一种抑制输出整流二极管反向电阻反向尖峰电压的电路包括由第一二极管反向电阻、第二二极管反向电阻、第三二极管反向电阻、第四二极管反向电阻与变压器的副边組成的全桥整流电路、第五二极管反向电阻、第六二极管反向电阻和第二电容，所述第六二极管反向电阻和第二电容连接组成一箝位电路所述箝位电路的一端与输出滤波电感的一端以及第一二极管反向电阻、第三二极管反向电阻的阴极连接，其另一端与第二二极管反向电阻、第四二极管反向电阻的阳极连接；所述第五二极管反向电阻的一端与变压器副边的中间绕组连接其另一端连接在第六二极管反向电阻和第二电容的相连端上。本发明专利技术的有益效果：很好的抑制了输出整流二极管反向电阻的反向恢复电压尖峰使得器件工作更可靠稳定，提高了变换器效率减小了电磁辐射。

本专利技术涉及隔离DC/DC变换器的全桥整流电路适用于大功率隔离型DC/DC变换设备，尤其涉及一種

技术介绍开关型电源变换器的输出整流二极管反向电阻工作在硬开关状态，在换流时变压器的副边存在寄生振荡下边将论述其产生原因及现有的抑制措施。整流桥的寄生振荡产生与变压器的漏感或附加的谐振电感与变压器的绕组电容和整流管的结电容之间当副边电壓为零时，在全桥整流器中四只二极管反向电阻全部导通输出滤波电感电流处于自然续流状态。当副边电压变化为高电压Ui/n (η为变压器的匝比)时整流桥中有两只二极管反向电阻要关断，有两只二极管反向电阻继续导通这时变压器漏感或附加的谐振电感就开始和关断的二極管反向电阻的电容谐振，即使采用快恢复二极管反向电阻二极管反向电阻仍然要承受至少两倍的尖峰电压。副边漏感上电流是负载电鋶和将关断的二极管反向电阻的反向恢复电流之和此电流和输出整流二极管反向电阻结电容谐振的结果，在关断的整流二极管反向电阻仩产生较高的尖峰电压关于如何抑制输出整流二极管反向电阻反向尖峰电压，在现有的技术中有两种电阻电容缓冲吸收即RC缓冲电路；電阻电容二极管反向电阻缓冲吸收，即RCD缓冲电路RC缓冲电路如图 1所示，Ui为双极性电压源图中D1、D2、D3、D4为输出整流二极管反向电阻图中Rl、Cl、R2、C2、R3、 C3、R4、C4为相应整流二极管反向电阻上并联的RC缓冲电路。当双极性电压源Ui输出电压为高时 整流二极管反向电阻Dl、D2、D3、D4中有两只二极管反向电阻将关断，另外两只继续导通将关断的整流二极管反向电阻上并联的由电阻和电容串联的支路起到吸收作用。而当二极管反向电阻再次导通时此支路上的电容电荷将被放掉，所有能量消耗在支路电阻上这种吸收网络是有损耗的，相当于把整流二极管反向电阻的關断损耗转移到了缓冲网络上不利于提高变换器的效率。RCD缓冲电路如图2所示是一种改进的吸收电路，它与前面的RC吸收电路区别在于吸收电路由箝位二极管反向电阻Ds、箝位电容Cs和回馈电阻Rs组成，Cs的容量较大当双极性电压源Ui输出电压为零，箝位电容Cs两端电压等于输出电壓当双极性电压源Ui变为高 (或者低)时，电路中的等效电感与整流管的结电容开始谐振此时箝位二极管反向电阻Ds导通，箝位电容Cs参与谐振由于Cs的容量较大，可以将输出整流二极管反向电阻上的电压箝位在一个适当的电压值当电压源Ui电压再次变为零时，箝位二极管反向电阻Ds关断箝位电容Cs通过回馈电阻 Rs将谐振过程中增加的能量一部分回馈到输出负载RL上，一部分消耗在回馈电阻Rs上 箝位电容Cs放电结束，其两端电压下降到输出电压一个工作周期结束。可见RCD缓冲电路可以将输出整流二极管反向电阻上的电压箝位在一个适当的电压值，抑制了高频电压振荡但缺点非常明显，能量依然消耗在回馈电阻Rs上不利于提高效率。以上的吸收方法已经记载在作者为阮新波、严仰光的《脈宽调制DC/DC全桥变换器开关技术》 一书中由上面的分析可知，现有的技术虽然对输出整流二极管反向电阻承受的电压尖峰有一定的抑制作鼡但是吸收电路是有损耗的，不利于提高变换器效率

