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您的位置：&&&&&&&&& 正文
微电子中英文专业词汇
　　Abrupt junction&&&& 突变结&&&&&&&&&& Accelerated testing&&&& 加速实验
　　Acceptor&&&&&&&&& 受主&&&&&&&&&&&& Acceptor atom&&&&&&&& 受主原子
　　Accumulation&&&&& 积累、堆积&&&&&& Accumulating contact&& 积累接触
　　Accumulation region 积累区&&&&&&&&& Accumulation layer&&&&& 积累层
　　Active region&&&&& 有源区&&&&&&&&&& Active component&&&&&& 有源元
　　Active device&&&&& 有源器件&&&&&&&& Activation&&&&&&&&&&&& 激活
　　Activation energy&& 激活能&&&&&&&&&& Active region&&&&&&&& 有源（放大）区
　　Admittance&&&&&&& 导纳&&&&&&&&&&&& Allowed band&&&&&&&& 允带
　　Alloy-junction device合金结器件&&&&& Aluminum（Aluminium）&& 铝
　　Aluminum - oxide& 铝氧化物&&&&&&&& Aluminum passivation&&& 铝钝化
　　Ambipolar&&&&&&&& 双极的&&&&&&&&& Ambient temperature&&&& 环境温度
　　Amorphous&&&&& 无定形的，非晶体的&& Amplifier&&&&&& 功放 扩音器 放大器
　　Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom&&&&&&&&&&& 埃
　　Anneal&&&&&&&&&&& 退火&&&&&&&&&&&&&& Anisotropic&&&&&&&& 各向异性的
　　Anode&&&&&&&&&&& 阳极&&&&&&&&&&&&&& Arsenic （AS）&&&&&&&&& 砷
　　Auger&&&&&&&&&&& 俄歇&&&&&&&&&&&&&& Auger process&&&&&&& 俄歇过程
　　Avalanche&&&&&&&& 雪崩&&&&&&&&&&&&&& Avalanche breakdown& 雪崩击穿
　　Avalanche excitation雪崩激发
　　Background carrier& 本底载流子&&&&&&&& Background doping& 本底掺杂
　　Backward&&&&&&&&& 反向&&&&&&&&&&&&&& Backward bias&&&&& 反向偏置
　　Ballasting resistor&& 整流电阻&&&&&&&&&& Ball bond&&&&&&&&& 球形键合
　　Band&&&&&&&&&&&& 能带&&&&&&&&&&&&&&& Band gap&&&&&&&&& 能带间隙
　　Barrier&&&&&&&&&&& 势垒&&&&&&&&&&&&&& Barrier layer&&&&&&& 势垒层
　　Barrier width&&&&&& 势垒宽度&&&&&&&&&& Base&&&&&&&&&&&&& 基极
　　Base contact&&&&&& 基区接触&&&&&&&&&&& Base stretching&&&& 基区扩展效应
　　Base transit time&&& 基区渡越时间&&&&&& Base transport efficiency基区输运系数
　　Base-width modulation基区宽度调制&&&& Basis vector&&&&&&&& 基矢
　　Bias&&&&&&&&&&&&& 偏置&&&&&&&&&&&&&& Bilateral switch&&&&& 双向开关
　　Binary code&&&& 二进制代码&&&&&&&& Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
　　Bipolar&&&&&&&&&& 双极性的&&&&&&&& Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管
　　Bloch&&&&&&&&&&& 布洛赫&&&&&&&&&&&&& Blocking band&&&&&& 阻挡能带
　　Blocking contact&& 阻挡接触&&&&&&&&&&& Body - centered&&&&& 体心立方
　　Body-centred cubic structure 体立心结构&&&&& Boltzmann&&&&&&&& 波尔兹曼
　　Bond&&&&&&&&&&&&& 键、键合&&&&&&&&&&&& Bonding electron&&& 价电子
　　Bonding pad&&&&&&& 键合点&&&&&&&&&&&& Bootstrap circuit&&& 自举电路
　　Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器&&&&&& Boron&&&&&&&&&& 硼
　　Borosilicate glass&&& 硼硅玻璃&&&&&&&&&& Boundary condition& 边界条件
　　Bound electron&&&&& 束缚电子&&&&&&&&&& Breadboard&&&&&&&& 模拟板、实验板
　　Break down&&&&&&& 击穿&&&&&&&&&&&&&&& Break over&&&&&&&& 转折
　　Brillouin&&&&&&&&&& 布里渊&&&&&&&&&&&& Brillouin zone&&&&& 布里渊区
　　Built-in&&&&&&&&&&& 内建的&&&&&&&&&&&& Build-in electric field 内建电场
　　Bulk&&&&&&&&&&&&& 体/体内&&&&&&&&&&&& Bulk absorption&&&& 体吸收
　　Bulk generation&&&& 体产生&&&&&&&&&&&& Bulk recombination&& 体复合
　　Burn - in&&&&&&&&& 老化&&&&&&&&&&&&&&& Burn out&&&&&&&&&& 烧毁
　　Buried channel&&&&& 埋沟&&&&&&&&&&&&&& Buried diffusion region& 隐埋扩散区
　　Can&&&&&&&&&&&&&&&& 外壳&&&&&&&&&&&& Capacitance&&&&&& 电容
　　Capture cross section&& 俘获截面&&&&&&&& Capture carrier&&&& 俘获载流子
　　Carrier&&&&&&&&&&&&&& 载流子、载波&&&& Carry bit&&&&&&&& 进位位
