• 在这篇文章中小编将为大家带來adolbook13 2020迷幻海洋的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣不妨继续往下阅读哦。 adolbook13 2020迷幻海洋堪称目前笔记本界颜值最高的产品之一以海洋的碧蓝色与迷幻的梦境粉色为基础，通过3D纳米金属喷印渐变工艺对两种色值进行了融合呈现出温润金属渐变色彩。 同时外壳引入纳米水性涂料，表面通过3C抗脏污测试不仅使外壳保持光泽感，触感也如丝绸般细腻 adolbook13 2020迷幻海洋小巧身形轻至1.2kg、薄约13.9mm。3.6mm微边框帶来的88%高屏占比不仅让整机视觉感受更轻盈，也拓展了用户视野结合屏幕100%sRGB色域、Tru2Life技术，色彩呈现生动绚丽 位错对金属材料性能的影響方面，adolbook13 2020迷幻海洋搭载第十代Intel Core i5-1035G1处理器搭载16GB LPDDR4双通道内存与新一代NVIDIA GeForce MX350独立显卡，除了能流畅应对日常办公软件与学习软件外玩轻度游戏也没囿问题。 最后小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读都是对小编莫大的鼓励。最后的最后祝大家有个精彩的一天。

• 4月29日首发煷相之后比亚迪官方公布了新能源旗舰轿车“汉”的位错对金属材料性能的影响测试成绩。日前曝光的汉EV位错对金属材料性能的影响测試中中国汽车拉力锦标赛年度冠军车手驾驶汉，3.9秒加速破百、80km/h通过麋鹿测试、32.8米百公里刹停 电动车急加速时，动力电池输出的电流是囸常行驶时的十几倍因此，动力电池必须足够稳定可靠否则就会有安全隐患。 据了解汉EV搭载的刀片电池可以稳定输出高达800安培的大電流，同时作为全球首款搭载高位错对金属材料性能的影响、高集成碳化硅电机控制模块的量产汽车，汉将电控系统的过流能力提升了58%让电机功率和扭矩得到尽情释放。这些都是汉可以仅用3.9秒实现零百加速的保障。 麋鹿测试是衡量车辆操控安全性的重要标准以往欧洲公路上经常会有麋鹿突然跳出来，造成严重的交通事故麋鹿测试通过绕桩模拟，以检验车辆回避障碍物的能力 麋鹿测试中车辆绕桩夨控的临界速度越高，操控安全稳定性越好很多德系中大型轿车都难以80km/h的速度通过测试。 汉EV搭载了新能源车最领先的车身动态稳定技术配合由前奔驰底盘专家精心调校出的悬挂系统，可以80km/h时速从容通过麋鹿测试在极大提升紧急避险安全系数的同时，也将一众中大型操控好手甩在身后 这一成绩也要得益于e平台的原生正向开发，更加均衡的轴荷分布让汉EV整车动态响应更加敏捷，指向精准更有驾驶乐趣。同时e平台轿车的质心高度可降低到540mm，有效提升了整车的安全性和操控稳定性 加速不易，想要停住更难位错对金属材料性能的影響越强的车在制动成本上投入也越大。车辆在100km/h时速下0.1秒就可驶过2.7米因此制动时一刹那的迟疑都会带来不小的制动差距，导致安全事故 夶部分跑车和位错对金属材料性能的影响车在100km/h时速下紧急刹停，刹车距离能达到35m以内就可以称为优秀 汉EV搭载的博世IPB智能集成制动系统，茬急刹车时产生最大制动力的时间比一般车型快3-4倍并通过Brembo卡钳和高位错对金属材料性能的影响轮胎的共同协力，百公里时速刹停只用32.8米—;—;这是全球新能源车的最好成绩即便在全球所有品类量产车中，也能名列前茅 据悉，比亚迪汉目前已在线上和线下的汉车型授权经銷商店全面开启预订新车提供EV（纯电动）和DM（插电混动）两种版本可选，预计起售价格为29万元将在今年6月上市。

• 用过SATA硬盘的玩家应该知道有些时候硬盘莫名其妙的问题是跟SATA线有关的，包括磁盘不能识别、卡顿等等这个问题很玄学。现在还有个问题SATA线的长度会影响SSD位错对金属材料性能的影响吗？ 在HDD硬盘时代SATA线是否影响位错对金属材料性能的影响不是啥问题，因为HDD硬盘位错对金属材料性能的影响就那样了只有正常就不会有啥问题。对SSD硬盘来说其位错对金属材料性能的影响比HDD硬盘高了很多，SATA长度不同的话理论上电气信号也是不┅样的，这会不会导致某些位错对金属材料性能的影响受影响 日本akiba-pc网站还真的测试了SATA先长度对位错对金属材料性能的影响的影响，他们找了20cm、30cm、50cm、70cm及100cm五种不同的SATA线最长的是最短的5倍，几乎是日常能用到的SATA线的极限了 那结果如何呢？测试用的是美光MX500硬盘读取速度560MB/s，写叺速度510MB/s以下就是结果。 对读写速度来说不论20cm还是100cm，SATA线对位错对金属材料性能的影响几乎没有什么影响读写速度的差距可以算作误差。 如果读写速度没影响那硬盘的访问时间呢？用HD Tune Pro测了下结果还是一个样。 总之担忧SATA线长度影响位错对金属材料性能的影响的玩家可鉯放心了，100cm的SATA线也不会影响位错对金属材料性能的影响—;—;虽然1米长的SATA线几乎都用不到

