骁龙835和821差很多吗 骁龙83骁龙845性能提升多少少

高通骁龙835到底怎么样?性能暴强 全面大升级
3月22号,高通正式举办了旗舰移动平台——骁龙835的亚洲首秀。为什么从骁龙处理器变成骁龙移动平台?在先前,无论是骁龙810、骁龙820还是骁龙821,都被称作“处理器”,但今天,骁龙835却以“平台”的姿势展现在我们眼前。
其实这是因为骁龙移动平台除了包含我们理解的SoC部分之外,还包括了射频前端、QC快速充电模块、Aqstic音频DAC模块、WiFi模块、指纹识别技术等等,这些SoC之外的部分与SoC协同合作,才能提供最优秀的用户体验。
骁龙835移动平台有啥新特性?
10nm FinFET制程工艺
骁龙835(SoC部分)采用三星10nm FinFET制程工艺打造,与上一代14nm FinFET相比,新工艺能在减少30%芯片面积的基础上,同时实现27%的性能提升或40%的功耗降低。而这对于骁龙835来说,就是SoC部分的芯片尺寸更加小,为主板/机身内部腾出更多空间,让OEM厂商能放更多模块或者加大电池。
另外,10nm FinFET制程工艺下也会带来续航性能上的提升、发热的降低,相信搭载骁龙835的移动终端将会有更优秀的续航性能和发热表现。
八核自主Kryo 280+Adreno 540
在CPU方面,骁龙835搭载自主Kryo 280核心,其中包括4*2.45GHz的性能核心以及4*1.9GHz的效率核心。
而GPU方面,骁龙835则内置了Adreno 540,支持包括OpenGL ES 3.2、完整的OpenCL 2.0、Vulkan API以及DirectX 12 API。
X16 LTE调制解调器,快快快
骁龙835内置X16 LTE调制解调器(Modem),下行支持夸张的4*20MHz载波聚合,配合256-QAM调制,峰值下行带宽达到1Gbps,达到Cat 16级别。而上行方面则支持2*2MHz的载波聚合,配合64-QAM调制,峰值也达到了150Mbps,达到Cat 13级别。
另外,骁龙835还支持全网通,LTE/LAA与WiFi智能天线共享、2*2 MU-MIMO、2.4GHz/5GHz双频WiFi、TruSignal等技术,带来更好的网络体验。
Spectra 180双ISP引擎
骁龙835内置Spectra 180双ISP,最高支持3200万像素单摄像头或1600万像素双摄像头,支持混合自动对焦(包括了激光对焦、相位对焦、对比度对焦等等)、光学变焦、高动态HDR视频录制、硬件加速的人脸识别等等。
QC 4.0快速充电、Aqstic音频解码+扬声器
在快速充电规格上,骁龙835支持QC4.0,兼容USB-PD协议,充电器支持5V~9V/3A~5.6A输出,配合INOV3.0电压调整算法,与上代QC3.0相比速度充电速度快20%,充电效率提高30%。
另外,骁龙835还支持高通Aqstic音频解码+扬声器技术,支持最高32bit/384kHz解码规格,信噪比(SNR)达到115dB,而THD+N也达到了105dB,支持原生DSD HiFi音频播放。此外,骁龙835还支持aptX和aptX HD 蓝牙音频技术,让无线连接的功耗降低一半。
骁龙835跑分多少?
在首秀现场,我们看到了搭载骁龙835平台的原型机跑分,从测试数据看,骁龙835平台Geekbench 4单核得分2048、多核得分为6478。安兔兔总分为182548分。当然,这只是原型机的得分,实际表现还需等待量产机上市。
另外,CPU/GPU跑分并不能完全说明一款处理器的性能,像DSP、ISP、Modem、WiFi这些模块需要实际的体验才能感受到好坏。
啥时候才有骁龙835的手机?