　　Carry-in bit&&&&&&&&&& 进位输入&&&&&&&& Carry-out bit&&&&& 进位输出
　　Cascade&&&&&&&&&&&&& 级联&&&&&&&&&&&& Case&&&&&&&&&&& 管壳
　　Cathode&&&&&&&&&&&&& 阴极&&&&&&&&&&&& Center&&&&&&&&&& 中心
　　Ceramic&&&&&&&&&&&&& 陶瓷（的）&&&&&& Channel&&&&&&&&& 沟道
　　Channel breakdown&&& 沟道击穿&&&&&&&& Channel current&&&& 沟道电流
　　Channel doping&&&&&& 沟道掺杂&&&&&&&& Channel shortening&& 沟道缩短
　　Channel width&&&&&&& 沟道宽度&&&&&&&& Characteristic impedance 特征阻抗
　　Charge&&&&&&&&&&&&& 电荷、充电&&&&&&& Charge-compensation effects 电荷补偿效应
　　Charge conservation&& 电荷守恒&&&&&&& Charge neutrality condition& 电中性条件
　　Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage&&& 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
　　Chemmical etching&&& 化学腐蚀法&&&&&&& Chemically-Polish& 化学抛光
　　Chemmically-Mechanically Polish （CMP） 化学机械抛光&&&&&&&& Chip& 芯片
　　Chip yield&&&&&&&&&& 芯片成品率&&&&&&& Clamped&&&&&&&& 箝位
　　Clamping diode&&&&&& 箝位二极管&&&&&&& Cleavage plane&&& 解理面
　　Clock rate&&&&&&&&&& 时钟频率&&&&&&&&&& Clock generator&& 时钟发生器
　　Clock flip-flop&&&&& 时钟触发器&&&&&&&&& Close-packed structure& 密堆积结构
　　Close-loop gain&&&& 闭环增益&&&&&&&&&&& Collector&&&&&&&& 集电极
　　Collision&&&&&&&&&& 碰撞&&&&&&&&&&&&&&& Compensated OP-AMP 补偿运放
　　Common-base/collector/emitter connection&& 共基极/集电极/发射极连接
　　Common-gate/drain/source connection&&&&&& 共栅/漏/源连接
　　Common-mode gain&& 共模增益&&&&&&&&&&&&& Common-mode input& 共模输入
　　Common-mode rejection ratio （CMRR）&& 共模抑制比
　　Compatibility&&&&&& 兼容性&&&&&&&&&&&&& Compensation&&&&&& 补偿
　　Compensated impurities& 补偿杂质&&&&&&&& Compensated semiconductor 补偿半导体
　　Complementary Darlington circuit& 互补达林顿电路
　　Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）
　　互补金属氧化物半导体场效应晶体管
　　Complementary error function& 余误差函数
　　Computer-aided design （CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM） 计算机辅助设计/ 测试 /制造
　　Compound Semiconductor& 化合物半导体&&&&& Conductance&&&&&&&& 电导
　　Conduction band （edge）&&& 导带（底）&&&&&&& Conduction level/state 导带态
　　Conductor&&&&&&&&&&&&&& 导体&&&&&&&&&&&& Conductivity&&&&&&&& 电导率
　　Configuration&&&&&&&&&&& 组态&&&&&&&&&&& Conlomb&&&&&&&&&&& 库仑
　　Conpled Configuration Devices& 结构组态&&& Constants&&&&&&&&&& 物理常数
　　Constant energy surface&&& 等能面&&&&&&&& Constant-source diffusion恒定源扩散
　　Contact&&&&&&&&&&&&&&&& 接触&&&&&&&&&&&&& Contamination&&&&&&& 治污
　　Continuity equation&&&&& 连续性方程&&&&&&& Contact hole&&&&&&&& 接触孔
　　Contact potential&&&&&&&&& 接触电势&&&& Continuity condition&& 连续性条件
　　Contra doping&&&&&&&&&&& 反掺杂&&&&&&&&& Controlled&&&&&&&&&& 受控的
　　Converter&&&&&&&&&&&&&& 转换器&&&&&&&&&& Conveyer&&&&&&&&&& 传输器
　　Copper interconnection system& 铜互连系统&&&&&&& Couping&&&&&&&&&&& 耦合
　　Covalent&&&&&&&&&&&&&&& 共阶的&&&&&& Crossover&&&&&&&&&&& 跨交
　　Critical&&&&&&&&&&&&&&&& 临界的&&&&&&& Crossunder&&&&&&&&& 穿交
　　Crucible坩埚&& Crystal defect/face/orientation/lattice&& 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
　　Current density&&&&&&&&& 电流密度&&&&&&&&&& Curvature&&&&&&&&&& 曲率
　　Cut off&&&&&&&&&&&&&&&&& 截止&&&&&& Current drift/dirve/sharing& 电流漂移/驱动/共享
　　Current Sense&&&&&&&&&& 电流取样&&&&&& Curvature&&&&&&&&& 弯曲
　　Custom integrated circuit& 定制集成电路&& Cylindrical&&&&&&& 柱面的
　　Czochralshicrystal&& 直立单晶
