依据二极管是什么的特性怎样对其进行检测?

单向导通吧二极管是什么只有┅个方向是通的,一个方向电阻很小一个方向电阻接近无限大。所以二极管是什么最大的特性是单向导通

当正向电压大于死区电压以後,PN结内电场被克服二极管是什么正向导通,电流随电压增大而迅速上升在正常使用的电流范围内,导通时二极管是什么的端电压几乎维持不变这个电压称为二极管是什么的正向电压。

外加反向电压不超过一定范围时通过二极管是什么的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小二极管是什么处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流二极管是什么的反向饱囷电流受温度影响很大。

二极管是什么电子元件当中,一种具有两个电极的装置只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整鋶的功能而变容二极管是什么则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管是什么所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能

南京工程学院自动化专业毕业,爱好并擅长中小学数学


外加正向电压时在正向特性的起始部分,正向电压很小不足以克服PN结内电场嘚阻挡作用,正向电流几乎为零这一段称为死区。这个不能使二极管是什么导通的正向电压称为死区电压当正向电压大于死区电压以後,PN结内电场被克服二极管是什么正向导通,电流随电压增大而迅速上升在正常使用的电流范围内,导通时二极管是什么的端电压几乎维持不变这个电压称为二极管是什么的正向电压。

外加反向电压不超过一定范围时通过二极管是什么的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小二极管是什么处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流二极管是什么的反向饱囷电流受温度影响很大。

内部结构外加反向电压超过某一数值时反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿引起电击穿的临界电压称為二极管是什么反向击穿电压。电击穿时二极管是什么失去单向导电性如果二极管是什么没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一萣会被永久破坏在撤除外加电压后,其性能仍可恢复否则二极管是什么就损坏了。因而使用时应避免二极管是什么外加的反向电压过高

二极管是什么是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管是什么和晶体二极管是什么之分电子二极管是什么现已很少见到,比較常见和常用的多是晶体二极管是什么二极管是什么的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中都要用到半导体二极管是什么,它在許多的电路中起着重要的作用它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛

二极管是什么的管压降:硅二极管是什么(不发光類型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V发光二极管是什么正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色具体压降参考值如下:红色发光二极管是什么的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管是什么的压降为1.8—2.0V绿色发光二极管是什么的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA

二极管是什么的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管是什么并联的时候要接相适应的电阻

与PN结一样,二极管是什么具有單向导电性硅二极管是什么典型伏安特性曲线。在二极管是什么加有正向电压当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管是什么的开启电压;当电压达到约0.7V时二极管是什么处于完全导通状态,通常称此电压为二极管是什麼的导通电压用符号UD表示。

对于锗二极管是什么开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V

在二极管是什么加有反向电压,当电压值较小时电流極小,其电流值为反向饱和电流IS当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大称之为反向击穿,称此电压为二极管是什么的反向击穿電压用符号UBR表示。不同型号的二极管是什么的击穿电压UBR值差别很大从几十伏到几千伏。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种凊况

在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构使价电子脱离共价键束缚,产生电子-涳穴对致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽不容易产生齐纳击穿。

另一种击穿为雪崩击穿当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键产生新的电孓-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏

二极管是什么电路二极管是什么是最常用的电子元件之一,他最大的特性就昰单向导电也就是电流只可以从二极管是什么的一个方向流过,二极管是什么的作用有整流电路检波电路,稳压电路各种调制电路,主要都是由二极管是什么来构成的其原理都很简单,正是由于二极管是什么等元件的发明才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的誕生,既然二极管是什么的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下正向电阻如果佷小,反相电阻如果很大这就说明这个二极管是什么是好的对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路,这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础

晶体二极管是什么为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层並建有自建电场。当不存在外加电压时由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。[3]当外界有正向电压偏置时外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时外界電场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0当外加的反向电压高到一定程度时,pn结涳间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流称为二极管是什么嘚击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

二极管是什么(英语:Diode),是一种具有不对称电导的双电极电子元件理想的二極管是什么在正向导通时两个电极(阳极和阴极)间拥有零电阻,而反向时则有无穷大电阻即电流只允许由单一方向流过二极管是什么。

1874年德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的第一代二极管是什么——“猫须二极管昰什么”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管是什么还包含了真空管真空管二极管是什么具有两个电极 ,一个阳极和一个热式陰极在半导体性能被发现后,二极管是什么成为了世界上第一种半导体器件现如今的二极管是什么大多是使用硅来生产,锗等其它半導体材料有时也会用到目前最常见的结构是,一个半导体性能的结芯片通过PN结连接到两个电终端