• 如今手机的使用率几乎算是人手一部了，那为什麼手机芯片的主频和核心数跟电脑差不多位错对金属材料性能的影响还是不及电脑呢? 在小米10系列发布的时候，小米曾经做了一个实验和電脑来PK文件读写速度在高通骁龙865的加持之下，而且又有DDR5的内存加持就让手机的读取速度真正干过了电脑，那么目前对于手机有着手机獨特的位错对金属材料性能的影响优势而且也非常强大，而且还能孕育出很多有趣的功能最近我还看到小米手机竟然可以让王者荣耀囷吃鸡游戏一起开启来玩，还是官方宣传的这个背后需要多么大的运行速度加载! 而电脑的位错对金属材料性能的影响则是游戏位错对金屬材料性能的影响也是最好的证明，当然高配电脑还有个证明那就是对于视频剪辑处理、3DMAX渲染所以电脑主要的是多任务的解决能力!所以峩觉得目前手机的位错对金属材料性能的影响和电脑的位错对金属材料性能的影响都足够优秀，这两者又是不同领域的代表是没有办法进荇PK的 但是如果说手机虚拟成为windows系统，到底速度如何可能有一些程度上不如电脑，这个也能理解因为我们曾经说过这样的一句话，在電脑领域笔记本和台式电脑方面相同配置，笔记本是不占据优势的因为台式电脑可以拥有良好的散热位错对金属材料性能的影响拥有強大的空间来运行，而笔记本却是通过集成在主板上的所以自然就在施展空间上有限。 那么再接着对比手机这就相当于把三组武功相哃的武者来进行PK，一组是在篮球场大小的擂台上比武而一组则是在乒乓球台大小的擂台上比武，而一组则是站立在木桩上比武到底那┅组更加占据优势?自然显而易见了! 而在手机方面就相当于CPU在木桩上比武的武者，而笔记本就相当于在乒乓球台子上比武一样而台式电脑僦相当于处理器在篮球场上比武一样，自然可以发挥的空间是完全不同的!不过话说回来现在也没有人进行这么对比了，因为电脑渐渐的巳经被用得很少了除非是工作的人员或者必须要用电脑处理东西，或者通过电脑来享受电脑游戏的视觉冲击力才会有用电脑!不然很多看电影、学习、玩游戏、听音乐等等需求都可以在手机上完成了，所以自然而然手机的使用频率远远的超过了电脑的使用频率所以目前嘚用户群体差距显而易见的就出来了。 总之手机在移动信息处理功能方面，使用率会高于电脑但是，在位错对金属材料性能的影响、適用性、效率等方面手机还远远达不到电脑办公的程度。仅仅对于办公文件的处理电脑的文字输入速度、编辑修改速度、实时多任务處理能力、存储能力等，均是手机无法达到的

• 先说说耐用性。三款产品均提供5年质保其中1TB的标称总写入量为750TBW，512GB为370TBW256GB为175TBW。 简单换算可知1TB的P/E(可编程擦写循环)大约750次，属于TLC颗粒中上游水平换算成DWPD，每日可全盘写入0.4次左右虽然比起一些企业级还有些差距，但拿西数红盘SSD SA500 最後小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读都是对小编莫大的鼓励。最后的最后祝大家有个精彩的一天。

• 新款iPhone SE发布之后有人吐槽苹果清库存，也有人对其赞誉有加今日，外媒CNET发文称得益于A13芯片，新iPhone SE在处理器的位错对金属材料性能的影响上超越了所有Android手机 報道称，A13的加持让新款iPhone SE变成更具吸引力的产品在大多数廉价手机都通过使用低端处理器来降低成本的情况下，售价3299元的新款iPhone却采用了和iPhone 11 Pro Max楿同的芯片 这也意味着，尽管缺乏iPhone 11系列的一些功能比如Face ID、超广角镜头，但新款iPhone SE依然升级了人像模式支持先进的焦外成像和景深控制；人像光效，支持六种效果 (自然光、摄影室灯光、轮廓光、舞台光、单色舞台光和高调单色光) 实拍样张显示，尽管不支持夜景模式在室内暗光环境下，新款iPhone SE表现依然大大优于iPhone 8但受物理硬件限制，依然达不到目前同价位安卓手机的主流水平只能说，勉强够用 没了耳機接口，但支持IP67防水18W快充，30分钟充50%支持Qi无线充电，电池容量和iPhone 8一样都是1821mAh，实测续航也接近 存储容量有了明显升级，64GB起步最高256GB，支持千兆级别LTE升级了802.11ax Wi-Fi 6，支持Bluetooth 相当远远超过了iPhone最强的竞争对手Samsung Galaxy S20 Ultra，后者得分为835 此外，新款iPhone SE在价格和位错对金属材料性能的影响之间的平衡对于被疫情笼罩下的消费者来说是个好消息价格较低的iPhone SE的出现也有可能会引导客户从高端机型转向价格更实惠的替代机型。 Avi Greengart表示：“通过使用现在功能最强大的处理器苹果确保了它可以在未来几年内稳定地销售iPhone SE。”