　　Czochralski technique&&&& 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）
　　Dangling bonds&&&&&&& 悬挂键&&&&&&&&&&& Dark current&&&&&& 暗电流
　　Dead time&&&&&&&&&&& 空载时间&&&&&&&&& Debye length&&&&&& 德拜长度
　　De.broglie&&&&&&&&&&& 德布洛意&&&&&&&&& Decderate&&&&&&&&& 减速
　　Decibel （dB）&&&&&&&&& 分贝&&&&&&&&&&&&& Decode&&&&&&&&&&& 译码
　　Deep acceptor level&&&& 深受主能级&&&&&& Deep donor level&&&& 深施主能级
　　Deep impurity level&&&& 深度杂质能级&&&& Deep trap&&&&&&&&&& 深陷阱
　　Defeat&&&&&&&&&&&&&&& 缺陷
　　Degenerate semiconductor 简并半导体&&&&& Degeneracy&&&&&&&& 简并度
　　Degradation&&&&& 退化&&&&&&&&&&&&&&&& Degree Celsius（centigrade） /Kelvin 摄氏/开氏温度
　　Delay&&&&&&&&&&&&&&&& 延迟&&&&&&&&&&&& Density&&&&&&&&&& 密度
　　Density of states&&&&&&& 态密度&&&&&&&&&& Depletion&&&&&&&&& 耗尽
　　Depletion approximation 耗尽近似&&&&&&&& Depletion contact&&& 耗尽接触
　　Depletion depth&&&&&&& 耗尽深度&&&&&&&& Depletion effect&&&& 耗尽效应
　　Depletion layer&&&&&&&& 耗尽层&&&&&&&&&& Depletion MOS&&&& 耗尽MOS
　　Depletion region&&&&&&& 耗尽区&&&&&&&&&& Deposited film&&&&& 淀积薄膜
　　Deposition process&&&&& 淀积工艺&&&&&&&& Design rules&&&&&&& 设计规则
　　Die&&&&&&&&&&&&&&&&& 芯片（复数dice）&&&& Diode&&&&&&&&&&& 二极管
　　Dielectric&&&&&&&&&&&& 介电的&&&&&&&&&&& Dielectric isolation 介质隔离
　　Difference-mode input&& 差模输入&&&&&&&&& Differential amplifier& 差分放大器
　　Differential capacitance& 微分电容&&&&&&&&& Diffused junction&&&& 扩散结
　　Diffusion&&&&&&&&&&&&&& 扩散&&&&&&&&&&&&& Diffusion coefficient& 扩散系数
　　Diffusion constant&&&&& 扩散常数&&&&&&&&& Diffusivity&&&&&&&&& 扩散率
　　Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
　　Digital circuit&&&&&&&&& 数字电路&&&&&&&&& Dipole domain&&&&& 偶极畴
　　Dipole layer&&&&&&&&&& 偶极层&&&&&&&&&&&&& Direct-coupling&&&& 直接耦合
　　Direct-gap semiconductor& 直接带隙半导体&& Direct transition&&&& 直接跃迁
　　Discharge&&&&&&&&&&&& 放电&&&&&&&&&&&&&&&& Discrete component& 分立元件
　　Dissipation&&&&&&&&&&& 耗散&&&&&&&&&&&&&&& Distribution&&&&&&& 分布
　　Distributed capacitance 分布电容&&&&&&&&&&&& Distributed model& 分布模型
　　Displacement&&&&& 位移&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& Dislocation&&&&&&&&&&& 位错
　　Domain&&&&&&&&&&&&&& 畴&&&&&&&&&&&&&&&&&&& Donor&&&&&&&&&&&&& 施主
　　Donor exhaustion&&&&& 施主耗尽&&&&&&&&&&&& Dopant&&&&&&&&&&&& 掺杂剂
　　Doped semiconductor& 掺杂半导体&&&&&&&&&&& Doping concentration& 掺杂浓度
　　Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS.
　　Drift&&&&&&&&&&&&&&&& 漂移&&&&&&&&&&&&&& Drift field&&&&&&&&& 漂移电场
　　Drift mobility&&&&&&&&& 迁移率&&&&&&&&&&&& Dry etching&&&&&&& 干法腐蚀
　　Dry/wet oxidation&&&&&& 干/湿法氧化&&&&&&& Dose&&&&&&&&&&&&& 剂量
　　Duty cycle&&&&&&& 工作周期&&&&&&&&&&&&&&& Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装
　　Dynamics&&&&&&&&&&& 动态&&&&&&&&&&&&& Dynamic characteristics 动态属性
　　Dynamic impedance&& 动态阻抗
　　Early effect&&&&&&&&&&& 厄利效应&&& Early failure&&&&&& 早期失效
　　Effective mass&&&&&&&&& 有效质量&&& Einstein relation（ship） 爱因斯坦关系
　　Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM） 一次性电可擦除只读存储器
　　Electrode&&&&&&&&&&&&& 电极&&&&&&& Electrominggratim&& 电迁移
　　Electron affinity&&& 电子亲和势&&&&& Electronic -grade&&&& 电子能
　　Electron-beam photo-resist exposure&& 光致抗蚀剂的电子束曝光
　　Electron gas&&&&&&&&&& 电子气&&&&&&&&& Electron-grade water 电子级纯水
　　Electron trapping center 电子俘获中心& Electron Volt （eV）&&& 电子伏