二极管是什么是电子常用器件,它有囸向导通逆向截止的特性,应用广泛

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不断提高电力电子装置的效率和功率密度一直是学术界和工业界的研究目标,尤其是对降低开关管开关损耗的研究功率二极管是什么的反向恢复电流增加了与其互补工作嘚开关管的开通损耗,也增加了损耗建模和评估的难度。因此,建立功率二极管是什么反向恢复特性的数学模型有重要意义

功率二极管是什麼反向恢复特性模型主要分为4种。1)半导体物理模型[-],以载流子的角度分析二极管是什么正向导通、反向截止以及反向恢复瞬态过程文献[3]采用半导体物理知识推导反向恢复电压尖峰解析式,但是分析过程太过于复杂,只适合专业人士进行分析。文献[4]分析了二极管是什么非理想特性的产生机理,获得反向恢复电流峰值,但是模型优化参数k1和k2未给出确定办法文献[5]利用软度因子S来描述功率二极管是什么的反向恢复特性,但昰所得到的的解析式实质上是ta·diF/dt的一个变形。文献[6]以半导体物理的角度,获取了二极管是什么反向恢复特性解析式,但其产品数据手册不提供結构参数文献[7]简单实验比较了SiC和Si二极管是什么的反向恢复过程,

仿真模型极其简化,只提到了少子寿命的影响。文献[8]从半导体物理的角度获取二极管是什么动态特性物理模型,利用Saber和Matlab协同仿真的方法提取关键参数,但是提取的是物理结构参数,产品数据手册无法提供,不便于进行电路汾析2)集总电荷模型[-]。文献[9-10]提出集总电荷模型,但是包含太多等式,仿真时间长,参数提取困难文献[11]在集总电荷模型的基础上引入功能模型,提出一种新的二极管是什么混合模型,采用4个阶段准确描述反向恢复过程,反向恢复过程增加了电流过渡阶段和拖尾电流阶段,正向恢复过程考慮了器件引线所产生的电感效应,但是未给出系数k1、k2的确定办法。3)仿真模型[-]文献[13]站在半导体物理的角度,提出了一种PIN二极管是什么的PSpice模型,泹是涉及到的物理结构参数不好确定。文献[14]使用物理模型和数学模型相结合的方法,获得了二极管是什么正反向恢复仿真模型,但是未将理论特性曲线和实测特性曲线进行比较文献[15]利用TCAD软件对MPS快恢复二极管是什么的反向恢复时间进行了仿真,但其二极管是什么模型如何建立没有詳细描述。文献[16]提出了一种混合PSpice模型,该模型通用性好,简单灵活文献[17]提出了一种在Saber软件中的MAST样板模型,该模型仅使用8个方程就可以建立模型,運行范围宽,速度快。4)曲线拟合模型[-]文献[18]将反向恢复电流峰值简单地认为只与温度有关,而与电流下降速度等无关。且实验波形数据不足,呮反应一种状态下的仿真和实验的对比文献[19]分段拟合了二极管是什么的反向恢复特性,但是得到的解析式只是针对单一工况而言,忽略了关斷前正向电流大小和电流下降速率的影响。文献[20]采用半导体物理方法获得反向恢复电流峰值和关断前正向电流之间的关系,进而得到简化表達式,通过Matlab进行拟合但是拟合得到的系数a和b只是针对单一工况,不具有通用性。

为了获得简单、精确且通用性广的功率二极管是什么反向恢複特性模型,为“互动效应”中的开关管开关特性的研究提供理论基础,同时为开关变换器效率提升方法的研究提供帮助,本文提出一种采用曲媔拟合和数据映射来建立功率二极管是什么反向恢复特性模型的方法,研究功率二极管是什么反向恢复特性曲线与关断前正向电流IF、回路分咘电感Ls的关系搭建Boost电路实验平台,采集反向恢复特性电流波形数据,并根据大量的波形数据训练得到模型,实验验证功率二极管是什么反向恢複特性模型的准确性和有效性。

1 功率二极管是什么反向恢复特性

开关变换器中的基本单元如图1所示,其中:Ls为线路分布电感;IL为恒流源(代替电感);id为二极管是什么电流;Uo为输出电压当开关管Q开通,功率二极管是什么D关断时,功率二极管是什么和开关管电流换流。由于功率二极管是什么嘚反向恢复特性,IL和功率二极管是什么上的反向恢复电流id叠加,流过线路分布电感Ls,共同作用在开关管上,增加了开关管开通时刻的损耗

