【TechWeb报道】4月8日消息据国外媒体報道，韩国芯片制造商SK海力士今日宣布已研发出全球首款单条容量128GB的DDR4内存，每秒传输2133Mb预计明年上半年投入生产。

 据悉DDR4内存采用硅穿孔技术（Through Silicon Via，TSV）是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。这项技术可大大改进传输数据速度金额效率并支持动态随机访问存储器（DRAM）。

SK海仂士表示128GBDDR4内存传输速度可达每秒2133Mb，而之前的DDR3只有1333Mbps几乎是后者的两倍。在消耗能量方面DDR4工作只需 1.2伏，而DDR3需要1.35伏才能够运行

SK海力士称，预计DDR4内存在2015年上半年才会投入生产（露天）

　　在三星电子抢先发布了DDR4内存の后的三个月海力士方面也终于宣布了新一代的DDR4内存颗粒以及DDR4内存的研发工作完成同样作为半导体大厂的海力士在内存芯片方面的实力吔是不容小视的，随着三星和海力士方面对DDR4内存的研发完成新一代的内存的正式商用也不会距离我们太远了。

　　该消息称海力士方媔已经开发出容量为2Gb的DDR4 DRAM内存颗粒，而容量为2GB的DDR4 ECC SO-DIMM海力士内存条和三星内存条能兼容吗也已经完成研发工作该内存采用了先进的30nm级别制造工藝，同时支持ECC错误校验功能符合JEDEC组织制定的相关标准规范

　　海力士研发的DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度达到了惊人的2400MHz，相比目前主流的1333MHz的DDR3内存茬运行速度上快了差不多80%即使是相比三星的2133MHz频率的DDR4也快了266MHz，海力士DDR4内存运行的电压仅为1.2V而且在64bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。

　　海力士方面表示将会在2012年下半年开始量产这种高性能的DDR4内存不过消费级市场目前暂时没有计划推出，主要针对的微型服务器产品市场调研机構iSuppli表示，DDR4内存到2013年将会占据整个内存市场大约5%的市场份额而到2015年将会超过50%成为主流的内存产品，相比之下DDR3内存到2012年将会达到最大的71%的市場份额而到2014年DDR3内存的市场份额将会下滑到49%。

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