& 双极型晶体管
双极型晶体管
双极型晶体管（ＢＪＴ）是由两个背靠背ＰＮ结构成的具有电流放大作用的晶体三极管，是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电，一般有三个引脚（即三个引出脚）。它起源于１９４８年发明的点接触晶体三极管，５０年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。
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1双极型晶体管分类
　　晶体管按结构可分为：ＮＰＮ型管和ＰＮＰ型管；按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管；按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管2双极型晶体管结构
　　ＢＪＴ由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。　　基区（Ｐ）：很薄，空穴浓度较小——引出基极ｂ。　　发射区（Ｎ）：与基区的接触面较小——引出发射极ｅ。　　集电区（Ｎ）：与基区的接触面较大——引出集电极ｃ。
3双极型晶体管特性
双极型晶体管输出特性可分为三个区　：　　★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。此时，晶体管失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。　　★放大区：发射结正偏，集电结反偏。　　★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区ＩＣ不受ＩＢ的控制，管子失去放大作用。如果把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。　放大区的特点是：　　◆ＩＣ受ＩＢ的控制，与ＵＣＥ的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流ＩＢ控制的电流源。　　◆在放大区电流电压关系为：ＵＥ＝ＥＣ－ＩＣＲＣ，　ＩＣ＝βＩＢ　　◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流ＩＢ对集电极电流ＩＣ控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数ｂ越大。　　◆伏安特性最低的那条线为ＩＢ＝０，表示基极开路，ＩＣ很小，此时的ＩＣ就是穿透电流ＩＣＥＯ。　　◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。　4双极型晶体管工作模式
ＢＪＴ工作模式　　
正偏5双极型晶体管的特点及应用
　　双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。特别在超高频应用中，如无线系统中的射频电路（ＲＦ）。
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3秒自动关闭窗口什么是半导体三极管？ - 快星半导体
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什么是三极管？
半导体三极管
半导体三极管又称"晶体三极管"或"晶体管"。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
发明人日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家&&巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果&&晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为&献给世界的圣诞节礼物&。另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。 　　晶体管促进并带来了&固态革命&，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
　三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter, E）、基极（base, B）和集电极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。& 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓&正向活性区&(forward active)，在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。
图为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn有什么差别呢？其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入 射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB E在射极与与电 洞复合，即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图中看出。&
&射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。
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