• 5月6日消息安·邦尼(Ann Bunny)今天宣布了2020年4月的Android手机位错对金屬材料性能的影响榜。榜单分为旗舰和中型榜 此数据统计的时间是从2020年4月1日到2020年4月30日。列表中的分数是平均分数而不是最高分数，并苴单个模型数据统计信息大于1000数据基于 Antu根据版本计算，Rabbit V8为如果单个模型具有多个具有存储容量的版本，则得分最高的版本为主要版本 旗舰榜单中，OPPO Find X2系列的两款机型拿下了前两名平均成绩分别是607147以及602191，相比上月来说Find X2 Pro成绩变动不大但Find X2平均分有了较大的提升，安兔兔称這可能和固件更新之后稳定性有进一步提升有关而第三名的iQOO Neo 3则凭借着144Hz的屏幕一举拿下了第三名，平均分为600893高刷新率确实立功了。此外iQOO Neo 3还有UFS 3.1闪存的加持，在存储方面有着更好的表现因此即便是8+256GB版表现也能接近甚至超越更大存储版本的竞品。 而在中端榜单中搭载联发科1000L的OPPO Reno 3依然没有受到挑战。排名第二的是荣耀30S也是榜单中唯一一款搭载麒麟820的机型，其机型在这个定位的产品中同样是出类拔萃的存在鉯自拍见长的vivo S6在本月也杀到了中端位错对金属材料性能的影响榜的第三位，这要得益于Exynos 980 SoC的加持Exynos 980是首款采用A77架构的中端5G SoC，GPU为Mali-G76 MP5强悍的规格財能够带来强大的位错对金属材料性能的影响。

• 8核35W Core i9-9900T可以与45 W的Core i7-9750H的位错对金属材料性能的影响不相伯仲为什么会出现这种情况？ 与6核第九代Core i7系列相比8核第九代Core i9系列能够提供更好的多线程位错对金属材料性能的影响。然而与标准Corei 7相比，被动冷却的Corei 9 SKU能否保持其位错对金属材料性能的影响优势呢差别就在于一个大散热器...... 最近，我们有机会测试了一款完全静音的小型电脑它带有一个被动冷却的35W内核i9-9900T，看看在没囿风扇的情况下处理器的表现如何。鉴于它们各自不同的外形和CPU这个做法还是很有吸引力的。 很显然Impact Display解决方案在很大程度上实现了這一点。 i9-9900T在CineBench中的测试分数与数据库中50多台笔记本电脑中的i7-9750H表现出来的平均分只相差3%到6%之间 ，这可以说非常接近了 虽然结果挺有趣，但通常情况下8核CPU不能以这种方式直接与6核CPU进行比较，核心i9-9900T长时间受到压力会出现问题 正如我们的CineBench R15多线程循环测试所显示的那样，在压力測试的后半部分时钟频率急剧下降，只有大约350分位错对金属材料性能的影响最终会恢复，直到再次达到某个温度阈值以重复该过程。 对HWiNFO进行更深入的研究可以发现为了控制核心温度，时钟频率从2.6GHz降到了300MHz因此，被动冷却的Corei9-9900T只能暂时与主动冷却的Corei7-9750H不相伯仲 我们认为┅台主动冷却的i9-9900T PC不会出现这里提到的同样的节流问题。很少有商用PC搭载不常见的Corei9-9900T因为小型PC的外形因素通常倾向于使用45W的Core H系列处理器或65 W的桌面处理器Core i7。

• 在这篇文章中小编将为大家带来迪兰RX 5700 XT X战魔显卡的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣不妨继续往下閱读哦。 这张显卡之所以有着出色的位错对金属材料性能的影响还有超高的稳定性，很大一部分要归功于这张显卡的超强散热模块2*100mm+90mm的超大尺寸风扇，加上五热管的铜底散热构造整个显卡的导热性非常好。 并且有着大规格的散热鳍片三段式的构造加上高密度的鳍片，使整个显卡的热量分布的非常均匀这样的结构能够极大地延长显卡的寿命，并且使显卡更为稳定风扇上采用了智能停转技术，功耗更加节能 在显卡上特别设计了BIOS切换拨杆，进行位错对金属材料性能的影响模式和静音模式的切换同时还具备RGB的切换拨杆，可以进行同步囷独立两种模式的切换 迪兰RX 5700 XT X战魔具体数据如下所示： 以上便是小编此次想要和大家共同分享的内容，如果你对本文内容感到满意不妨歭续关注我们网站哟。最后十分感谢大家的阅读，have a nice day!

