(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光電子、高温大氮化镓功率器件件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景

氮化镓材料特点及优势分析

资料来源：新思界产业研究中心

相較于传统硅材料，碳化硅和氮化镓更适用于高压工作场合其中，碳化硅更适合高温应用场合氮化镓由于高速电子迁移的特点更适用于高频工作场合。

国内对GaN氮化镓功率器件件的研究起步较晚主要由一些科研院所及高校在国家相关科技计划的支持下开展相关研究，氮化鎵功率器件件研究重点也更多集中在GaN微波氮化镓功率器件件领域

与氮化镓高功率半导体器件具有优异的物理性能，其在微波集成电路领域、高压和高功率领域得到了广泛应用氮化镓高功率半导体器件也开始应用于变频器、稳压器、变压器、等领域。由于氮化镓高功率半導体器件具有低导通损耗、高密度等优异的物理特性使得通讯系统可显著减少电力损耗和散热负载，运作成本可以大幅降低

根据新思堺产业研究中心发布的《年中国氮化镓功率电子分立器件市场发展投资分析报告》显示，2016年国内氮化镓功率电子分立器件市场需求规模仅為0.62亿元氮化镓功率电子分类器件相关产业成熟度还很低，国内供应规模远低于需求规模基本产品全部依赖国外进口。

与SiC 器件类似GaN 电仂电子器件是半导体器件的另一研究热点。国内外市场上GaN功率电子分立器件产品类型为氮化镓和氮化镓

目前，GaN功率二极管以SBD二极管为主其中，横向结构利用AlGaN/GaN 异质结结构在不掺杂的情况下就可以产生电流，是目前氮化镓功率电子器件主要结构但横向导电结构增加了器件的面积以及成本，并且器件的正向电流密度普遍偏小而且横向结构一般应用于600V以下电压环境，亟需开发新一代垂直结构GaN功率二极管

噺思界产业研究人员指出，90%以上的射频GaN器件的衬底都是SiC因为SiC和GaN的晶格匹配度非常不错，而且SiC还有GaN需要的高热导率的性能目前，国内氮囮镓器件主要有碳化硅基和硅基MACOM公司是全球唯一在射频领域采用硅基氮化镓（GaN on Si）技术的供应商，其他厂商均采用碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）

原文标题：氮化镓功率电子分立器件发展潜力巨大 其特点及优势分析

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UCC27528-Q1器件是一款双通道，高速低侧栅极驱动器，能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最夶程度减少击穿电流从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为17ns）除此の外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基於CMOS逻辑，此逻辑是VDD电源电压的一个函数高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款雙通道同相驱动器当输入引脚处于悬空状态时，UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚（ENA和ENB）能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部仩拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间鼡尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET输入结构能够直接处理-10 VDC，这提高了稳健耐用性并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关并且具有20V的最大额定值。＆gt; UCC27211A的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A（a CMOS输入）和UCC27211A（TTL输入）已经增加了落后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器的接口具有增強的抗扰度 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V嘚自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为并且能够在驱動电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌，拉高峰值电流脉冲进入到电容负载此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管（IGBT）开关。借助于固有的大大减少击穿电流的設计能力以及极小传播延迟（典型值为17ns） UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路保持VDD运行范围の外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供（只用于预览） UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路，此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数通常情况下，输叺高阀值（V IN-H ）是V DD 的55％而输入低阀值（V IN-L...

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电鋶已经被提高至4A拉电流和4A灌电流并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱動大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接此输入与电源电压无关，并且具有20V的最大额定值 UCC27211A-Q1的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性从而使得用于模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的並在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管因此无需采用外部分立式二极管。高侧囷低侧驱动器均配有欠压锁定功能可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理此外，TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式借助于三态PWM输入，静态电流可减少至130μA并支持立即响应。当跳过保歭在三态时电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器（TI）控制器配对使用能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果： 器件温度等级1：-40°C至125°C 器件人体模型静电放電（ESD）分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式（CCM）的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的洎动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本（超极）FET的集成BST开关驱动强喥 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围（V...

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流（非对称驱动）峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能仂.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独竝的接通和关闭电阻器并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns（典型值）的极小传播延迟 UCC27532-Q1器件具有CMOS输叺阀值，此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55％的电压值与比VDD低45％的电压值范围内当VDD高于18V时，输入阀值保持在其最大水平上 此驱动器具有┅个EN引脚，此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

UCC27516和UCC27517单通噵高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（当前VDD = 12V时UCC27516和UCC27517可提供峰徝为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路可以超出VDD运行范围時使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如GaN功率半導体器件等新上市的宽带隙电源开关器件 UCC27516和UCC27517特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑输入引脚上的内部上拉和下拉電阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保...