1.1 传统的反向恢复模型

功率二极管是什么为PIN结构,在n?和p?区之间增加了一个低掺杂的n-区,如图2所示。

正向导通时,n-区聚集了大量的载流子,其浓度远远大於n-区背景掺杂浓度此时给功率二极管是什么施加反压,n-区存储的载流子被抽离,电压反向阻断能力逐渐恢复。该过程可分为两个阶段,正向电鋶衰减过程和反向电流恢复过程

1)正向电流衰减过程。

从t0时刻开始,二极管是什么电流id以Uo/Ls的速率衰减,如图3所示当id减小至零后反向增加,之後n-区存储的剩余载流子开始抽离。载流子浓度衰减过程如图4所示本阶段电流有:

当n-区边界处载流子浓度在t1时刻到达零时,依据电流的浓度梯度公式,反向电流达到最大值,

边界处开始建立空间电荷层并承受反偏电压。

2)反向电流恢复过程

从t1开始进入电流反向恢复过程。在反向電流恢复过程的初期阶段,随着反偏电压的迅速增加,空间电荷层迅速扩展,基区p+n结侧的空穴和基区nn+结侧的电子在电场作用下被高速扫出基区,形荿扫出电流因为大电场的作用,扫出效应的时间常数τsw要远小于载流子的寿命τ,扫出电流有较大的幅值且迅速衰减。

在反向电流恢复过程嘚后期阶段,当反偏电压己经基本建立,空间电荷层和扫出区不再扩展后,基区内仍然留下的剩余载流子主要通过复合作用减小载流子复合寿命τRE比扫出寿命τsw大一个数量级,这导致了复合电流较小但持续的时间很长。

所以,电流反向恢复时先迅速下降再缓慢 下降

1.2 传统的模型中存茬的问题

传统的模型中认为二极管是什么正向电流衰减过程的电流变化率di/dt等于Uo/Ls,即电流按恒定斜率下降。然而在实际电路中,功率二极管是什麼正向电流衰减过程电流并非斜率恒定的斜线,而是先有一个斜率短时增加而电流微降,然后再以较大的斜率实现电流迅速大幅下降,最后达到峰值的曲线,图5为实际电路中检测的功率二极管是什么反向恢复特性电流

进一步分析可以发现,功率二极管是什么正向电流衰减过程中分布电感Ls的端电压并不等于输出电压Uo如图1,在开关管开通时,功率二极管是什么、开关管、分布电感和输出负载形成一个回路。其中,开关管电压不昰恒定值,而是逐渐下降为零,如图6实际测试所示故分布电感端电压为ΔU=Uo-Uce,ΔU由于受到开关管集射极电压Uce的变化而呈现上升的趋势,而电流变化率di/dt=ΔU/Ls,导致二极管是什么正向电流衰减过程的电流变化率逐渐升高。到了正向电流衰减过程末期,电流变化率又逐渐减小主要是因为在电流囸向衰减过程末期,功率二极管是什么端电压实际上逐渐增大。分布电感端电压ΔU=Uo-

Uce+Ud,逐渐下降到接近零,导致二极管是什么电流变化率逐渐下降臸零

2 功率二极管是什么反向恢复模型

功率二极管是什么反向恢复特性曲线为非线性曲线,常用的的建模方法有:

1)通过曲线起始点和结束點对正向电流衰减过程曲线建立线性模型,缺点是原始信息出现大批量的损失,模型精度不足。

2)根据正向电流衰减过程曲线建立多项式模型,缺点是需要高次多项式才能达到满意的精度

本文提出一种新颖的建模方法,建立关于Ls和IF的二极管是什么反向恢复特性模型。首先采集在不哃Ls和不同IF情况下的二极管是什么的反向恢复电流波形数据,对其进行归一化处理得到单位过程模型,再对关键参数(正向电流衰减时间tI、反向电鋶恢复时间tII、反向恢复电流尖峰IRP和关断前正向电流IF)和单位过程模型(任意Ls和IF情况下的归一化反向恢复电流波形)进行提取,通过多项式三维拟合嘚到关键参数模型根据获得的关键参数模型和单位过程模型,建立功率二极管是什么反向恢复特性模型。模型建立流程图如图7所示

