西安电子科技大学：
     本项目依托覀安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室拥有自主研发的4英寸大面积石墨烯拉曼光谱CVD外延生长设备，高真空脉冲激光沉積系统半导体MOCVD设备研制技术平台，大面积超净工作间（1000平米千级超净实验室）；具有完整的石墨烯拉曼光谱材料表征测试技术平台包括Horiba LabRAM UV-vis-IR分光光度计、FTIR傅里叶红外光谱仪，能够很好地满足石墨烯拉曼光谱材料表征分析的需要拥有自主研发的国际先进、国内领先的化合物半导体工艺线，包括Nikon 17光刻机、VPC-1300 四靶电子束蒸发台、ICP-98C 型高密度等离子体刻蚀机、HP4156B 精密半导体参数分析仪和Agilent 1500A 半导体参数分析仪等可以完成石墨烯拉曼光谱器件加工和特性分析；还拥有MedeA第一性原理仿真软件和平台。

　　图10 石墨烯拉曼光谱生长化学气相淀积（CVD）设备

　　6英寸石墨烯拉曼光谱MOCVD外延生长系统

　　4英寸双管式SiC衬底高温热解石墨烯拉曼光谱生长系统

　　图11 扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）

　　Horiba HR-800共聚焦显微拉曼光谱分析仪

　　图12 普林斯顿电化学工作站

 西安交通大学：
　　实验室拥有自行研发的200mm行程10nm定位精度的6分步式压印原型机(如图13咗)及配套的光固化阻蚀胶以及幅宽大于300mm的逆向辊压印装置(如图13右)，能够在柔性材料上进行图型连续辊压图13为自制的微米级三维微结构壓印模具试验原型，图13为基于压印技术制造的各种腔体微结构图14大面积石墨烯拉曼光谱/碳纳米墙PECVD生长设备。配套整体1000级、局部100级超净实驗室120m2电子束直写系统(如图15)、超快激光加工系统(如图16)、等离子刻蚀系统、匀胶系统、微观形貌检测系统、光电测试系统等一系列专有设备；建设基础为机械制造系统工程国家重点实验室。

　　图13 基于压印技术制造的各种微结构.

　　图14 大面积石墨烯拉曼光谱PECVD生长设备.

　　独立擁有实验室800多平方米教师与学生办公室380平方米；拥有纳米材料制备、表征和测试设备总计3000余万元，其中包括石墨烯拉曼光谱连续沉积系統、锂离子电池与超级电容器中试线、场发射电镜、拉曼光谱、原子力显微镜、红外光谱仪热重分析仪，气相色谱荧光光谱仪，全自動比表面积与孔隙度分析仪等