如果在液面上滴一层油怎样求油层的厚度要求画出波形示意图求解油层厚度的数学表达式
如果在液面上滴一层油怎样求油层的厚度要求画出波形示意图求解油层厚度的数学表达式
09-10-18 &匿名提问
正确答案：你查一下书吧&清华大学出版&的模拟电子技术里就有呀. 晶体二极管也称半导体二极管，它是在PN结上加接触电极、引线和管壳封装而成的。按其结构，通常有点接触型和面结型两类。常用符号如图Z0107中V、VD（本资料用D）来表示。 点接触型适用于工作电流小、工作频率高的场合；（如图Z0108） 面结合型适用于工作电流较大、工作频率较低的场合；（如图Z0109） 平面型适用于工作电流大、功率大、工作频率低的场合。（如图Z0110） 按使用的半导体材料分，有硅二极管和锗二极管；按用途分，有普通二极管、整流二极管、检波二极管、混频二极管、稳压二极管、开关二极管、光敏二极管、变容二极管、光电二极管等。 二极管是由一个PN结构成的，它的主要特性就是单向导电性，通常主要用它的伏安特性来表示。 二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U～I曲线，称二极管的伏安特性曲线。图Z0111 是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。 一、正向特性 由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。 当正向电压升高到一定值Uγ（Uth ）以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。Uγ 被称为门限电压或阀电压。Uγ视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压Uγ的值，如图中虚线与U轴的交点。 当正向电压大于Uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用UF来表示。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V （一般取为0.7V），锗管的导通电压约为0.1～0.3V （一般取为0.2V）。 二、反向特性 当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流IR。反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的范围内），如图Z0111中所示。但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。 三、反向击穿特性 当反向电压增大到一定数值UBR时，反向电流剧增，这种现象称为二极管的击穿，UBR（或用VB表示）称为击穿电压，UBR视不同二极管而定，普通二极管一般在几十伏以上且硅管较锗管为高。 击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小，这一特点成为制作稳压二极管的依据。 四、二极管伏安特性的数学表达式 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： 式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为 VT = kT／q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，；k为玻耳兹曼常数，室温下，可求得VT = 26mV。IR（sat）是二极管的反向饱和电流。 五、温度对二极管伏安特性的影响 二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高1°C，其正向压降减小2～2.5mV；温度每升高10°C：，反向电流大约增大1倍左右。 综上所述，二极管的伏安特性具有以下特点： ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； ③ 二极管的伏安特性与温度有关。
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&&& (1)功能：将输入讯号的位准予以上移或下移，并不改变输入讯号的波形。
&&& (2)基本元件：二极管D、电容器C及电阻器R（直流电池VR）。
&&& (3)类别：负钳位器与正钳位器。&
&&& (4)注意事项&
&&&&&&&& ?D均假设为理想，RC的时间常数也足够大，不致使输出波形失真。&
&&&&&&&& ?任何交流讯号都可以产生钳位作用。
&&& (1)简单型
工作原理&&&&&&&&&& ?
　　　　Vi正半周时,DON,C充电至V值,Vo=0V。&
&&&&&&&&& ?Vi负半周时，DOFF，Vo=－2V。
(2)加偏压型
&&&&&&&&& ?Vi正半周时，二极管DON，C被充电至V值（左正、右负），Vo=+V1(a)图或－V1(b)图。
&&&&&&&&& ?Vi负半周时，二极管DOFF，RC时间常数足够大，Vo=VC+Vi（负半周）=2V。
几种二极管负钳位器电路比较
&&& (1)简单型
&&&&&&&&& ?Vi负半周时，DON，C充电至V值（左负、右正），Vo=0V。&&&&&&&&&& ?Vi正半周时，DOFF，Vo=VC+Vi（正半周） =2V。
(2)加偏压型
判断输出波形的简易方法
1 由参考电压V1决定输出波形于坐标轴上的参考点。
2 由二极管D的方向决定原来的波形往何方向移动，若二极管的方向为
，则波形必须向上移动；若二极管的方向为
，则波形必须往下移动。
3 决定参考点与方向后，再以参考点为基准，将原来的波形画于输出坐标轴上，即为我们所求。
几种二极管正钳位器电路比较请问哪位大侠可以分析一下这个电路的波形为什么在0以下呢？二极管型号是4148
1）当电压高于0时，二极管导通，于是向电容器充电，充电方向为2正，1负。当电容器两端充电到峰值电压的时候，充电终止。
2）因此，在1点的电压，就是2点的交流电压-电压为峰值的直流电压（电容器上所充得的直流电压），所以，1点的最高电压，就是0伏。
3）当电压低于0伏的时候，二极管截至，所以，你看到的示波器波形，实际上就是一个脉动的直流波形。
串联电路接入交流电前，电容两端电压为零，如果电容两端没有电压通过电场形成电流，那么,在正半波的时候，电容充电，随后，当电容下游的电压到了0.7伏，二极管 导通，...
仅仅从你的图上分析，电路正常工作时，两个电容各充至一半的电源电压，因此不会对后级输出产生好的稳压效果。但是当断电时，输出降至一半电源电压时，两个电容通过串联的二...
答: 问的是区别，相同之处就不说了，至少有2点不同：1、精度上，隧道贯通测量精度要求较高，巷道贯通测量精度稍低一些。2、方法上，矿山贯通测量采用一井定向、陀螺经纬仪定...
答: 考试合格啊！
答: 不太一样 如果您对我的答复满意，请点击下方“好评”，谢谢！
答: 而博士课程则更侧重专题的研究，经常被视为是电机工程师学术生涯的起点
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我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。大信号输入二极管电路电流波形分析--《现代电子技术》2012年15期
大信号输入二极管电路电流波形分析
【摘要】：实验发现,在低Q点、交流大信号输入情况下,阻容耦合二极管电路的交流电流会出现正、负半周持续时间不等的非线性失真现象。为从理论上分析该现象产生的原因,提出一种新的作图分析法,并基于二极管电流方程进行数学计算,同时采用Multisim 11.0软件进行仿真,结果显示二极管电流由两部分构成:静态电流和正、负半周持续时间不等的交流电流。常规作图法得出的结论"二极管电流由静态电流和正、负半周持续时间相等的交流电流构成"在此时不再成立。
【作者单位】：
【基金】：
【分类号】：TN31
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