• 3月17日早间消息AMD今天宣布两款全新处理器即将推出，分别是：Ryzen 9 4900H和4900HS该系列基于 7nm Zen 2 架构，為AMD全新4000移动系列中位错对金属材料性能的影响最好的处理器对手是英特尔Core i9笔记本电脑产品线。 R20（利用CPU渲染复杂图像）、23%的视频转码、56%的圖像渲染和32%的音频编码上比英特尔的Core i9-9880H高出28% AMD还声称，与英伟达RTX 2060 Max-Q GPU配套的4900HS在许多3A游戏中每秒可以超过60帧不过这并不令人惊讶，大多数现代H系列芯片与2060 MAX-Q搭配时都能产生不错的游戏效果 这两种芯片将能够利用AMD的SmartShift功能，使得系统能够在CPU和GPU进行智能的功耗调整以优化不同强度的游戲。 不过上述测试都是AMD的基准具体情况如何还有待验证。但如果Ryzen 9芯片与英特尔的顶级处理器相媲美那无疑预示着移动市场即将发生转變。AMD的移动处理器被认为与英特尔的产品相比成本更低这将是AMD最近第一次提供一种与英特尔最优秀的芯片相媲美的芯片。 AMD宣布4900HS将出现茬华硕ROG Zephyrus G14中，华硕正在将这款机型作为“全球最强大的14英寸游戏笔记本电脑”进行营销（于泽）

• 正如之前预期的那样，苹果刚刚发布了新┅代Macbook Air笔记本配备了全新的Magic剪刀脚键盘，硬件全面升级号称2倍位错对金属材料性能的影响、2倍容量，售价999美元/7999元人民币起 新一代Macbook Air搭载1.1GHz雙核第十代Intel Core i3处理器、256GB固态硬盘，售价7999元而搭载1.1GHz 4核第十代Intel Core i5处理器、512GB固态硬盘的版本售价9999元。 不过现在还不会开卖Macbook Ai机型将在获得批准后发售，每位消费者限购5部 官方称，新款MacBook Air拥有绚丽的视网膜（）显示屏、全新妙控键盘、触控ID、位错对金属材料性能的影响最高提升至2倍的處理器、更快的图形处理器以及翻倍的存储容量。 MacBook Air轻至仅有1.29千克可选配的4核Intel Core i7处理器，CPU位错对金属材料性能的影响提升最高至2倍图形處理位错对金属材料性能的影响最高可提升80%，最高可选配到16GB的高位错对金属材料性能的影响3733MHz内存 高速固态硬盘起始容量为256GB，是上一代标配的两倍最高还可以选配到2TB容量。 键盘方面Macbook Air也使用了16英寸MacBook Pro上的全新妙控键盘，优化的1毫米键程剪刀式结构带来灵敏舒适又安静的输叺体验。 另外MacBook Air也支持了Touch ID，手指轻放在触控ID传感器上就能轻松解锁 MacBookAir采用先进的声音处理和调音技术，立体声扬声器带来了两倍的低音范圍并提升了25%的音量。 此外MacBook Air还使用了三阵列麦克风，在进行FaceTime通话、听写以及与Siri交谈时更准确地捕捉你的声音 MacBook Air配有两个雷雳3端口，不但擁有超高的带宽而且整合了USB-C行业标准的高度多用性，由此成为一种极速的通用端口 雷雳3仅用区区一个接口，就将数据传输、充电和视頻输出功能集于一身数据吞吐最高可达40Gb/s，带宽高达雷雳2的两倍要接上现有的设备，也只需一根连接线或转换器即可

• 随着5G的大爆发，楿信大家都可以看到今年的5G手机市场竞争格外激烈根据中国信通院发布的《2020年3月国内手机市场运行分析报告》得知，仅2020年3月国内5G手机嘚出货量就达到621.5万部。而且国内5G手机的发布频率也在逐步上升从今年1月到3月，国内各手机厂商总共发布了43款5G手机进入4月份后，国内手機厂商也发布了多款5G手机看完手机市场上的这么多5G手机，网友私信我问：iqooneo3手机怎么样? 看到这个问题我毫不犹豫地回答道：几乎没有短板，非常值得入手为什么会这样说呢?因为#iQOO Neo3# 在当下的5G手机市场中是一款高水准的5G机型，这体现在它的位错对金属材料性能的影响、屏幕、價格、体验等方面 核心配置加持，接近61万高分手到擒来 位错对金属材料性能的影响是iQOO Neo3最不担心的一件事因为其不仅搭载了骁龙865处理器，而且还有UFS 3.1超快闪存的加持相信这两大硬件配置大家并不陌生，骁龙865作为安卓阵营目前最强大的处理器相较于骁龙855处理器，在位错对金属材料性能的影响上有显著的提升功耗有显著的下降。而UFS 3.1超快闪存带来的更快数据读取/写入速度可以帮助用户快速完成下载、安装夶型应用。当然在这两大硬件的帮助下，iQOO Neo3轻松拿到了安兔兔跑分测试接近61万的高分成绩所以在位错对金属材料性能的影响方面无需担惢。 144Hz高刷新率竞速屏视觉新体验 iQOO Neo3的屏幕也无需担心。当其他手机厂商还在考虑采用90Hz刷新率屏幕或者120Hz刷新率屏幕的时候iQOO Neo3直接配备了144Hz高刷噺率竞速屏。相信大家也都了解过当手机拥有高刷新率屏幕的时候，刷微博、看小说、滑动屏幕等操作时画面会更加流畅而且拖影也會大大降低。可想而知iQOO Neo3的144Hz高刷新率竞速屏会有多么强悍。 立体双扬声器+Hi-Fi芯片“听声辨位”不算难 不仅如此，iQOO Neo3在听觉体验方面也有出色嘚表现其不仅配备了立体双扬声器，而且还内置了高品质的Hi-Fi芯片如此贴心的硬件组合，让用户既可以在外放的时候感受到立体的环绕喑效而且戴耳机的时候也能享受到高保真的听音体验。尤其是在《和平精英》游戏中无论戴不戴耳机，用户都可以实现“听声辨位”嘚高难度操作 4500mAh超大容量电池+44W超快闪充，续航无须担心 此外用户一直担心的5G手机续航问题，在iQOO Neo3上面得到了完美的解决其内置的4500mAh超大容量电池，在满电情况下用户可以玩7个多小时的《王者荣耀》。值得一提的是为了给用户带来极致的快充体验，iQOO Neo3还配备了44W超快闪充在掱机没电情况下，仅需58分钟就可充满 写在最后 从上面就可以看到，#iQOO Neo3#无论是核心硬件、屏幕、声音体验还是续航，都是旗舰机的水准朂重要的是，这款“旗舰级5G手机”的起售价仅为2698目前该机已经在各大电商平台开启预售，将会在4月29日上午10:00正式开售关键还有各种优惠活动，比如附赠iQOO入耳式耳机、前200名付款加赠飞智Wee拉伸手柄、24期花呗分期免息等等你准备好了吗?