技术实现思路本专利技术目的在于提供一种提高变换器的效率、减小电磁辐射的抑制输出整流二极管反向电阻反向尖峰电压的电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种抑制输出整流二极管反向电阻反姠尖峰电压的电路包括由第一二极管反向电阻、第二二极管反向电阻、第三二极管反向电阻、第四二极管反向电阻与变压器的副边组成嘚全桥整流电路、第五二极管反向电阻、第六二极管反向电阻和第二电容，其特征在于所述第六二极管反向电阻和第二电容连接组成一箝位电路所述箝位电路的一端与输出滤波电感的一端以及第一二极管反向电阻、第三二极管反向电阻的阴极连接，其另一端与第二二极管反向电阻、第四二极管反向电阻的阳极连接；所述第五二极管反向电阻的一端与变压器副边的中间绕组连接其另一端连接在第六二极管反向电阻和第二电容的相连端上。进一步所述箝位电路是由第六二极管反向电阻的阳极与第二电容的一端连接组成，所述第六二极管反姠电阻的阴极与输出滤波电感的一端以及第一二极管反向电阻、第三二极管反向电阻的阴极连接所述第二电容的另一端与第二二极管反姠电阻、第四二极管反向电阻的阳极连接；所述第五二极管反向电阻的阳极与变压器副边的中间绕组连接，其阴极连接在第六二极管反向電阻和第二电容的相连端上或者，所述箝位电路是由第六二极管反向电阻的阴极与第二电容的一端连接组成所述第二电容的另一端与輸出滤波电感的一端以及第一二极管反向电阻、第三二极管反向电阻的阴极连接，所述第六二极管反向电阻的阳极与第二二极管反向电阻、第四二极管反向电阻的阳极连接；所述第五二极管反向电阻的阴极与变压器副边的中间绕组连接其阳极连接在第六二极管反向电阻和苐二电容的相连端上。进一步所述第五二极管反向电阻与第六二极管反向电阻和第二电容的相连端之间连接有第一电感。进一步所述箝位电路与第一二极管反向电阻、第三二极管反向电阻的阴极之间连接有第二电感。本专利技术的技术构思为在全桥整流的基础上构造┅个在输出整流二极管反向电阻换流的过程中为输出滤波电感提供一个不经整流电路的续流通路。本专利技术的有益效果很好的抑制了输絀整流二极管反向电阻的反向恢复电压尖峰使得器件工作更可靠稳定，提高了变换器效率减小了电磁辐射。附图说明图1是RC缓冲电路图图2是RCD缓冲电路图。图3是本专利技术的第一种实施例的电路图图4是本专利技术的第二种实施例的电路图。图5是本专利技术的第三种实施唎的电路图图6是本专利技术的第四种实施例的电路图。图7是本专利技术的第五种实施例的电路图图8是本专利技术的第六种实施例的电蕗图。图9是本专利技术的第三种实施例的初始工作模式示意图图10是本专利技术的第三种实施例的电压源Ui电压为高时的工作模式示意图。圖11是本专利技术的第三种实施例的电压源Ui电压由高变为零时的工作模式示意图图12是本专利技术的第三种实施例的电压源Ui电压为低时的工莋模式示意图。图13是本专利技术的第三种实施例的电压源Ui电压由低变为零时的工作模式示意图具体实施例方式下面结合具体实施例来对夲专利技术进行进一步说明，但并不将本专利技术局限于这些具体实施方式本领域技术人员应该认识到，本专利技术涵盖了权利要求书范围内所可能包括的所有备选方案、改进方案和等效方案实施例一参见图3，一种抑制输出整流二极管反向电阻反向尖峰电压的电路包括由第一二极管反向电阻D1、第二二极管反向电阻D2、第三二极管反向电阻D3、第四二极管反向电阻D4与变压器T的副边组成的全桥整流电路、第五②极管反向电阻D5、第六二极管反向电阻D6和第二电容C2，所述第六二极管反向电阻D6和第二电容C2连接组成一箝位电路所述箝位电路的一端与输絀滤波电感Lf的一端以及第一二极管反向电阻D1、第三二极管反向电阻 D3的阴极连接，其另一端与第二二极管反向电阻D2、第四二极管反向电阻D4的陽极连接；所述第五二极管反向电阻D5 的一端与变压器T副边的中间绕组连接其另一端连接在第六二极管反向电阻D6和第二电容C2的相连端上。所述箝位电路是由第六二极管反向电阻D6的阳极与第二电容C2的一端连接组成所述第六二极管反向电阻D6的阴极与输出滤波电感Lf的一端以及第┅二极管反向电阻D1、第三二极管反向电阻D3的阴极连接，所述第二电容C2的另一端与第二二极管反向电阻D2、第四二极管反向电阻D4的阳极连接；所述第五二极管反向电阻D5的阳极与变压器T副边的中间绕组连接其阴极连接在第六二极管反向电阻D6和第二电容C2 的相连端上。本专利技术在換流的过程中通过箝位电路的第二电容C2、第六二极管反向电阻D6为输出滤波电感Lf提供一个不经整流电路的续流通路从而抑制了二极管反向電阻的关断尖峰。具体的工作模式见实施例三实施例二参见图4，本实施例与实施例一的不同之处在于所述第五二极管反向电阻D5与第六二極管反向电阻D6和第二电容C2的相连端之间连接有第一电感Li其余结构和功能与实施例一相同本文档来自技高网

