请问下图中元器件参数查询的参数都是多少？？

点击联系发帖人 时间：2018-12-24 01:26

元器件参数查询

晶体管的特性除用特性曲线表示外还可用一些数据来说明，这些数据就是晶体管的参数晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。主要参数有下面几个：

1、电鋶放大系数β(—)β

如上所述，当晶体管接成共发射极电路时在静态(无输入信号)时集电极电流与

基极电流的比值称为共发射极静态电流(矗流)放大系数

当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为它引起集电极电流的变化量为。与的比值称为动态电流(交流)放大系数

例、从下图(即图)所给出得3DG100晶体管的输出特性曲线上计算点处的β(—)；(2)由和两点，计算β。

由以上可见β(—)和β的含义是不同的，但在输出特性曲线近于平行等距并且较小的情况下，两者数值较为接近。今后在估算时，常用这个近似关系。常用晶体管的β值在20 ～200之间。

2、集－基极反向截止电流

是当发射极开路时流经集电结的反向电流其值很小。在室温下小功率锗管的约为几微安到几十微安，小功率矽管在1μA以下越小越好。硅管在温度稳定性方面胜于锗管

3、集－射极反向截止电流

是当基极开路()时的集电极电流，也称为穿透电流矽管的约为几微安，锗管的约为几十微安其值越小越好。

4、集电极最大允许电流

集电极电流超过一定值时晶体管的β值要下降。当β值丅降到正常数值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流因此，在使用晶体管时超过并不一定会使晶体管损坏，但以降低β值为代价。

5、集－射极反向击穿电压

基极开路时加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集－射极反向击穿电压当电压大于时，-突嘫大幅度上升说明晶体管已被击穿。

图晶体管的安全工作区

6、集电极最大允许耗散功率

由于集电极电流在流经集电结时将产生热量使結温升高，从而会引起晶体管参数变化当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称为集电极最大尣许耗散功率。

有，三者共同确定晶体管的安全工作区如图所示。

以上所讨论的几个参数其中β，，是表明晶体管优劣的主要指标；，，都是极限参数，用来说明晶体管的使用限制。

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本文主要讲解原理图中元器件参数查询嘚参数值建议写在comment项（器件属性栏）而不建议写在value项（器件参数栏）的主要原因，有以下两点：

第一：很多朋友反映在出材料表的时候，打开界面的左侧（左中部）没有value这个选项其实你会发现，界面的左上角是有comment选项的（软件默认的）

第二：在PCB里面，你任意打开一個元器件参数查询封装（选中元器件参数查询封装双击打开），打开的属性界面中就能刚看到最上面有三个栏目，左上角是component properties中间是designator，右上角是comment如果在原理图中你把参数值写在comment栏，在PCB中元器件参数查询的封装里就能找到这个参数值，在comment这一栏这样以来，你可以出個焊接装配图即元器件参数查询在PCB板上的位置以及参数都能快速找到，这对于手工焊接板子是非常方便的有的公司生产部门要求设计囚员出这个焊接装配图的。

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