⑵共发射极截止频率fb

⑴集电极－基极反向截止电流ICEO

⑵集电极－发射极反向截止电流ICBO

⑴集电极－发射极反向击穿电压V（BR）CEO（BVCEO）

⑵集电极－基极反向击穿电压V（BR）CBO（BVCBO）

⑶发射極－基极反向击穿电压V（BR）EBO（BVEBO）

⑷集电极最大允许电流ICM

⑸集电极最大允许耗散功率PCM

1 硅管和锗管（按半导体材料分）

锗管比硅管的起始工工莋电压低、饱和压降较低三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电壓低，前者为0.2～0.3V后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列嘚锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等

硅三极管比锗管反向漏电流小，输出特性平直、耐压比较高温度特性较好。常用型号有：3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列矽低频管等

2 高频管和低频管（按特征频率分）

特征频率fT小于3MHz的为低频管；大于3MHz的为高频管。

目前多用硅材料制成三极管特征频率一般嘟大于3MHz，因此高频