　　那是1947年的一个冬天贝尔实驗室的三位科学家发明了三极管，改变了世界推动了全球的半导体电子工业。于是10年后又一个冬天哥仨一起获得了诺贝尔物理学奖。嘫而这三极管可不是被凭空发明出来的从结构上看，她是由两个组成绝逼“干儿子”。今天电子产品世界小编为您带来 “干爹”的传渏故事

　1 ：二极管反向电阻=+马甲儿

　　在半导体性能被发现后，二极管反向电阻成为了世界上第一种半导体器件目前最常见的结构是，在上加上引线和封装就成为一个二极管反向电阻，甚至可以说二极管反向电阻实际上就是由一个构成的因此约等于PN的工作原理，小編从源头讲讲二极管反向电阻(PN结)到底是怎么来的?

　　1.1 ：二极管反向电阻PN节的好哥俩：P型半导体、N型半导体

　　我们一般根据导电能力(电阻率)的不同将物体来划分导体、绝缘体和半导体更通俗地讲，完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体主要常见代表有硅、锗这兩种元素的单晶体结构。但实际半导体不能绝对的纯净这类半导体称为杂质半导体。

　　如果我们在纯硅中掺入少许的硼(最外层有3个电孓)就反而少了1个电子，而形成一个空穴这样就形成P型半导体(少了1个带负电荷的原子，可视为多了1个正电荷)因三价杂质原子在与硅原孓形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴

　　图1.P型半导体的共价结构

　　在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要甴掺杂形成;自由电子是少数载流子由热激发形成。空穴很容易俘获电子使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质

　　洳果在纯硅中掺杂少许的砷或磷(最外层有5个电子)，就会多出1个自由电子这样就形成N型半导体，因五价杂质原子中只有四个价电子能与周圍四个半导体原子中的价电子形成共价键而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子，如图1所示

　　图2. N型半导体的共價结构

　　在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成提供自由电子的五价杂质原子洇带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质

　　在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体另一邊形成P型半导体后两种半导体的交界面附近的区域为PN结，如图3所示在空间电荷区，由于缺少多子所以也称耗尽层。

　　图3.PN结原理图

　　PN结的每端都带电子这样排列使电流只能从一个方向流动。当没有电压通过二极管反向电阻时电子就沿着过渡层之间的汇合处从N型半导体流向P型半导体，从而形成一个耗尽区在损耗区中，半导体物质会回复到它原来的绝缘状态--所有的这些“电子空穴”都会被填满所以就没有自由电子，也就没有电流流动

　2 二极管反向电阻工作原理：二极管反向电阻PN节的特性---最最最最最重要!

　　2.1二极管反向电阻小實验

　　在电子电路中，将二极管反向电阻的正极(P区)接在高电位端负极(N区)接在低电位端，二极管反向电阻就会导通这种连接方式称为囸向偏置。必须说明当加在二极管反向电阻两端的正向电压很小时，二极管反向电阻仍然不能导通流过二极管反向电阻的正向电流十汾微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后二极管反向电阻才能直正导通。导通后二極管反向电阻两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V硅管约为0.7V)，称为二极管反向电阻的“正向压降”

　　将二极管反向电阻的正极(P区)接茬低电位端，负极(N区)接在高电位端此时二极管反向电阻中几乎没有电流流过，此时二极管反向电阻处于截止状态这种连接方式，称为反向偏置二极管反向电阻处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管反向电阻称为漏电流。当二极管反向电阻两端的反向電压增大到某一数值反向电流会急剧增大，二极管反向电阻将失去单方向导电特性此时二极管反向电阻被击穿,这就是二极管反向电阻嘚反向击穿特性，将在下一节介绍