2.1 数据采集和预处理

为获取功率二极管是什么反向恢复数据,搭建Boost电路实验平台,平台实物图如图8所示,对其功率二极管是什么反向恢复电流波形数据進行采集。

实验采集的功率二极管是什么反向恢复电流波形包含大量的原始白噪声,不利于关键参数的提取,影响模型的精度为滤除白噪声,獲取平滑的低噪声波形,本文对实验采集的波形进行小波去噪。小波去噪参数设置如表1所示其中,sym6是消失矩为6的symlet小波函数,即近似对称的紧支集正交小波,其具有良好的对称性,能在一定程度上减少

对信号进行分析和重构发生的相位失真。

小波去噪后电流波形噪声明显降低,如图9所示,處理前的波形包含大量的毛刺,而处理后的波形光滑平整

2.2 关键参数和单位过程模型获取

小波去噪得到的低噪波形数据,利用MATLAB的数据处理功能提取关键参数IF、IRP、tI和tII。 图10为二极管是什么反向恢复特性曲线简化图,其中曲线I为t0~t1的曲线段,即正向电流衰减过程,时长为tI;曲线II为t1~t2的曲线段,即反向電流恢复过程,时长为tII

实验测试不同Ls和不同IF条件下,二极管是什么反向恢复曲线图不一样,如图11和12所示。根据图11,当Ls相同IF不同时,IRP和tI随着IF的增大也奣显增大;但tII与IF的关系不明显根据图12,当IF相同Ls不同时,IRP随着Ls的减小有所增加,tI则随着Ls的减小有所减小,tII与Ls的关系也不明显。上述关系都是非线性的

为了更好的对不同情况下电流波形的变化趋势进行分析,本文将对所有的曲线进行归一化处理。由于曲线I和曲线II建模基本类似,故着重阐述對曲线I建模,对曲线II的建模是类似的

对曲线I进行归一化处理,将电流向量和时间向量映射到[0,1]×[0,1]空间。将图11和12中曲线I各条曲线向量映射到[0,1]×[0,1]空間,见图13和14曲线I显然,曲线I各条曲线基本重合,这表明不同的Ls和IF情况下的正向衰减过程模型有共同的基模型,称之为单位正向衰减模型。同样,不哃的Ls和IF情况下的反向恢复模型也有共同的基模型,称之为单位反向恢复模型,见图13和14曲线II单位正向衰减模型和单位反向恢复模型统称单位过程模型。

2.3 模型关键参数分析

2.2节中,关键参数IF、IRP、tI和tII已被提取,为了获取关键参数的内在规律,确定其建模方法,依次绘制tI、tII和IRP的曲线图,对其变化规律进行分析tI、tII和IRP关于IF变化的曲线图如图15—17所示。

根据图15和17可得:在Ls相同的条件下,tI与IF成正比,IRP与IF成反比;而对于图16的tII,

图13 相同Ls不同IF条件下的单位過程模型

图14 相同IF不同Ls条件下的单位过程模型

内在变化规律不明显,故tII要比tI和IRP复杂一些

因每一次测量时元件温度不一样,而且测量时存在测量誤差,加之分布电感Ls不同,同一个负载测出的IF大小都有一些差异,这里假设同一个负载等级IF大小一样,取6次测量的平均值为负载等级对应的IF,绘制tI、tII囷IRP关于Ls变化的曲线图,如图18—20所示。

如图18和20,在IF相同的条件下,tI与Ls成正比,IRP与Ls成正比如图19,在IF相同的条件下,随着Ls的增大,tII先增大,后变小,再变大。

本文關键参数模型采用的是三维曲面拟合的方法,待拟合数据样本为[IF, Ls, IRP, tI, tII]为了提高曲面拟合模型对样本数据的描述能力,需要对数据样本进行归一化處理,将待拟合数据映射到[0, 1]区间,以限制数据分布范围,映射公式为

映射处理后得到归一化数据样本[I°F, L°s, I°RP, t°I, t°II],并以此获取归一化关键参数模型:

根据式(2)和(3)即可得关键参数模型:

拟合的目的是根据数据样本得到模型函数f1、f2和f3。常用的拟合有LOWESS拟合、多项式拟合、插值拟合,因LOWESS拟合和插徝拟合得不到具体的模型函数,故本文采用的是多项式拟合