据先前网上的消息,高通将会推出骁龙630/635平台以应对中端市场,取代现有的骁龙625,而性能更强的骁龙650/653也将迎来继任者——骁龙660,它们预计都会在下半年集中出货。
而目前高通骁龙835已经进入生产阶段,预计会在2017年上半年搭载于商用终端中出货,届时我们不仅能在智能手机中看到这个平台的身影,在VR设备,甚至Win10平板电脑也会看到。
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扫描关注更多环球微信公众号不服跑个分 骁龙835成绩出炉 和骁龙821相比没提升
对于2017年的旗舰手机来讲,最大的希望应当就是骁龙835这款处理器了。只是因为工艺问题,这款处理器至今还没有正式发布,官方也只是宣称第一季度可以发布,至于实际供货恐怕还遥遥无期。
受到骁龙835延期的影响,今年的MWC众多旗舰手机缺席,比如三星Galaxy S8就完全没有按惯例露面,而是延后至少一个月。反倒是中兴抢了风头,率先“发布”了骁龙835手机,然而因为只是纸面发布,也并没有引起多少关注。
因为迟迟没消息,骁龙835这种“慢功”,难免会让人觉得高通在十年磨一剑。然而最近国外评测网站GSMArena把骁龙835的GeekBench 4跑分曝光了,从跑分情况来看,这成绩有点惨。
先看单核心跑分成绩,在GeekBench 4里的跑分是1929分,仅仅比华为麒麟960和高通自家的骁龙821高出了不到3%,距离三星自家的Exynos 8890也没拉开差距,总之相当于又做出了一个10nm的骁龙821一般。在跑分榜里遥遥领先的仍然是苹果iPhone 7 Plus使用的那颗A10处理器。
相对于单核心来说,多核心性能倒是比自家骁龙821提升了不少,提升幅度接近50%。然而多核心跑分提升的原因也很直接:骁龙821是一款四核心处理器,骁龙835则是一款八核心处理器。
于是多核心性能跟同样八核心的麒麟960、三星Exynos 8890相比,又没拉开差距,甚至跑分在麒麟960之下。当然如此微弱的差距,也很有可能是测试误差造成的,可以认为两者多核心性能相同。
GSMArena曝光的这个成绩是真是假呢?之前还有另一张GeekBench 4成绩可供参考,基本可以验证以上信息。跑分虽然比现在这个高些,总体似乎差距也不大:
但是从评价君知道的情况看,骁龙835跑分低的原因应该有很多。目前能跑分的骁龙835毕竟是早期工程样品,可能有部分模块还无法正常工作,或者初始频率过低等等,这大概也是骁龙835一直没有正式发布的原因吧。总之,前期曝光的成绩仅供参考,一切还是听官方怎么说吧。
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今日搜狐热点骁龙835比骁龙821强多少? 感觉并没有提升多少!_百度知道
骁龙835比骁龙821强多少? 感觉并没有提升多少!
安兔兔跑分83518万 ,821 ?
感觉并没有提升多少骁龙835比骁龙821强多少,16万
我有更好的答案
CPU性能提升并不高 主要是工艺的提升 10nn工艺比高通820 821 14nn工艺更好
工艺好主要体现在功耗上 发热量比821更小 耗电上比821更省电 这才是重点
采纳率:70%
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10nm的骁龙835来了,821/820手机还值得买吗?
冬天来了,春天不会远了,新旗舰手机更近了,好激动呀……这既是咱机友们的心情,也是SoC厂商的心理写照。这不,高通就冷不丁地公布了2017年的旗舰芯片骁龙835,作为骁龙820/821的继任者,它既让我们对明年旗舰机的性能有新的期待,也不禁想问,除了能创跑分新高,还能有什么更让人兴奋的吗?先进的制程比核心数更重要
去年骁龙820的发布时间也是在11月,跟骁龙835相隔刚好差不多一年,不过骁龙835的处境可比去年的820好多了,后者肩负着为高通“退烧”的重任。因此,高通在公布骁龙820时就将其架构、主频、GPU等各项详细参数都一股脑地倒了出来,而此次对于骁龙835其并没有透露过多的信息。主要就告诉我们一件事——它将使用三星10nm制程工艺制造。
有意思的是,刚好就在高通公布该消息的一个月前,三星宣布其10nm制程芯片工艺实现量产,前后脚的发布消息,这两家公司就像商量好似的。受此打击最大的大概就是另一家芯片代工厂台积电了,不仅再次把“首家实现量产10nm制程工艺芯片厂家”的头衔拱手让给三星,更失掉了传闻中高通骁龙835的大单子。三星展示的使用10nm技术打造的晶圆表明已完成该制程量产工艺的规范&
台积电在半导体制造工艺方面与三星一直都相互竞争,在14/16nm FinFET工艺量产进度被三星击败后,台积电卯足劲希望在10nm甚至7nm工艺上要领先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工艺一样,在正式量产前不断放消息,结果实际时间却延迟了近半年。如今曾信心满满要赶在三星前面的台积电不仅又落后了,更未确定年底能否量产10nm,但愿不要太迟才好。
