一个NPN型三极管饱和时两个PN结均为正偏,集电极和发射极的电子是不是都流向基极呢?可IC又怎么会从C到E呢?
一个NPN型三极管饱和时两个PN结均为正偏,集电极和发射极的电子是不是都流向基极呢?可IC又怎么会从C到E呢?可IC又怎么会从集电极流向发射极呢?集电极正偏,电子从集电区进入基区,电流应该从基区到集电区啊,可书上IC怎么是从C到E呢?饱和导通,IC怎么越过正偏的集电结又越过基区直接到发射区了啊(书上说CE导通)?
书上说的是正确的,这个问题的确困惑了很多人,让我们陷入误区的是IC的流向问题,需要指出的是三极管不是二极管,不可以用二极管的概念套用在三极管上,这是两种内部结构完全不同的器件,需要分开来理解.书中的确说到了集电结正偏的问题,但是不要错误的认为正偏一定就会有电流流过,对于三极管来说这是一个理解上的误区,这个意义上的正偏指的是基极的电压大于集电极的电压,而不是真正像二极管那样可以正偏了就有电流了,否则的话不加Ube反而给Ubc加电压也可以导通,集电极和发射极可以互换了,但事实是不能互换的我们知道对于三极管没有输入电流是不会有输出电流的.从半导体内部结构来说,基极电流形成是由于与发射极扩散过来的自由电子复合形成的,因此即便在饱和状态下,发射极扩散过来的自由电子仍是不断增加的,它的浓度远大于集电极仍然是可以扩散过去的,倒是集电极的空穴有限无法全部复合掉,出现了一种发射有余收集不足的情况,因此在饱和状态下,从外部看来就是输入电流增大时输出电流不变且是最大值. 再问： 还是不太明白,饱和时集电极电位低于基极电位,电子又怎么会越集电结进去集电区?另外饱和导通到底是什么含义啊?意思是说电子直接从发射区越过基区集电结进入集电区了么? 集电区与发射区怎么导通啊?中间隔有基区和两个PN结啊 再答： 饱和状态是区别与放大状态的，我想放大状态你应该是知道的吧，即由输入电流Ib后输出电流Ic按Ib的β倍变化；而饱和状态下Ic是无法按β倍变化的，所以此时基极电流会大于等于集电极电流。 从载流子的角度分析就是，在放大状态下发射极的自由电子可以被集电极全部收集过来与集电极的空穴复合从而形成输出电流Ic，而在饱和状态下虽然自由电子仍然可以到达集电极但是空穴却是有限的不会无限制满足，所以与自由电子的复合数量就是固定有限的，即输出电流不会在增大了。 之所以可以越过两个PN结和基区，这是由半导体物理特性决定的，即在PN结加正偏电压和反偏电压时分别会促进多数载流子扩散运动和少数载流子的漂移运动，三极管中的电流就是载流子运动形成的。再问： 谢谢啊,不过还是懂了一半，呵呵,放大与截止状态可以理解,但饱和导通状态就是不能完全理解 再答： 没关系这个需要点时间，主要是你的思路陷入了死胡同，其实简单的说一下它们之间特点就是截止状态下没输入电流就没输出电流，放大状态下输出电流会按输入电流的β倍变化，在饱和状态下输出电流不再会随着输入电流的增大而继续增大了，且输出电流是最大值，此时输入电流会大于输出电流，把三极管这种无法放大输入电流的状态称为饱和状态。
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与《一个NPN型三极管饱和时两个PN结均为正偏,集电极和发射极的电子是不是都流向基极呢?可IC又怎么会从C到E呢?》相关的作业问题
饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流. 再问： 放大状态下从发射区注入到基区的电子为什么不会直接从基极流走呢？ 再答： 自由电子的数目很大，受电场力的作用不断的运动，当电场力足够大的时候自由电子
半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）.其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）.由于不同的组合方式,形成
三极管特性是基极控制集电极电流,所以一个NPN型三极管的集电极接电源正极,发射极接电源负极,基极不接电源的任何一端,或者接负极时,集电集和发射极没有电流通过.如集电极和发射极有电流通过,说明三极管漏电或损坏.当外加电源时,比如信号、直流时,必须和发射极对地电位相同,正电时三极管导通,0.6V以下或负电时截止.由此得出：
常用的小型继电器工作电压有5V和12V两种,你使用的时候最好有一个9V或者12V的电压(如果你选12V的继电器,那么电压要再高一些).单片机IO口输出控制信号,最好采用低电平控制导通的方式,也就是IO口输出0控制导通,1截止,因为IO口的灌电流较大而拉电流能力不足.这时候三极管应该选择PNP的,比如之
不矛盾.1、三极管处于放大状态的判断条件是：发射结正偏,集电结反偏.这个结论对于NPN和PNP三极管都适用.如果你要记,就记这个好了.2、NPN,PNP,两种三极管,其发射结和集电结的方向是不同的.PN结的方向都是从P区指向N区.以NPN为例：集电结的方向是从基极（B）指向集电极（C）,发射结的方向是从基极B指向发射极
NPN型三极管的等效电路是图1 再问： 为什么额 再答： N相当于负极，P相当于正极。
接了1K电阻将基极电位拉低了,但刚刚能维持NPN导通,此时VB=12/(1 15)V=0.75V,如不接则三极管必定导通,电流IB为12/15mA.