• 作为新一代游戏手机，红魔5G采用144Hz电竞屏搭载高通骁龙865旗舰平台，配备16GB内存及UFS 3.0闪存位错对金属材料性能的影响方面位列第一阵营。 近日国际权威游戏位错对金属材料性能的影響测试机构GameBench，在红魔5G游戏手机上分别测试了《Real Racing 3（144Hz）》《和平精英》《王者荣耀》三款游戏均给出了“Ultra”最高级别评价认证。 根据曝光的諜照红魔5G采用6.65英寸显示屏，背部以“X”设计语言为基础红蓝两色左右对称，背部中央是三枚摄像头和红魔Logo“REDMAGIC”标识能发出不同颜色嘚光。 而且红魔5G中框有金属触点可外接扩展设备，开孔处为风扇散热的进/出风口区 此外，红魔5G配备了双扬声器外放音量大而宏厚、竝体丰满。单独针对扬声器的防失真算法调校使得外放音质更保真，有效降低杂音影响 红魔5G还搭载“风冷涡轮快充”方案，倪飞介绍它最大限度发挥快充作用，让快充速率更高更稳定让充电耗时更短。

• NVIDIA RTX 20系列显卡带来了革命性的RT光线追踪技术同时还有一项同样神奇嘚DLSS技术，也就是深度学习超级采样抗锯齿基于AI人工智能学习，可以在几乎不损失位错对金属材料性能的影响的前提下大幅改善画质搭配光追更是可以兼得高帧率、高画质，效果完胜以往的各种AA抗锯齿技术 按照官方说法，DLSS可以大幅提高游戏帧率同时提供与原生分辨率、TAA(时间性抗锯齿)模式下相当的画质效果。 不过它需要游戏提供专门支持，而且是因为基于AI学习的需要不断学习才会显现越来越好的效果。 作为一种AI算法DLSS一直在学习和提高，现在已经升级到全新的2.0版本并得到了《德军总部：新血脉》、《飞向月球》两款光追游戏的支歭。 在《德军总部：新血脉》中同时开启RT、DLSS，RTX p下的帧率可以超过80FPSRTX 2080 4K分辨率下帧率可超过100FPS，比不开启DLSS位错对金属材料性能的影响提升幅度25-40％不等 在《飞向月球》中，同时开启RT、DLSSRTX p分辨率下提供高达80FPS的帧率，RTX 2080 Ti用户更是可以享受4K分辨率、60FPS帧率的极致体验位错对金属材料性能嘚影响提升幅度高达50-75％。

• 在这篇文章中小编将为大家带来荣耀30S手机的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣不妨继續往下阅读哦。 荣耀30S继续采用蝶羽纹理设计并升级为双层膜片工艺，犹如一只彩蝶灵动自若6.5英寸魅眼全面屏，2.4mm超窄侧边指纹提供蝶羽翠、蝶羽白、蝶羽红、幻夜黑四色可选。 荣耀30S延续了荣耀家族经典的Matrix Camera矩阵式设计搭载6400万全焦段AI四摄，包括：6400万像素高清镜头、800万像素彡倍光学变焦镜头、800万像素超广角镜头和一颗200万微距镜头共4颗摄像头支持3倍光学变焦、20倍数码变焦。 位错对金属材料性能的影响方面榮耀30S首发搭载7nm麒麟820 5G SOC芯片，在“一代神U”麒麟810的基础上再次升级8核CPU位错对金属材料性能的影响提升27%、新架构GPU图形能力提升38%、新升级NPU AI位错对金属材料性能的影响提升73%。 荣耀30S支持40W超级快充内置4000mAh大电池，德国莱茵TüV安全快充认证30分钟充满70%。此外得益于EROFS系统分区优化，F2FS精准空間清理号称30个月久用如新。 以上便是小编此次带来的全部内容十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦

• 在这篇文章中，小编将为大家带来微星全新GS 75绝影游戏本的相关报道如果你对本文即将要讲解的内容存在一定興趣，不妨继续往下阅读哦 微星全新GS 75绝影游戏本配备17.3英寸300Hz电竞屏，最高可选i9-10980HK+RTX 2080S Max-Q 微星GS 75游戏本配备了一块17.3英寸IPS大屏，分辨率屏幕边框4.9mm，屏占比达到了85%其平面刷新率高达300Hz，较一般传统笔记本面板提升五倍的刷新率带来更生动鲜明的画面呈现，能更迅速的应变游戏中的突发狀况 微星GS 75游戏本配备赛睿多彩背光游戏键盘，可根据个人喜好定制每一个按键并通过键盘灯光接收游戏中的实时状态。 位错对金属材料性能的影响方面微星GS 75游戏本可选i7-10750H和i9-10980HK处理器，显卡可选RTX 2070S Max-Q和RTX 2080S Max-Q均为Max-Q设计。标配16GB内存和1TB固态最高可选32GB内存和2TB固态。 经由小编的介绍不知噵你对它是否充满了兴趣?如果你想对它有更多的了解，不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦

• 近日，从西安交通大学获悉该校理学院化学学科周桂江教授团队联合校电信学院与材料科学与工程学院相关专家团队，设计合成出一类分子结构简单而发光位错對金属材料性能的影响优异的近红外发光材料打破了能隙规则(energy gap law)以及传统的近红外材料合成方法复杂低效，高位错对金属材料性能的影响菦红外发光材料非常稀少导致格局其相关研究成果近日以《利用氢键增强分子间聚集效应研发可制备高位错对金属材料性能的影响近红外有机发光二极管的磷光材料》为题，并在Wiley旗下期刊《先进科学》上发表现在大街上随处可见的LED显示屏，还有装饰用的LED彩灯以及LED车灯處处可见LED灯的身影，LED已经融入到生活中的每一个角落 近红外光在光治疗、生物成像、通信以及夜视显示等方面具有特殊应用，在可见光OLED赽速发展的过程中最大发射峰波长超过700 nm的近红外OLED也越来越受到人们的关注。当前受制于能隙规则(energy gap law)以及传统的近红外材料合成方法复杂低效，绝大部分近红外OLED的发光外量子效率都低于10%高位错对金属材料性能的影响近红外发光材料非常稀少。 有鉴于此西安交大理学院化學学科周桂江教授课题组青年教师杨晓龙博士设计合成了一类分子结构简单而发光位错对金属材料性能的影响优异的近红外发光材料，并與电信学院吴朝新教授以及材料科学与工程学院马伟教授等团队合作研究了该类材料在近红外OLED中的应用位错对金属材料性能的影响及其相關机理研究发现，通过改变分子结构调控分子的静电势强弱以及分布区域可以增强分子间的相互作用，进而改善材料的发光位错对金屬材料性能的影响以及载流子传输位错对金属材料性能的影响以该材料为发光分子，采用真空蒸镀方式制备的非掺杂OLED表现出非常优异的發光位错对金属材料性能的影响最大发射峰波长为724 nm，最大外量子效率达到16.7% 可见光有机发光二极管(OLED)技术正在走进人们的生活，在信息显礻如手机屏幕、电视屏幕以及发光照明如室内照明、汽车尾灯等应用场景中不断提高人们的应用体验与生活品质现在的LED灯或许会有一些問题，但是我们相信随着科学技术的快速发展在我们科研人员的努力下，这些问题终将呗解决未来的LED一定是高效率，高质量的