　　Electrostatic&&&&&&&&&& 静电的&&&&&& Element&&&&&&&&&& 元素/元件/配件
　　Elemental semiconductor 元素半导体&& Ellipse&&&&&&&&&&& 椭圆
　　Ellipsoid&&&&&&&&&&&&& 椭球&&&&&&&& Emitter&&&&&&&&&&& 发射极
　　Emitter-coupled logic& 发射极耦合逻辑&&& Emitter-coupled pair& 发射极耦合对
　　Emitter follower&&&&&& 射随器&&&&&&&&&& Empty band&&&&&&& 空带
　　Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
　　Endurance test =life test 寿命测试&&&&&& Energy state&&&&&&&& 能态
　　Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图 Enhancement mode 增强型模式
　　Enhancement MOS&&&& 增强性MOS&&&&&&&&&&&&& Entefic&&&&&&&&&&& （低）共溶的
　　Environmental test&&&&& 环境测试&&&&&& Epitaxial&&&&&&&&& 外延的
　　Epitaxial layer&&&&&&&& 外延层&&&&&&&& Epitaxial slice&&&&& 外延片
　　Expitaxy&&&&&&&&&&&&& 外延&&&&&&&&&& Equivalent curcuit&& 等效电路
　　Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
　　Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器
　　Error function complement&& （erfc）&&&&&&& 余误差函数
　　Etch&&&&&&&&&&&&&&&& 刻蚀&&&&&&&&&&&& Etchant&&&&&&&&&& 刻蚀剂
　　Etching mask&&&&&&&& 抗蚀剂掩模&&&&&&& Excess carrier&&&&& 过剩载流子
　　Excitation energy&&&&& 激发能&&&&&&&&&&& Excited state&&&&&& 激发态
　　Exciton&&&&&&&&&&&&& 激子&&&&&&&&&&&&& Extrapolation&&&&& 外推法
　　Extrinsic&&&&&&&&&&&& 非本征的&&&&&&&&& Extrinsic semiconductor 杂质半导体
　　Face - centered&&&&&&& 面心立方&&&&&&&&& Fall time&&&&&&&& 下降时间
　　Fan-in&&&&&&&&&&&&&&& 扇入&&&&&&&&&&&& Fan-out&&&&&&&&& 扇出
　　Fast recovery&&&&&&&&& 快恢复&&&&&&&&&& Fast surface states&& 快界面态
　　Feedback&&&&&&&&&&&& 反馈&&&&&&&&&&&& Fermi level&&&&&&& 费米能级
　　Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布&& Femi potential&&& 费米势
　　Fick equation&&&&&& 菲克方程（扩散）&&& Field effect transistor 场效应晶体管
　　Field oxide&&&&&&&&&& 场氧化层&&&&&&&&& Filled band&&&&&&& 满带
　　Film&&&&&&&&&&&&&&&& 薄膜&&&&&&&&&&&& Flash memory&&&&& 闪烁存储器
　　Flat band&&&&&&&&&&&& 平带&&&&&&&&&&&& Flat pack&&&&&&&&& 扁平封装
　　Flicker noise&&&&&&& 闪烁（变）噪声&&&&& Flip-flop toggle&&& 触发器翻转
　　Floating gate&&&&&&& 浮栅&&&&&&&&&&&&&&& Fluoride etch&&&&& 氟化氢刻蚀
　　Forbidden band&&&&& 禁带&&&&&&&&&&&&&&& Forward bias&&&&& 正向偏置
　　Forward blocking /conducting正向阻断/导通
　　Frequency deviation noise频率漂移噪声
　　Frequency response&&& 频率响应&&&&&&&&&& Function&&&&&&&& 函数
　　Gain&&&&&&&&&&&&&& 增益&&&&&&&&&&&&&& Gallium-Arsenide（GaAs） 砷化钾
　　Gamy ray&&&&&&&&& r 射线&&&&&&&&&&&&& Gate&&&&&&&&&&& 门、栅、控制极
　　Gate oxide&&&& 栅氧化层&&&&&&&&&&&&&&& Gauss（ian）&&&& 高斯
　　Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布&&& Generation-recombination 产生-复合
　　Geometries&&&&&&&&& 几何尺寸&&&&&&&& Germanium（Ge）&&&&&&& 锗
　　Graded&&&&&&&&&&&& 缓变的&&&&&&&&&& Graded （gradual） channel 缓变沟道
　　Graded junction&&&&& 缓变结&&&&&&&&&& Grain&&&&&&&&&&&&&&& 晶粒
　　Gradient&&&&&&&&&&& 梯度&&&&&&&&&&&& Grown junction&&&&&&& 生长结
　　Guard ring&&&&&&&&& 保护环&&&&&&&&&& Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
　　Gunn - effect&&&&& 狄氏效应
　　Hardened device&& 辐射加固器件&&&&&&& Heat of formation&&&&& 形成热
　　Heat sink&&&&&&&& 散热器、热沉&&&&&&& Heavy/light hole band&& 重/轻 空穴带
　　Heavy saturation&& 重掺杂&&&&&&&&&&&&& Hell - effect&&&&&&&&&& 霍尔效应
　　Heterojunction&&& 异质结&&&&&&&&&&&&&& Heterojunction structure 异质结结构
　　Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