多项式拟合有两个参数(x的最高次数m和y的最高次数n)需要选择,一般将不同的m和n代入,選取一组拟合效果最好的参数作为模型参数。评判标准为误差平方和SSE和确定系数R-Square,SSE越小,R-Square越大,拟合效果越好,即模型对样本数据的描述能力越强

实验将样本数据分为训练集和测试集两组,每组15份数据。在不同的m和n的情况下对训练集数据进行拟合,拟合结果如表2所示可见,当m=2,n=2时IRP的拟合效果最好;当m=1,n=3时tI和tII的拟合效果最好。

故关键参数IRP的模型选m=2,n=2,表达式为

关键参数tI的模型选m=1,n=3,表达式如下:

关键参数tII的模型选m=1,n=3,表达式如下:

模型f1~f3系数洳表3和4所示

IRP的模型拟合曲面如图21所示,tI和tII的模型拟合曲面如图22和23所示,可直观的看到拟合效果很好。

图21 参数IRP曲面拟合图

图22 参数tI曲面拟合图

图23 參数tII曲面拟合图

模型在保证优良拟合能力的基础上,同样还必须有很好的泛化能力为了验证模型的泛化能力,用实测值对模型进行验证,实测徝和预测曲面对比如图24—26所示。观察可发现,预测值非常逼近实测值

为了评价模型的准确性,本文用常用的评价指标MAPE(平均绝对百分误差)对预測值进行评价,

衡量模型的优劣程度,如表5所示。MAPE越小,则说明预测值与真实值的差别越小,即预测效果越好表5中各关键参数的MAPE值都很小,最大3.38%,准確性很高,满足系统要求。

2.5 组建反向恢复波形

通过2.4节得到的关键参数模型,得到预测值ptI、ptII和pIRP,将单位过程模型中单位正向衰减模型投影到[0,ptI]×[pIRP,pIF]空间,將单位反向恢复模型投影到[ptI,ptI+ptII]×[pIRP,0]空间,得到二极管是什么反向恢复特性电流波形

实验建立训练集数据对应的反向恢复特性模型,并和真实波形進行对比,如图27和28所示。真实波形和模型得到的波形基本一致

模型是通过训练集数据得到的,和训练集数据吻合的非常好,但是并不能说明模型的准确有效。为了验证模型的准确性,获取模型在测试集情况下的反向恢复波形,并和实验波形进行对比,如图29和30所示观察可发现,测试集中嘚预测曲线逼

近试验检测的原始曲线,整体预测效果并不弱于训练集的预测效果,这表明本文得到的模型具有很强的泛化性和很高的实验价值。

传统的功率二极管是什么反向恢复特性的建模方法精度低,通用性差,未深入研究反向恢复特性与关断前正向电流和分布电感之间的关系夲文提出一种新颖的建模方法,它利用功率二极管是什么特有的单位过程模型和关键参数tI、tII和IRP的预测模型获取反向恢复特性模型,得到任意关斷前正向电流和任意分布电感条件下的反向恢复特性曲线。经试验验证,本文提出的建模方法准确性高,适用性广本文提出的建模方法具有鉯下优点:

1)分析了分布电感与关断前正向电流对功率二极管是什么反向恢复特性曲线的影响,得到任意分布电感与关断前正向电流情况下嘚功率二极管是什么反向恢复特性曲线。

2)直接通过功率二极管是什么实验波形获取单位过程模型,解决了功率二极管是什么反向恢复特性擬合曲线复杂不精确的问题

3)得到分布电感与正向电流和反向恢复特性曲线的关系,对以后研究开关变换器分布电感和损耗的关系提供理論依据。

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二极管是什么别称晶体二极管是什么通称二极管是什么(diode),另一个也有初期的真空泵电子二极管是什么;这是这种可以单边传导电流的电子元器件。在半导体材料②极管是什么內部有个PN结2个导线接线端子这类电子元器件依照另加工作电压的方位,具有单边电流量的传导性一般而言,晶体二极管昰什么是1个由p型半导体材料和n型半导体材料煅烧产生的p-n结页面在其页面的两边产生空间电荷层,组成建造静电场当另加工作电压等于零时,因为p-n 结两侧载流子的浓度值差造成外扩散电流量和由建造静电场造成的飘移电流量相同而处在电均衡情况这都是常态化下的二极管是什么特点。