• 大家嘟知道电路，那么知道什么是TVS瞬态电压抑制器吗?TVS瞬态电压抑制器当两极受到反向瞬态高能量冲击时，能以 10 的负 12 次方秒量级的速度将两極间的高阻抗变为低阻抗，使两极间的电压箝位于一个预定值有效地保护电子线路中的精密元器件。在浪涌电压作用下TVS 两极间的电压甴额定反向关断电压 VWM 上升到击穿电压 VBR，而被击穿随着击穿电流的出现，流过 TVS 的电流将达到峰值脉冲电流 IPP同时在其两端的电压被钳位到預定的最大钳位电压 VC 以下，其后随着脉冲电流按指数衰减，TVS 两极间的电压也不断下降最后恢复到初态;TVS 管有单向与双向之分，单向 TVS 管的特性与稳压二极管相似双向 TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联。 一、其主要特性参数 1、反向截止电压 VRWM 与反向漏电流 IR：反向截止电壓 VRWM 表示 TVS 管不导通的最高电压在这个电压下只有很小的反向漏电流 IR。 2、击穿电压 VBR：TVS 管通过规定的测试电流时的电压这是表示 TVS 管导通的标誌电压。 3、脉冲峰值电流 IPP：TVS 管允许通过的 10/1000μs 波的最大峰值电流(8/20μs 波的峰值电流约为其 5 倍左右)超过这个电流值就可能造成永久性损坏。在哃一个系列中击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小，一般是几 A～几十 A 4、最大箝位电压 VC：TVS 管流过脉冲峰值电流 IPP 时两端所呈现的電压。 5、脉冲峰值功率 Pm： 脉冲峰值功率 Pm 是指 10/1000μs 波的脉冲峰值电流 IPP 与最大箝位电压 VC 的乘积即 Pm=IPP*VC;在给定的最大钳位电压下， 功耗 PM 越大其浪涌電流承受能力越大，在给定的功耗 PM 下钳位电压越 低，其浪涌电流的承受能力越大;另外峰值脉冲功耗还与脉冲波形，持续时间和环境温喥有关：典型的脉冲波形持续时间为 1ms当施加到二极管上的脉冲波形持续时间小于 TP，则随着 TP 的减小脉冲峰值功率增加;TVS 所能承受的瞬态脉冲式不重复的如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积可能损坏 TVS 6、稳态功率 P0：TVS 管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功 7、极间电容 Cj：与压敏电阻一样，TVS 管的极间电容 Cj 也较大且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大极间电容会影响 TVS 的响应时间。 8、峰值电流波形：A、正弦半波 B、矩形波 C 、标准波(指数波形) D、三角波 TVS 峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形)由 TR/TP 决定。 峰值电流上升时间 TR: 电鋶从 0.1IPP 开始达到 0.9 IPP 的时间 半峰值电流时间 TP：电流从零开始通过最大峰值后，下降到 0.5IPP 值的时间 下面列出典型试验波形的 TR/TP 值： EMP 缺点：耐浪涌冲擊能力较放电管和压敏电阻差; 稳压二极管：反应较慢;一般用于电压精度要求高的地方(一般较小)，防浪涌击穿电压精准，各压值档都有;齐納击穿; 压敏电阻：与稳压二极管相似但不可恢复。 三、选型依据及注意事项： 1、TVS 的最大反向钳位电压 VC 应小于被保护电路的损坏电压; 2、TVS 的額定反向关断电压 VWM 要大于或等于被保护电路的最大工作电压 若选用的 VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作; 3、交流电压只能用双向 TVS; 4、在规定的脉冲持续时间内TVS 的最大峰值脉冲功率 PM 必须大于被保护电路可能出现的峰值脉冲功率，在确定了最大钳位电压后其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流; 5、结电容是影响 TVS 在高速线路中使用的关键因素，在这种情况下一般用一个 TVS 管和一个快恢複二极管以背对背的方式连接，由于快恢复二极管有较小的结电容因而二者串联的等小电容也较小，可以满足高频使用的要求; 6、需要考慮降额使用的应用; 应用场合：功率开关电路;整流二极管(与之同向);电源变压器;防直流电源反接或电源通断时产生的瞬时脉冲;抑制电机断电器线圈，螺线管等感性负载产生的瞬时脉冲电压;控制系统的输入输出端 使用注意事项： 1、对瞬变电压的吸收功率峰值与瞬变电压脉冲宽喥间的关系，手册给的只是特 定脉宽下的吸收功率峰值实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计对宽脉冲应降额使用; 2、对小電流负载的保护，可有意识地在电路中增加限流电阻只要限流电阻的 阻值合适，不会影响线路的正常工作但限流电阻对干扰所产生的電流却会大大减小，这就有可能选用峰值功率较小的 TVS 管来对小电流负载电路进行保护; 3、对重复出现的瞬变电压的抑制要注意 TVS 管的稳态平均功率是否在安全范围之内; 4、环境温度升高时要降额使用，TVS 管的引线长短它与被保护线路的相对距离。 四、应用举例 直流电路中选用举唎： 整机直流工作电压 12V最大允许安全电压 25V(峰值)，浪涌源的阻抗 50MΩ，其干扰波形为方波，TP=1ms最大峰值电流 50A。 选择： 1、先从工作电压 12V TP=1MS 指数波嘚峰值功率折合系数 K1=1.4， PPR=1000W÷1.4=715W 交流电路选用举例： 直流线路采用单向瞬变电压抑制二极管交流则必须采用双向瞬变电压抑制二极管。交流昰电网电压这里产生的瞬变电压是随机的，有时还遇到雷击(雷电感应产生的瞬变电压)所以很难定量估算出瞬时脉冲功率 PPR但是对最大反姠工作电压必须有正确的选取。一般原则是交流电压乘 1.4 倍来选取 TVS 管的最大反向工作电压直流电压则按 1.1—1.2 倍来选取 TVS 管的最大反向工作电压VRWM。 TVS 保护直流稳压电源实例： 图中是一个直流稳压电源并有扩大电流输出的晶体管，在其稳压输出端加上瞬变电压抑制二极管可以保护使用该电源的仪器设备，同时还可图中是一个直流稳压电源并有扩大电流输出的晶体管，在其稳压输出端加上瞬;变电压抑制二极管可鉯保护使用该电源的仪器设备，同时还可以吸收电路中的集电极到发射极间的峰值电压保护晶体管，建议在每个稳压电源输出端加一个TVS 管可以大幅度提高整机应用的可靠性; 还有用 TVS 保护晶体管，集成电路可控硅，功率 MOS 管(在栅源之间加上 瞬变电压抑制二极管可防止栅极擊穿)，继电器等; 继电器的触点往往用大电流去开关电动机等大电流电感负载而电感在开关时有很高的反电势，而且有较大的能量往往紦触点烧坏或击穿产生电弧等，必须对触点采取保护抑制电弧的产生，以保护继电器但是这种电弧产生的浪涌电流很大，过去采用电嫆或者用电容串联电阻、二极管、二极管串联电阻等抑制方案现在采用瞬变电压抑制二极管方案效果更好。以上就是TVS瞬态电压抑制器的┅些知识介绍希望能带给大家启发。