　　High field property&&&& 高场特性
　　High-performance MOS.（ H-MOS）高性能MOS.&& Hormalized&&&&& 归一化
　　Horizontal epitaxial reactor& 卧式外延反应器&&&& Hot carrior&&&&& 热载流子
　　Hybrid integration&& 混合集成
　　Image - force&&&&&& 镜象力&&&&&&&&&& Impact ionization&&&&&&& 碰撞电离
　　Impedance&&&&&&&& 阻抗&&&&&&&&&&&& Imperfect structure&&&&&& 不完整结构
　　Implantation dose&&& 注入剂量&&&&& Implanted ion&&&&&&&&&& 注入离子
　　Impurity&&&&&&&&&& 杂质&&&&&&&&&&&& Impurity scattering&&&&& 杂质散射
　　Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）&&& In-contact mask&&& 接触式掩模
　　Indium tin oxide （ITO） 铟锡氧化物&&&&& Induced channel&&&&&& 感应沟道
　　Infrared&&&&&&&&&&&& 红外的&&&&&&&&&&&&& Injection&&&&&&&&&&&& 注入
　　Input offset voltage&&& 输入失调电压&&& Insulator&&&&&&&&&&&& 绝缘体
　　Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET&& Integrated injection logic集成注入逻辑
　　Integration&&&&&&&&&& 集成、积分&&&&& Interconnection&&&&&&& 互连
　　Interconnection time delay 互连延时&&&& Interdigitated structure&& 交互式结构
　　Interface&&&&&&&&&&& 界面&&&&&&&&&&&& Interference&&&&&&&&& 干涉
　　International system of unions国际单位制 Internally scattering&&& 谷间散射
　　Interpolation&&&&&&&& 内插法&&&&&&&&& Intrinsic&&&&&&&&&&&&& 本征的
　　Intrinsic semiconductor 本征半导体&&&&& Inverse operation&&&&& 反向工作
　　Inversion&&&&&&&&&&& 反型&&&&&&&&&&& Inverter&&&&&&&&&&&&& 倒相器
　　Ion&&&&&&&&&&&&&&&& 离子&&&&&&&&&&& Ion beam&&&&&&&&&&&& 离子束
　　Ion etching&&&&&&&&& 离子刻蚀&&&&&&&& Ion implantation&&&&& 离子注入
　　Ionization&&&&&&&&&& 电离&&&&&&&&&&&& Ionization energy&&&&& 电离能
　　Irradiation&&&&&&&&&& 辐照&&&&&&&&&&& Isolation land&&&&&&&&& 隔离岛
　　Isotropic&&&&&&&&&&& 各向同性
　　Junction FET（JFET）& 结型场效应管&&&& Junction isolation&&&&& 结隔离
　　Junction spacing&&&& 结间距&&&&&&&&&& Junction side-wall&&&&& 结侧壁
　　Latch up&&&&&&&&&&& 闭锁&&&&&&&&&&&& Lateral&&&&&&&&&&&& 横向的
　　Lattice&&&&&&&&&&&&& 晶格&&&&&&&&&&& Layout&&&&&&&&&&&& 版图
　　Lattice binding/cell/constant/defect/distortion& 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟
　　/晶格缺陷/晶格畸变
　　Leakage current& （泄）漏电流&&&&&&&& Level shifting&&&&&& 电平移动
　　Life time&&&&&&&&&&& 寿命&&&&&&&&&&&& linearity&&&&&&&&&&& 线性度
　　Linked bond&&&&&&&& 共价键&&&&&&&&&& Liquid Nitrogen&&&&& 液氮
　　Liquid－phase epitaxial growth technique& 液相外延生长技术
　　Lithography&&&&&&&&& 光刻&&&&&&&&&& Light Emitting Diode（LED） 发光二极管
　　Load line or Variable&& 负载线&&&&&&&&& Locating and Wiring 布局布线
　　Longitudinal&&&&&&&& 纵向的&&&&&&&&&&& Logic swing&&&&&&& 逻辑摆幅
　　Lorentz&&&&&&&&&&&& 洛沦兹&&&&&&&&&& Lumped model&&&&&& 集总模型
　　Majority carrier&&&& 多数载流子&&&&&&&&& Mask&&&&&&&& 掩膜板，光刻板
　　Mask level&&&&&&&& 掩模序号&&&&&&&&&&& Mask set&&&&& 掩模组
　　Mass - action law质量守恒定律&&&&&&& Master-slave D flip-flop主从D触发器
　　Matching&&&&&&&&&& 匹配&&&&&&&&&&&&&& Maxwell&&&&& 麦克斯韦
　　Mean free path& 平均自由程&&&&&&&&& Meandered emitter junction梳状发射极结
　　Mean time before failure （MTBF）& 平均工作时间
　　Megeto - resistance&& 磁阻&&&&&&&&&&&&&& Mesa&&&&&&&& 台面
　　MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET
　　Metallization&&&&&& 金属化&&&&&&& Microelectronic technique& 微电子技术
　　Microelectronics&& 微电子学&&&&&&&&&&&& Millen indices&& 密勒指数
　　Minority carrier&& 少数载流子&&&&&&&&&&& Misfit&&&&&&&& 失配
　　Mismatching&&&&&&& 失配&&&&&&&&&&&&&& Mobile ions&&& 可动离子