因为这不仅关系到台积电自己,其他厂商也因此受到影响。华为海思规划了两款高端芯片麒麟960、麒麟970,前者采用台积电成熟的16nm FinFET工艺,而后者则计划采用台积电的10nm工艺,如果无法如期量产,恐怕华为明年的旗舰新机也会有变数。
一直希望通过采用领先的工艺而在高端芯片市场有所作为的联发科,如今大概也正在为台积电的10nm工艺量产时间头疼。由于联发科所有芯片都不支持中国移动要求的LTE Cat7而开始被国产手机厂商弃用,它急需推出采用10nm工艺的Helio X30,该芯片支持LTE Cat10技术,这也造成了联发科如今青黄不接的囧况。
不难看出,高通和三星共同宣布采用10nm工艺制造骁龙835这一消息,无异于联手告诉各自的竞争对手:“来追我呀”,宣示领先地位。或许正因如此,这次骁龙 835 也有了跳数字的命名方式(此前传闻型号应为骁龙830)。&看他们笑得多开心,高通副总裁KeithKressin和三星高级副总裁Ben Suh手中拿着的就是骁龙835芯片这次快充不怕谷歌的白眼了
和骁龙835一起到来的还有Quick Chrage 4快速充电技术,实际上,就在公布前不久,高通的Quick Chrage快充技术正经受着考验。谷歌在最新的Android兼容性定义文档中强烈建议OEM厂商不要在Type-C设备上使用具有收费专利的充电技术,而应该使用标准的USB PD供电协议,将矛头直指高通Quick Charge为代表的一众第三方快充技术。
根据USB Type-C 3.1接口的规范,充电电压应保持在4.45-5.25伏之间,而高通QC 3.1所需要的电压便远超USB Type-C线的标准,由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接,的确导致了各种兼容性问题。而且因为各手机内部配置不同、充电速率不同,如果用户混用设备,可能会造成安全隐患。USB-PD充电协议便旨在推广标准3A Type-C型充电器,实现兼容又相对可靠的快充。
现在Quick Charge 4的到来显示高通已经做好了接招的准备:集成对USB Type-C和USB-PD的支持。这可能意味着,未来搭载Quick Charge 4的不同手机之间,混用充电器同样可以实现快充了。
当然还有更快的充电速度,高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%,仅五分钟的充电,手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内,可充入高达 50%的电池电量。&15分钟充电50%,Quick Charge 4的充电效率提升达30%
Quick Charge 4的升级也包括对发热的控制,采用高通第三版INOV电源管理算法(最佳电压智能协商),据说加入了行业首创的实时散热管理技术,让你的手机在充电时温度更低,较上一代最多可以降低5摄氏度。毕竟因为三星Note7事件,大家越来越重视充电过热的问题。
这主要是基于配置骁龙835的手机拥有电流电压的三重防护,以及防止过热的四重防护,而骁龙835也能管理电池使用寿命,让用户使用更长时间。也就是说,骁龙835将首先搭载Quick Charge 4。满足你对手机性能的期待
虽然目前高通还没有透露关于骁龙835的具体信息,不过目前曝出的一些信息:升级版64位自主架构Kyro 200,四大、四小的八核设计,GPU核心升级为Adreno 540,LTE X16基带以及更快的LPDDR4x运存等,基本是可靠的。高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%,仅五分钟的充电,手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内,可充入高达 50%的电池电量。
按照高通的说法,骁龙835将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。要知道苹果iPhone7/7Plus去掉耳机孔的最大原因就是让出机身内部空间,以加入相机模组、Taptic Engine和一部分电池容量。
那么我们可以预见,明年旗舰机的机身厚度进一步降低的基础上,不仅有更高性能,还有更大容量的电池以及更长续航时间。随着双摄手机的普及,预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案,新一代的Hexagon DSP也会带来更好的待机表现。
伴随着VR概念的火热,高通也提出了会为这些运算做出单独优化,用以达到更好的效果。VR对手机图形处理能力的要求比以往高得多,骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍。另外,今年的热点是人工智能,骁龙820就已内置Zeroth神经处理引擎,能够自动根据用户拍摄的照片进行分类,相信骁龙835会更进一步,带来更加实用的机器学习功能,以后你的手机大概会更懂你。&对于手机厂商来说,骁龙835的搭载不仅影响其产品设计,也足以以此来吸引并刺激消费者的购买欲&
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