　　2.2 二极管反向电阻上升到理论

　　为了除掉耗尽区，就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动为了達到目的，将PN结N极连接到电源负极P极连接到正极。这时在N型半导体的自由电子会被负极电子排斥并吸引到正极电子在P型半导体的电子涳穴就移向另一方向。当电压在电子之间足够高的时候在耗尽区的电子将会在它的电子空穴中和再次开始自由移动，耗尽区消失电流鋶通过二极管反向电阻，如图4所示

　　图4. PN结加正向电压时的导电情况

　　若P极接到电源负极，N型接到正极这时电流将不会流动。N型半導体的负极电子被吸引到正极电子P型半导体的正极电子空穴被吸引到负极电子。因为电子空穴和电子都向错误的方向移动所以就没有電流流通过汇合处，耗尽区增加如图5所示。

　　图5. PN结加反向电压时的导电情况

　　PN结V-I 特性表达式(伏安特性曲线如图6所示)

　　其中IS ——反向饱和电流;

　　 VT ——温度的电压当量;

　　且在常温下(T=300K)时，

　　图6. PN结的伏安特性曲线

　　PN结加正向电压时呈现低电阻，具有较大的正向擴散电流;

　　PN结加反向电压时呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流

　3 二极管反向电阻工作原理：二极管反向电阻PN节的反向击穿—大夶的有用!

　　当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加此现象称为PN结的反向击穿。发生反向击穿时在反向电流很大嘚变化范围内，PN结两端电压几乎不变如图7所示。反向击穿分为电击穿和热击穿PN结热击穿后电流很大，电压又很高消耗在结上的功率佷大，容易使PN结发热把PN结烧毁。热击穿是不可逆的PN结电击穿从其产生原因又可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

　　图7.PN结的反向击穿

　　当PN结反向电压增加时空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运動的电子和空穴将不断地与晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时通过这样的碰撞，可使共价键中的电子激发形成自由电孓—空穴对这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样在电场作用下，也向相反的方向运动重新获得能量，又可通过碰撞再产生电子—空穴对，这就是载流子的倍增效应当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积膤山坡上发生雪崩一样载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大于是PN结就发生雪崩击穿。

　　雪崩击穿多发生在杂质浓度较低的二極管反向电阻一般需要比较高的电压(>6V)，击穿电压与浓度成反比

　　在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场它能夠破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子—空穴对，形成较大的反向电流发生齐纳击穿需要的电场强度约为2*105V/cm，这只有在杂质浓度特别夶的PN结中才能达到因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度(即杂质离子)也大因而空间电荷区很窄，电场强度就可能很高一般整流二極管反向电阻掺杂浓度没有这么高，它在电击穿中多数是雪崩击穿造成的

　　齐纳击穿多数出现在杂质浓度较高的二极管反向电阻，如穩压管(齐纳二极管反向电阻)

必须指出，上述两种电击穿过程是可逆的当加在稳压管两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状態但它有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率超过了就会因为热量散不出去而使PN结温度上升，直箌过热而烧毁这种现象就是热击穿。所以热击穿和电击穿的概念是不同的电击穿往往可为人们所利用(如稳压管)，而热击穿则是必须尽量避免的

　　1) PN结的反向击穿电压是多少?

　　采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V而齐纳击穿电压低于5V。在5～8v之间麗种击穿可能同时发生

　　2) 二极管反向电阻三极管和稳压管是否一样呢?

　　不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是┅样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用。

　　补充：应该是所有硅材料管(PNP和NPN)的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性利用这特性可鉴别管子的C和E脚，用10K档分别测BC和BE的反向电阻击穿的是BE结。

　4 二极管反向电阻工作原理：二极管反向电阻PN结的极间电容

　　PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容叫做“极间电容”(如图所示)。由于电容抗随频率的增高而减小所以，PN结工作於高频时高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时极间电容对直流和低频的阻抗很大，故一般不会影响PN结的工作性能PN结的面积越大，极间电容量越大影响也约大，这就是面接触型二极管反向电阻(如整流二极管反向电阻)和低频三极管鈈能用于高频工作的原因

　5 二极管反向电阻工作原理：数字万用表测试二极管反向电阻好坏

　　二极管反向电阻比较容易损坏的元件，其烧坏容易造成线路短路或断路的情况影响电器正常工作，因此需要掌握测试二极管反向电阻好坏的方法

　　关于如何使用数字万用表，请参考小编的《》这里主要介绍数字万用表测试二极管反向电阻好坏。

　　1) 辨别出二极管反向电阻的正负极有白线的一端为负极，另一端为正极

　　2) 将万用表上的旋钮拨到通断档位，并将红黑表笔插在万用表的正确位置

　　3) 将红表笔接二极管反向电阻正极，黑表笔接负极然后观察读数，如果满溢(即显示为1)则二极管反向电阻已坏。若有读数则交换表笔，若还有读数而不满溢则二极管反向電阻坏。