　　Mobility&&&&&&&&&& 迁移率&&&&&&&&&&&&& Module&&&&&&& 模块
　　Modulate&&&&&&&&& 调制&&&&&&&&&&&&&&& Molecular crystal分子晶体
　　Monolithic IC&&&&& 单片IC&&&&&& MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
　　Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶体管&&&&& Multiplication&& 倍增
　　Modulator&&&&&&&& 调制&&&&&&&&&&&&&&& Multi-chip IC&&& 多芯片IC
　　Multi-chip module（MCM）& 多芯片模块&&& Multiplication coefficient倍增因子
　　Naked chip&&&&& 未封装的芯片（裸片）&& Negative feedback& 负反馈
　　Negative resistance&&& 负阻&&&&&&&&&&&&& Nesting&&&&&&&& 套刻
　　Negative-temperature-coefficient& 负温度系数&&& Noise margin&& 噪声容限
　　Nonequilibrium&& 非平衡&&&&&&&&&&&&& Nonrolatile&&&& 非挥发（易失）性
　　Normally off/on&& 常闭/开&&&&&&&&&&&& Numerical analysis&&&&& 数值分析
　　Occupied band&&&&& 满带&&&&&&&&&&&&& Officienay&&&&& 功率
　　Offset&&&&&&&&&&&& 偏移、失调&&&&&&& On standby&&&&& 待命状态
　　Ohmic contact&&&&& 欧姆接触&&&&&&&&& Open circuit&&&& 开路
　　Operating point&&&& 工作点&&&&&&&&&&& Operating bias&& 工作偏置
　　Operational amplifier （OPAMP）运算放大器
　　Optical photon =photon& 光子&&&&&&&&&& Optical quenching光猝灭
　　Optical transition&&& 光跃迁&&&&&&&&&& Optical-coupled isolator光耦合隔离器
　　Organic semiconductor有机半导体&&&&& Orientation&&&&& 晶向、定向
　　Outline&&&&&&&&&&& 外形&&&&&&&&&&&&& Out-of-contact mask非接触式掩模
　　Output characteristic 输出特性&&&&&&&& Output voltage swing 输出电压摆幅
　　Overcompensation 过补偿&&&&&&&&&&&& Over-current protection& 过流保护
　　Over shoot&&&&&&& 过冲&&&&&&&&&&&&& Over-voltage protection& 过压保护
　　Overlap&&&&&&&& 交迭&&&&&&&&&&&&&&& Overload&&&&&&&&&&&& 过载
　　Oscillator&&&&&&& 振荡器&&&&&&&&&&&&& Oxide&&&&&&&&&&&&&& 氧化物
　　Oxidation&&&&&&&& 氧化&&&&&&&&&&&&& Oxide passivation&&&& 氧化层钝化
　　Package&&&&&&&&&&& 封装&&&&&&&&&&&&&&& Pad&&&&&&&&&&&& 压焊点
　　Parameter&&&&&&&&&& 参数&&&&&&&&&&&&&& Parasitic effect&&& 寄生效应
　　Parasitic oscillation& 寄生振荡&&&&&&&&&&& Passination&&&&&& 钝化
　　Passive component&& 无源元件&&&&&&&&&&& Passive device&&& 无源器件
　　Passive surface&&&&& 钝化界面&&&&&&&&&&& Parasitic transistor 寄生晶体管
　　Peak-point voltage&& 峰点电压&&&&&&&&&&& Peak voltage&&&&& 峰值电压
　　Permanent-storage circuit& 永久存储电路&&& Period&&&&&&&&& 周期
　　Periodic table&&&&&& 周期表&&&&&&&&&&&&& Permeable - base& 可渗透基区
　　Phase-lock loop&&&& 锁相环&&&&&&&&&&&&& Phase drift&&&&&&& 相移
　　Phonon spectra&&&& 声子谱
　　Photo conduction&&&&& 光电导&&&&&&&&& Photo diode&&&& 光电二极管
　　Photoelectric cell&&&& 光电池
　　Photoelectric effect& 光电效应
　　Photoenic devices&&&&&& 光子器件&&&&& Photolithographic process& 光刻工艺
　　（photo） resist&&&& （光敏）抗腐蚀剂&&& Pin&&&&&&&&&&&&& 管脚
　　Pinch off&&&&&&&&&& 夹断&&&&& Pinning of Fermi level& 费米能级的钉扎（效应）
　　Planar process&&&&& 平面工艺&&&&&&&& Planar transistor&&& 平面晶体管
　　Plasma&&&&&&&&&&& 等离子体&&&&&&&& Plezoelectric effect& 压电效应
　　Poisson equation&&& 泊松方程&&&&&&&& Point contact&&&&&& 点接触
　　Polarity&&&&&&&&&& 极性&&&&&&&&&&&&& Polycrystal&&&&&&& 多晶
　　Polymer semiconductor聚合物半导体&&& Poly-silicon&&&&&& 多晶硅
　　Potential&&&&&&&&& （电）势&&&&&&&&&&&& Potential barrier&&& 势垒
　　Potential well&&&&&& 势阱&&&&&&&&&&&& Power dissipation&& 功耗
　　Power transistor&&& 功率晶体管&&&&&&& Preamplifier&&&&&& 前置放大器
　　Primary flat&&&&&&& 主平面&&&&&&&&&&& Principal axes&&&& 主轴
　　Print-circuit board（PCB） 印制电路板&&&& Probability&&&&&& 几率
　　Probe&&&&&&&&&&&& 探针&&&&&&&&&&&&& Process&&&&&&&&& 工艺
　　Propagation delay&& 传输延时&&&&&&&&& Pseudopotential method& 膺势发
　　Punch through&&&&& 穿通&&&&&&&& Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制
　　Pulse Widen Modulator（PWM） 脉冲宽度调制
　　punchthrough&&&&& 穿通&&&&&&&&&&&& Push-pull stage&&&& 推挽级
　　Quality factor&&&&& 品质因子&&&&&&&&&& Quantization&&&&& 量子化
　　Quantum&&&&&&&&& 量子&&&&&&&&&&&&&& Quantum efficiency量子效应
　　Quantum mechanics& 量子力学&&&&&&&&& Quasi - Fermi－level准费米能级
　　Quartz&&&&&&&&&&& 石英
　　Radiation conductivity& 辐射电导率&&&& Radiation damage&&& 辐射损伤
　　Radiation flux density& 辐射通量密度&&& Radiation hardening& 辐射加固
　　Radiation protection&& 辐射保护&&&&&&& Radiative - recombination辐照复合
　　Radioactive&&&&&&&&& 放射性&&&&&&&&& Reach through&&&&&& 穿通
　　Reactive sputtering source 反应溅射源&&& Read diode&&&&&&&& 里德二极管
　　Recombination&&&&&&& 复合&&&&&&&&&&& Recovery diode&&&& 恢复二极管
　　Reciprocal lattice&&&&& 倒核子&&&&&&&&& Recovery time&&&& 恢复时间
　　Rectifier&&&&&&&&&&& 整流器（管）&&&& Rectifying contact&&& 整流接触
　　Reference&&&&&& 基准点 基准 参考点&& Refractive index&&&& 折射率
　　Register&&&&&&&&&&&& 寄存器&&&&&&&&&& Registration&&&&&&&& 对准
　　Regulate&&&&&&&&&&& 控制 调整&&&&&&&& Relaxation lifetime& 驰豫时间
　　Reliability&&&&&&&&& 可*性&&&&&&&&&& Resonance&&&&&&& 谐振
　　Resistance&&&&&&&&&& 电阻&&&&&&&&&&& Resistor&&&&&&&&& 电阻器
　　Resistivity&&&&&&&&&& 电阻率&&&&&&&&& Regulator&&&&&&&& 稳压管（器）
　　Relaxation&&&&&&&&&& 驰豫&&&&&&&&&&& Resonant frequency共射频率
　　Response time&&&&&&& 响应时间&&&&&&& Reverse&&&&&&&&& 反向的
　　Reverse bias&&&&&&&& 反向偏置
　　Sampling circuit&&&&& 取样电路&&&&&&& Sapphire&&&&&&&& 蓝宝石（Al2O3）
　　Satellite valley&&&&&& 卫星谷&&&&&&&&& Saturated current range电流饱和区
　　Saturation region&&&& 饱和区&&&&&&&&&& Saturation&&&&&&& 饱和的
　　Scaled down&&&&&&&& 按比例缩小&&&&& Scattering&&&&&&&& 散射
　　Schockley diode&&&&& 肖克莱二极管&&&& Schottky&&&&&&&& 肖特基
　　Schottky barrier&&&&&& 肖特基势垒&&&&& Schottky contact&& 肖特基接触
　　Schrodingen&&&&&&&&& 薛定厄&&&&&&&&& Scribing grid&&&&& 划片格
　　Secondary flat&&&&&&& 次平面
　　Seed crystal&&&&&&&&& 籽晶&&&&&&&&&&&& Segregation&&&&&& 分凝
　　Selectivity&&&&&&&&&& 选择性&&&&&&&&&& Self aligned&&&&& 自对准的
　　Self diffusion&&&&&&&& 自扩散&&&&&&&&&& Semiconductor&&& 半导体
　　Semiconductor-controlled rectifier 可控硅& Sendsitivity&&&&& 灵敏度
　　Serial&&&&&&&&&&&&&& 串行/串联&&&&&&&& Series inductance 串联电感
　　Settle time&&&&&&&&&& 建立时间&&&&&&&& Sheet resistance&& 薄层电阻
　　Shield&&&&&&&&&&&&&& 屏蔽&&&&&&&&&&&& Short circuit&&&&& 短路
　　Shot noise&&&&&&&&&& 散粒噪声&&&&&&&& Shunt&&&&&&&&&& 分流
　　Sidewall capacitance&& 边墙电容&&&&&&&&& Signal&&&&&&&&& 信号
　　Silica glass&&&&&&&&& 石英玻璃&&&&&&&&&& Silicon&&&&&&&&& 硅
　　Silicon carbide&&&&&& 碳化硅&&&&&&&&&&& Silicon dioxide （SiO2） 二氧化硅
　　Silicon Nitride（Si3N4） 氮化硅&&&&&&&&&&& Silicon On Insulator& 绝缘硅
　　Siliver whiskers&&&&& 银须&&&&&&&&&&&&& Simple cubic&&&&& 简立方
　　Single crystal&&&&&&& 单晶&&&&&&&&&&&&& Sink&&&&&&&&&&&& 沉
　　Skin effect&&&&&&&&& 趋肤效应&&&&&&&&& Snap time&&&&&&&& 急变时间
　　Sneak path&&&&&&&&& 潜行通路&&&&&&&&& Sulethreshold&&&&& 亚阈的
　　Solar battery/cell&&&& 太阳能电池&&&&&&& Solid circuit&&&&&& 固体电路
　　Solid Solubility&&&&&& 固溶度&&&&&&&&&& Sonband&&&&&&&&& 子带
　　Source&&&&&&&&&&&&& 源极&&&&&&&&&&&& Source follower&&&& 源随器
　　Space charge&&&&&&& 空间电荷&&&&&&&&& Specific heat（PT）&&& 热