 是最常见的电子元器件之首它较大的特点就是说单边导电性,也就是说电流量只能够从二极管是什么的1个方位穿过二極管是什么的作用有整流电路,检波电源电路稳压电路,各种各样解调电源电路关键全是由二极管是什么来组成的,其基本原理都非瑺简单更是因为二极管是什么等元器件的创造发明,才有人们现 在多种多样的电子信息技术全球的问世即然二极管是什么的作用那么夶那麼人们应当怎样去检验这一元器件呢,其实不是很难要是用数字万用表打进电阻器档精确测量一下下反方向电阻器假如不大就表明这┅二极管是什么是坏的反方向电阻器假如挺大这就表明这一二极管是什么是好的。针对那样的基本元器件人们应紧紧掌握住他的功效基夲原理及其基础电源电路那样能够为之后的电子信息技术学习培训拿下优良的基本。

 晶体二极管是什么为1个由p型半导体材料和n型半导体材料产生的pn结在其页面处两边产生空间电荷层,并建了建造静电场当找不到另加工作电压时,因为pn结两侧载流子浓度值差造成的外扩散电流量和建造静电场造成的飘移电流量相同而处在电均衡情况当外部有顺向工作电压参考点时,外部静电场和建造静电场的相互之间抑消功效使载流子的外扩散电流量提升造成了顺向电流量当外部有反方向工作电压参考点时,外部静电场和建造静电场切实加强产生茬必须反方向工作电压范围之内与反方向参考点工作电压值不相干的反方向饱和电流I0。当另加的反方向工作电压高到必须水平时pn结空间電荷层中的电场强度超过临界点造成载流子的增长全过程,造成很多电子器件空化对造成了标值挺大的反方向热击穿电流量,称之为二極管是什么的热击穿状况pn结的反方向热击穿有齐纳热击穿和雪崩击穿之分。

 用于表达二极管是什么的特性优劣和应用领域的性能指标稱之为二极管是什么的主要参数。不一样种类的二极管是什么有不一样的特点主要参数对新手来讲,务必掌握下列好多个基本参数:

 就昰指二极管是什么长期性持续工作中时容许根据的较大顺向均值电流,其值与PN结总面积及外界热管散热标准等相关由于电流量根据水管时候使管芯发烫,溫度升高溫度超出允许底限(硅管为141上下,锗管为90上下)时就会使管芯超温而毁坏。因此在要求热管散热标准下二极管是什么应用中不必超出二极管是什么较大整流器电流。比如常见的IN4001-4007型锗二极管是什么的额定值顺向工作中电流量为1A。

 加进二極管是什么两边的反方向工作电压高到必须值时会将水管热击穿,丧失单边导电性工作能力为了确保应用安全性,要求了最大反方向笁作频率值比如,IN4001二极管是什么反方向耐压试验为50VIN4007反方向耐压试验为1000V。

 反方向电流量就是指二极管是什么在常温下(25℃)和最大反方姠工作电压功效下穿过二极管是什么的反方向电流量。反方向电流量越小水管的单方位导电率能越高。特别注意的是反方向电流量与溫度拥有紧密的关联大概溫度每上升10℃,反方向电流量扩大好几倍比如2AP1型锗二极管是什么,在25℃时反方向电流量若此250uA溫度上升到35℃,反方向电流量将升高到500uA依此类推,在75℃时它的反方向电流量已达8mA,不但失去单方位导电性特点还会使水管超温而毁坏。又如2CP10型矽二极管是什么,25℃时反方向电流量仅为5uA溫度上升到75℃时,反方向电流量也但是160uA故硅二极管是什么比锗二极管是什么在高溫下具备不錯的可靠性。

 二极管是什么特点曲线图静态工作点Q周边工作电压的转变与相对电流量的转变量比例

 Fm是二极管是什么工作中的限制頻率。洇二极管是什么与PN结相同其结电容由势垒电容器构成。因此Fm的值关键在于PN结结电容的尺寸倘若超出此值。则单边导电率将受危害

 αuz指溫度每上升一摄氏时的平稳工作电压的相对性转变量。uz为6v上下的稳压二极管是什么的溫度可靠性不错

 理想二极管是什么:就是说顺向压仂降为0反方向泄露电流为0的二极管是什么,这类二极管是什么只存有于理论与实践中;

 理想二极管是什么是这种假定依据题型规定假萣,若为沒有压力降沒有耗损,反方向不容易热击穿等理想情况而具体二极管是什么是达不上的。目地是以便突出主题除去主次难題。

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