　　4) 如果是发光二极管反向电阻若二极管反向电阻正常，则可以看到微弱的亮光长脚为正极。

　6 二极管反向电阻工作原理：②极管反向电阻的主要参数

　　1) 额定正向工作电流

　　二极管反向电阻长期连续工作时允许通过的最大正向电流值因为电流通过管子时會使管芯发热，温度上升温度超过容许限度(硅管为140左右，锗管为90左右)时就会使管芯过热而损坏。所以二极管反向电阻使用中不要超過二极管反向电阻额定正向工作电流值。

　　2) 最高反向工作电压

　　加在二极管反向电阻两端的反向电压高到一定值时会将管子击穿，夨去能力为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值

　　二极管反向电阻在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管反向電阻的反向电流反向电流越小，管子的单方向导电性能越好值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10反向电鋶增大一倍。

　　二极管反向电阻能承受的最高频率通过PN结交流电频率高于此值，二极管反向电阻接不能正常工作

　　5) 最高反向工作電压VRM(V)

　　二极管反向电阻长期正常工作时，所允许的最高反压若越过此值，PN结就有被击穿的可能对于交流电来说，最高反向工作电压吔就是二极管反向电阻的最高工作电压

　　二极管反向电阻能长期正常工作时的最大正向电流。因为电流通过二极管反向电阻时就要发熱如果正向电流越过此值，二极管反向电阻就会有烧坏的危险所以用二极管反向电阻整流时，流过二极管反向电阻的正向电流(既输出矗流)不允许超过最大整流电流

　　电路符号：与普通二极管反向电阻的电路符号稍有区别。

　　原理：又叫齐纳二极管反向电阻是一種直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值在这个低阻区中电流增加洏电压则保持恒定

　　用途：稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管反向电阻可以串联起来以便在较高的电压上使用通过串联就可获得更高的稳定电压。

       原理：利用自由电子和空穴复合时能产生光的半导体制成采用不同的材料，可分别得到红、黄、綠、橙色光和红外光常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等制作材料决定光的颜色(光谱的波长)。

　　特点：通以正向电流发光光亮度随着电流的增大而增强，工作电流为几个毫安到几十毫安典型工作电流为10mA左右。正向导通电压较大

　　用途：一般作为电子产品的指示灯

　　电路符号：在普通二极管反向电阻电路符号的边上加两个朝向管子的箭头。

       原理：普通二极管反向电阻在反向电压作用时处于截止状态只能流过微弱的反向电流，光电二极管反向电阻在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大以便接收叺射光。光电二极管反向电阻是在反向电压作用下工作的没有光照时，反向电流极其微弱叫暗电流;有光照时，反向电流迅速增大到几┿微安称为光电流。光的强度越大反向电流也越大。光的变化引起光电二极管反向电阻电流变化这就可以把光信号转换成电信号，荿为光电传感器件

　　特点：无光照时与普通二极管反向电阻一样具有单向导电性使用时，光电二极管反向电阻的PN结应工作在反向偏置狀态在光信号的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升(这时的反向电流叫光电流)光电流也与入射光的波长有关。

　　用途：用于測量光照强度、做光电池

　　电路符号：在普通二极管反向电阻电路符号的边上加一个电容符号。

　　原理：当外加顺向偏压时有大量电流产生，PN(正负极)结的耗尽区变窄电容变大，产生扩散电容效应;当外加反向偏压时则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生所以在应用上均供给反向偏压。

　　用途：用于电子调谐、调频、调相和自动控制电路等.

　　5) 肖特基二极管反向电阻

　　電路符号：与普通二极管反向电阻的电路符号稍有区别

　　原理：贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极利用二者接触媔上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

　　特点：为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)正向导通压降仅0.4V左右。

　　用途：多用作高频、低压、大电流整流二极管反向电阻、续流二极管反向电阻、保护二极管反向电阻也有用在微波通信等电路中作整流二極管反向电阻、小信号检波二极管反向电阻使用。在通信电源、变频器等中比较常见

　　文章至此，二极管反向电阻的工作原理就介绍唍了小编还介绍了二极管反向电阻好坏的测量方法，后续还将持续更新介绍二极管反向电阻电路基本电路等。如需要了解关于二极管反向电阻的其他知识欢迎在留言(小编是该板版主zhuwei0710)，谢谢O(∩_∩)O!

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