路电路中的C1稱为自举电容。它在电路中作用如何为分析方便将图1简画成图2。


    图2的电路中是没有C1的情况在功放中各级的放大管总是考虑充分利用的,即在输入信号U1的作用下放大管工作在接近饱和与截止。此时从充分利用输出管的角度出发希望BG1的集电极饱和此时VCE1=0.5~1V左右,故E点电位VE=-(24-VCE1)洇VCE1饱和压降非常小,可忽略不计所以VE=-24V当U1负半周达峰时,则BG1截止BG2导通并接近饱和此时VE接近为0伏,那么负载RL得到的高流电压平均峰值为12V

    仩述是理想情况下的情形,但实质上图2电路是做不到的当BG1饱和时,|VE|不可能达到V1这是因为BG1实质上是一个发射极输出器,所以VE≈VB当BG1导通時它的发射极流入负载的电流增大,从而使|VB|减小因此|VE|就不可能达到24V,这样RL的平均峰极电压将小于12V

    从以上分析可知,最简单的解缺办法昰用一个比24V高的电源电压来给BG1供电这样由于A点电压的提高,|VB|也就提高了于是放大器的输出电压幅度也有条件增加。电路中利用图1中的C1囷R5可在不增加供电电压的条件下来提高A点的电位其原理如下:在静态时VA=-(24-IC3*R5)≈-24V,而VE=EC/2=-12V那么电容C1上的电压VC1就是VA和VE之差是12V。因此电容C1被充电箌12V当加入信号U1,BG3导通时VE从-12V向更负方向变化(这是因为BG1开始导通)即|VE|增加由于A点电位VA=-(VC1+|VE|)因此随着|VE|增加,|VA|也自动增加例如当|VE|变到24V时,|VA|鈳达12+24=36V这就相当于A点由一个36V的电源供电一样。电阻R5的作用是把A点和电源EC隔开这样A点电压增加才有条件。

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引言  随着电子工业的发展,电子元器件急剧增加电子元器件的适用范围也逐渐广泛起来,在应用中我们常常要测定电容的大小[1]因此,一种简单、实用的电容测试工具在实际中具有一定的实鼡价值一般元件参数的数字化测量是把被测参数转换成频率后再进行测量[2],本设计采用555为核心的振荡电路将被测电容值转化为频率,并利用AT89S51处理器测量出频率再通过该频率值计算出电容参数值。2 系统的原理框图  系统主要采用了555定时器构成的RC振荡电路和单片机技术设计思路:被测电容C通过RC振荡转换成频率信号f,送入单片机测频对该频率进行运算处理求出被测电容的值,并送显示器显示系統框图如图1所示,其主要由测量电路和控制电路

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