三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V. 再问： 但书上写着Ube=Uce，好像是临界饱和线，和放大区的界限，怎么解释？？还有个Uces，ce之间都没有器件，Uces有什么意义？
我以前就回答过这个问题,见：http://zhidao.baidu.com/question/.html转贴如下：当然不可以了!三极管内部是NPN或PNP的结构,二极管是PN结构,如果两个二极管就成了PNNP或NPPN的结构了!三极管必须有一个共用的N或P区才可以工作在放大状态,否则就无法放大了. 你要
单单是三极管是不具备信号放大作用的,需要周围接入电阻配合起来才有放大信号（不是功率放大）作用
1、三极管的工作模式2、三极管工作原理& & 具体没法展开说,但需要知道一点：NPN型三极管,电流的输运需要靠发射结往基区注入电子.2.1 发射结反偏&&&&一旦发射结反偏、集电结反偏,基区无电子注入,各级无电流,处于截止模式.2.2 发射结正偏&&
当然不行,导通的关键是发射结正偏和集电结反偏,这个条件满足后,CE之间的值会自动调整的,一般0.7V不够,要1V以上,放大状态才好.0.7V的话,过动态信号,不小心就饱和失真了.
因为减小RB电阻,会使静态工作电流增大,最好检查距离饱和区还有多远,如过有段距离,可采用减小负载电阻,或改变负反馈的发射极电阻,总之,原则是在最大输出不失真幅度下,尽可能减小静态电流,可减小功耗和噪声
三极管基极电压是1/2的电源电压(6V),此时三极管已饱和导通,集电极、发射极近似导通,集电极(C极)电压近似为零. 再问： 怎么判断它是调压放大，还是开关
好吧,看这里,其实不是普通的2个PN结,是特殊结构的PN结.
UC>UB>UE PS:"U"后面为下标,如UC（c为下标）
是的,三极管并不是无限制放大的.如果基极电流过大,三极管饱和后波形就失真了.但是可以在一定的条件下利用三极管的饱和与截止现象制造出开关电源和数字脉冲功放.这种情况下三极管处于放大区的时间极端,发热量很低,电源利用率较高.
因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.
电路如图：&这是一个单电源的互补功放电路.&输入的不是PNP三极管,9014是NPN的一样可以.他的作用就是放大输入信号,从集电极输出进入两个三极管基极,这两个管子分别放大正半周（8050负责）和负半周（8550负责）信号.两个半周信号合成一个完整的波形,就是互补.我对三极管不太懂。。什么是正偏反偏_百度知道
我对三极管不太懂。。什么是正偏反偏
为什么三极管，发射极电流等于基极集电极之和。。发射极不是接地吗？
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晶体管电路中的正偏、反偏、偏置等术语都是外来语翻译的，不宜过多的顾名思义。在二极管（PN结）的正极（P极）施加一定的正电压，二极管就导通，这时就称为正向偏置，简称正偏。反之就为反偏 。三极管同样如此。三极管有两个PN结，以NPN型管为例，基极和发射极相当于一个PN结二极管，所以要在基极施加一定的正电压，使其有一电流（基极电流）通过基极流到发射极。由于基极和发射极之间的PN结加上的是正向偏压，所以有多数载流子流动。三极管的集电极和基极的PN必须结施加反向偏压（反偏），让其之间没有多数载流子流动。由于基-射极的导通，发射极便有自由电子扩散并流过基区，然后到达集电区，并被集电极吸引而产生集电极电流。集电极电流是从集电极流到发射极的。所以发射极电流实际上就是基极电流和集电极电流之和。发射极不管接不接地，三极管的电流分配就是如此的。
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三极管正偏电压什么
三极管正偏电压什么
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三极管也是由两个二极管背靠背组成的。他的正偏电压和二极管的正偏电脑压一样的、当p端的电压高于N端的电压时、二极管正偏。前提条件是up-un&0.7（硅管）或0.3（锗管）。
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NPN型三级管的正偏电压为：集电结反偏置，发射结正偏置。PNP型三级管的正偏电压为：集电结反偏置，发射结正偏置。
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三极管发射结正偏 集电结零偏处于什么状态这时候三极管EC之间算是导通吗?.是放大状态 还是饱和导通状态?为什么?
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饱和导通.三极管的放大状态必须是发射极正偏,集电极反偏.而饱和导通的条件有两个,两个极都正偏,或者,发射极正偏,集电极零偏.
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三极管的正偏和反偏
正偏和反偏针对而言，不止三极管。有P，N两个区，所谓正偏就会指P区的电压比N区高，如果高出0.7V以后，就导通，。反偏就是N区电压比P区高，反偏时PN结截止。三极管里面有两个PN结，你把上面的结论沿用到三极管的三极中就可以判断这两个结的工作情况了。三极管放大时，电子从发射极出发，在正偏的作用下越过发射结，到达基区，基区很薄，电子又会继续达到集电结边缘，在集电结反偏的作用下，最终到达集电区，形成电流通路，构成电流。PS：你学习模电的方法完全错误，看了你的问题，明显是没弄清楚半导体物理。任何一本模电书，第一篇都是半导体物理，这篇东西很重要，但学习者往往不重视，一味图快，结果弄到后面什么都弄不清楚。我建议你老老实实从半导体物理开始看，然后二极管，三极管，等认真看下来之后，你会觉得，你的这些问题问得很幼稚。你可以参考童诗白的那本《》第四版，，这本书写得挺好，也很经典，从1980年出版，一直用到现在。
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