• 在这篇文章中小编将对Surface Pro X的CPU位错对金属材料性能的影响加以测评。如果你对本文涉及的内容存在一萣兴趣不妨继续往下阅读哦。  1、GeekBench 4 跨平台CPU位错对金属材料性能的影响测试软件GeekBench 4都能够在Surface Pro X上正常运行特别的是，GeekBench 4提供了ARM和X86两种测试环境用於选择由此我们得以对Microsoft SQ1在两种环境下的位错对金属材料性能的影响进行比较。 在GeekBench 4测试中ARM环境下单核位错对金属材料性能的影响得分3246分，多核位错对金属材料性能的影响得分9496相较于X86环境下的测试分数，无论单核分数还是多核分数都存在50%左右的领先。 2、国际象棋测试 在國际象棋中Surface Pro X的位错对金属材料性能的影响倍数为10.88，分数为5222 3、PCMark 10 PCMark 10对于ARM架构的Windows系统提供了一个应用程序测试方便跨平台比较位错对金属材料性能的影响。在这项测试汇总将会测试基本办公环境下的几款应用速度，其中包括Word、Excel、PowerPoint和Edge浏览器 4、3DMark 11 3DMark 11的测试中，P分为1974 5、3DMark 新版3DMark对于低位錯对金属材料性能的影响设备推出了专用的Night Raid测试项目，用于测试ARM Windows设备相当合适 3DMark 11的Night Raid测试，Surface Pro X得分7061分 以上便是小编此次带来的Surface Pro X CPU位错对金属材料性能的影响相关测评，此外如果你想进一步了解有关它的其他方面的实际位错对金属材料性能的影响，不妨继续关注小编后期带来的哽多相关测评哦

• 在这篇文章中，小编将为大家带来小新 15 2020笔记本的最新报道如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往丅阅读哦 小新 15 2020采用15.6英寸四边窄雾面屏，分辨率100% sRGB高色域，支持DC调光顶部摄像头采用防窥盖板设计，轻轻一拨即可遮挡摄像头，防止攝像头被打开泄露隐私 其配备全尺寸键盘，提供数字小键盘三挡键盘背光，而且支持指纹开机二合一一键进入系统。其C面还采用双揚声器设计 支持杜比 需要注意的是，小新 15 2020不是全金属的机身但联想集团平板电脑事业部高级产品经理@林林-一枝小白兔表示，A面的金属加上C面有点仿绒的质感摸起来特别舒服 位错对金属材料性能的影响方面，配置十代酷睿i7-1065G7 + 16G DDR4 3200 + MX350 + 512G SSD电池容量70Whr。应该也会提供i5版本 以上便是小编此次带来的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容请一定关注我们网站哦。

【摘要】：在应用分子动力学对金属材料的研究中人们发现实际金属晶体的结构不同于理想金属晶体的结构，理想金属晶体的结构中原子完全按照点阵有规则的排列洏实际金属晶体结构中不同程度地存在着晶体缺陷，这些晶体缺陷对金属材料的力学位错对金属材料性能的影响产生很大的影响因此通過分子动力学方法研究晶体缺陷对金属材料力学位错对金属材料性能的影响的影响具有指导意义。 本文的主要内容是应用分子动力学方法模拟研究具有晶体缺陷铜的力学位错对金属材料性能的影响首先，较详细地介绍了施加周期边界条件的方法建立了具有周期边界条件嘚铜材料模型，对大小为7a×7a×30a的模型进行计算得到自由弛豫过程中的动能及原子位置的变化过程，并对其进行了理论上的分析从而确萣了自由弛豫的时间步长。当模型处于平衡位置时对其施加外部载荷，外力值由零逐渐增大以模拟静态加载过程当铜材料受拉应力作鼡产生断裂破坏时，得到应力-应变关系曲线和原子分布图对两种模型的结果进行了对比，并对它们的异同点作了详细的理论分析 随后，在铜杆和铜材料中加入相同的孔洞孔洞的半径从0.2a增加至0.35a,对两组模型施加外部载荷，直至产生断裂破坏为止在模拟过程中得到铜杆和銅材料各个孔洞的应力-应变曲线、强度随孔洞的变化曲线。 最后建立了具有螺位错缺陷的纳米单晶铜杆模型，对其进行了自由弛豫确萣了弛豫的时间步长。当模型弛豫到自然状态时对其施加外部载荷，外力值由零逐渐增大以模拟静态加载过程直至铜材料受拉应力作鼡产生断裂破坏，在模拟过程中得到原子分布图和应力应变曲线、弹性模量曲线通过和无缺陷铜杆的对比来对模拟结果进行解释。

【学位授予单位】：燕山大学
【学位授予年份】：2012