　　Speed-power product& 速度功耗乘积&&&&& Spherical&&&&&&&& 球面的
　　Spin&&&&&&&&&&&&&&& 自旋&&&&&&&&&&&&& Split&&&&&&&&&&& 分裂
　　Spontaneous emission& 自发发射&&&&&&&& Spreading resistance扩展电阻
　　Sputter&&&&&&&&&&&&& 溅射&&&&&&&&&&&& Stacking fault&&&&& 层错
　　Static characteristic 静态特性&&&&&&&&&&& Stimulated emission& 受激发射
　　Stimulated recombination 受激复合&&&&&&& Storage time&&&&&& 存储时间
　　Stress&&&&&&&&&&&&&& 应力&&&&&&&&&&&&& Straggle&&&&&&&&& 偏差
　　Sublimation&&&&&&&&& 升华&&&&&&&&&&&&&& Substrate&&&&&&& 衬底
　　Substitutional&&&&&&& 替位式的&&&&&&&&& Superlattice&&&&&& 超晶格
　　Supply&&&&&&&&&&&&&& 电源&&&&&&&&&&&& Surface&&&&&&&&&& 表面
　　Surge capacity&&&&&&& 浪涌能力&&&&&&&&& Subscript&&&&&&&& 下标
　　Switching time&&&&&&& 开关时间&&&&&&&&& Switch&&&&&&&&&& 开关
　　Tailing&&&&&&&&&&&&&&& 扩展&&&&&&&&&&& Terminal&&&&&&&&&& 终端
　　Tensor&&&&&&&&&&&&&&& 张量&&&&&&&&&&&& Tensorial&&&&&&&&& 张量的
　　Thermal activation&&&&& 热激发&&&&&&&&&& Thermal conductivity 热导率
　　Thermal equilibrium&&&& 热平衡&&&&&&&&&& Thermal Oxidation&& 热氧化
　　Thermal resistance&&&&& 热阻&&&&&&&&&&&&& Thermal sink&&&&&& 热沉
　　Thermal velocity&&&&&&& 热运动&&&&&&& Thermoelectricpovoer& 温差电动势率
　　Thick-film technique&&& 厚膜技术&&&&&& Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路
　　Thin-Film Transistor（TFT） 薄膜晶体&&&&&&& Threshlod&&&&&&&&& 阈值
　　Thyistor&&&&&&&&&&&&& 晶闸管&&&&&&&&&&& Transconductance&&&& 跨导
　　Transfer characteristic&&& 转移特性&&&&&&&& Transfer electron&&&& 转移电子
　　Transfer function&&&&&& 传输函数&&&&&&&&& Transient&&&&&&&&& 瞬态的
　　Transistor aging（stress）& 晶体管老化&&&&&&&& Transit time&&&&&& 渡越时间
　　Transition&&&&&&&&&&& 跃迁&&&&&&&&&&& Transition-metal silica 过度金属硅化物
　　Transition probability&& 跃迁几率&&&&&&& Transition region&&&&& 过渡区
　　Transport&&&&&&&&&&&& 输运&&&&&&&&&&&&& Transverse&&&&&&&& 横向的
　　Trap&&&&&&&&&&&&&&&& 陷阱&&&&&&&&&&&&& Trapping&&&&&&&&& 俘获
　　Trapped charge&&&&&&& 陷阱电荷&&&&&&&&& Triangle generator& 三角波发生器
　　Triboelectricity&&&&&&& 摩擦电&&&&&&&&&&&& Trigger&&&&&&&&&& 触发
　　Trim&&&&&&&&&&&&&&& 调配 调整&&&&&&&&& Triple diffusion&&&& 三重扩散
　　Truth table&&&&&&&&&&& 真值表&&&&&&&&&&&& Tolerahce&&&&&&&& 容差
　　Tunnel（ing）&&&&&&&&& 隧道（穿）&&&&&&&&& Tunnel current&&&& 隧道电流
　　Turn over&&&&&&&&&&& 转折&&&&&&&&&&&&&& Turn - off time&&&& 关断时间
　　Ultraviolet&&&&&&&& 紫外的&&&&&&&&&&&&&&& Unijunction&&&& 单结的
　　Unipolar&&&&&&&&& 单极的&&&&&&&&&&&&&&&& Unit cell&&&&&& 原（元）胞
　　Unity-gain frequency 单位增益频率&&&&&&&&& Unilateral-switch单向开关
　　Vacancy&&&&&&&&&&&& 空位&&&&&&&&&&&&&&& Vacuum&&&&&&&& 真空
　　Valence（value）& band& 价带&&&&&&&&&&&&&&& Value band edge& 价带顶
　　Valence bond&&&&&&&& 价键&&&&&&&&&&&&&&& Vapour phase&&&& 汽相
　　Varactor&&&&&&&&&&&& 变容管&&&&&&&&&&&&& Varistor&&&&&&&& 变阻器
　　Vibration&&&&&&&&&&&& 振动&&&&&&&&&&&&&& Voltage& 电压
　　Wafer&&&&&&&&&&&&&& 晶片&&&&&&&&&&&&&&& Wave equation&& 波动方程
　　Wave guide&&&&&&&&&& 波导&&&&&&&&&&&&&&& Wave number&&&& 波数
　　Wave-particle duality& 波粒二相性&&&&&&&&&& Wear-out&&&&&&&& 烧毁
　　Wire routing&&&&&&&&& 布线&&&&&&&&&&&&&&&& Work function&& 功函数
　　Worst-case device 最坏情况器件
　　Yield& 成品率
　　Zener breakdown 齐纳击穿
协和医科大学医学博士，美国国立卫生研究院博士后&&
澳大利亚注册会计师协会会员，会计专业硕士&&
中国政法大学博士，师从著名法学家周忠海教授&&
国内外法律法规中英对照读本，学习英文法规必备&&
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