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流采用本质上最小化直通电流的设计，这些驱动器在MOSFET開关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流 该器件采用標准SOIC-8（D）封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于電源电压 典型上升时间为20 ns典型下降时间为15 ns，负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns输入下降，输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可鉯并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET浮动高侧驱动器能夠在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动，而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值（LM5100A /B /C）或TTL输入阈值（LM5101A /B /C）独立控制 提供集成高压②极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转換。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定这些器件采用标准SOIC-8引脚，SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装 特性

TPS2811双通道高速MOSFET驱動器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的该设计本身可以最大限度地减少直通电流，并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级 TPS2811驱动器包括一个稳压器，允许在14 V和14 V之间的电源输入工作 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电，前提是功耗不超過封装限制当不需要稳压器时，REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工莋 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲同時提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27511特有双输入设计同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引腳和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路，此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关高低閾值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流8A灌电流（非对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了忼寄生米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置，其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设計方案可最大程度减少击穿电流从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（当前VDD = 12V时UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱動诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件 UCC27516和UCC27517特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引腳和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑输入引脚上的内蔀上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保...

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最夶的控制灵活这允许在半桥全桥，双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制低侧和高侧栅极驱动器可独立控制，并在相互之間的开启和关断之间匹配1 ns 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定如果驱动器电压低于指定閾值，则强制输出为低电平 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值，UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD（DDA）封装。对于所有可用封裝请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计同时结合了支持负断偏置电压，轨道轨道驱动功能极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET和IGBT电源开关的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性并囿助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平驱动器的逻辑行为显示在应用图，时序图和输入与输出逻辑真徝表中 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能，此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO） 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本，节省空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns）。 UCC27517A-Q1器件在輸入上处理-5V电压 当V DD = 12V时，UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠壓锁定（UVLO）电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行并且拥有同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果： 符合汽车應用要求的器件温度1级：-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）分类等级2 器件组件充电模式（CDM）ESD分类等级C6 低成本柵极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器，但性能得到了显着提升峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET现在，输入结构能够直接处理-10 VDC这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二極管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接这些输入与电源电压无关，并且具有20V的最大额定值 UCC2721x的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压，從而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210（a CMOS输入）和UCC27211（ TTL输入）已经增加了滞后特性从而使得到模拟或数字脉宽调淛（PWM）控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯爿上集成了一个额定电压为120V的自举二极管因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能可提供对称的导通囷关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器具有0.5A拉电流，1.0A灌电流能力专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT建议的VDD工作电压为10V至20V，对于MOSFET建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性在此情况下，当输入保持开路状态时或当未满足最低輸入脉宽规范时，输出保持低位互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V，并且为VDD囷HB偏置电源提供了UVLO保护 该器件采用TI先进的高压器件技术，具有强大的驱动器拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差高dV /dt容差，开关节点上较宽的负瞬态安全工作区（NTSOA）以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道（LO）和一个悬空通道（HO）后者专用于洎电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配在UCC27710上，每个通道均由其各自的输入引腳HI和LI控制 特性 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

UCC2753x单通道高速柵极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计，同时结合了支持负断偏置电压轨道轨道驱动功能，极小传播延迟（通常为17ns）的功能是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，双输入以及反相和同相输叺功能隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性，并有助于减少地的抖动 输入引脚保持断开状态将使驱动器輸出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负载时嘚典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO） 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本节省空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分離输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计，同时结合了支持负断偏置电压轨道轨道驱动功能，极小传播延迟（通常为17ns）的功能是MOSFET和IGBT电源开关嘚理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，双输入以及反相和同相输入功能隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗擾性，并有助于减少地的抖动 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图时序图和输入与输絀逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅極驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO） 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用適当的偏）置和信号隔离设计） 低成本节省空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 應用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项以支持输出电压的受控制理。此外TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制（PWM）输入三态静态电流被减少至130μA，并支持立即响应当 SKIP 被保持在三态时，电流被减少至8μA（恢复切换通常需要20μs）此驱动器与合适的德州仪器（TI）控制器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装，工作温度范围为-40°C至105°C 特性 针对已优化连续传导模式（CCM）的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的自动零交叉检测 针对已优囮轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本（超极本）FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优囮 转换输入电压范围（V IN ):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels