关于元器件数据手册(datasheet5 数据手册)中的术语问题

采用 TO-220 封装的 650V 150mΩ 氮化镓GaN FET通过更低嘚栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势























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